134 457
правок
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
Строка 1: | Строка 1: | ||
'''Комплекс ядерно-физических методов, позволяющих получать принципиально новую информацию о свойствах монокристаллов''' – был разработан на кафедре общей физики [[ТПУ|Томского политехнического института]] под руководством доктора технических наук профессора [[Чернов Иван Петрович|И.П. Чернова]] на основе фундаментальных исследований и поставлен на ускорителях [[НИИ ядерной физики при ТПУ|НИИ ядерной физики]] при ТПИ. | '''Комплекс ядерно-физических методов, позволяющих получать принципиально новую информацию о свойствах монокристаллов''' – был разработан на кафедре общей физики [[ТПУ|Томского политехнического института]] под руководством доктора технических наук профессора [[Чернов Иван Петрович|И.П. Чернова]] на основе фундаментальных исследований и поставлен на ускорителях [[НИИ ядерной физики при ТПУ|НИИ ядерной физики]] при ТПИ. | ||
С помощью данных методов были выполнены систематические | С помощью данных методов были выполнены систематические исследования воздействий излучения на полупроводниковые монокристаллы, в результате чего был обнаружен новый эффект – упорядочение структуры дефектных кристаллов ионизирующим излучением (эффекты малых доз ионизирующего излучения), представляющий, кроме научного, большой практический интерес. Эти исследования вызвали большой резонанс в СССР. По этой проблеме было опубликовано 25 статей в отечественных и зарубежных журналах и получено 12 авторских свидетельств и патентов. | ||
Дальнейшие исследования природы данного эффекта привели к открытию аккумулирующих свойств водорода в твердом теле. Именно благодаря этому уникальному свойству водорода энергия ионизирующего излучения, вносимая в кристалл, экономно расходуется на залечивание дефектов. | Дальнейшие исследования природы данного эффекта привели к открытию аккумулирующих свойств водорода в твердом теле. Именно благодаря этому уникальному свойству водорода энергия ионизирующего излучения, вносимая в кристалл, экономно расходуется на залечивание дефектов. |