133 804
правки
ИСЭ СО РАН: различия между версиями
Перейти к навигации
Перейти к поиску
нет описания правки
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
| (не показано 40 промежуточных версий этого же участника) | |||
| Строка 1: | Строка 1: | ||
[[Файл:Zdanie.jpg| | [[Файл:Beydch.png|500px|right|thumb|Логотип]] | ||
[[Файл:Zdanie.jpg|300px|right|thumb|Корпус института. Томск, пр. Академический 2/3 (Академгородок)]] | |||
'''Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН''' - один из институтов Томского научного центра Сибирского Отделения Академии Наук, расположен в [[Томский академгородок|Томске]]. Институт был основан в 1977 г. в томском Академгородке при непосредственном участии [[Месяц Геннадий Андреевич|Г.А. Месяца]], который и стал его первым директором. В ИСЭ СО РАН многие годы работают выпускники [[ТПУ|Томского политехнического института]]. Основными направлениями научной деятельности института являются разработка приборов сильноточной электроники, проблемы физической электроники, устройств и технологий, а также физика низкотемпературной плазмы и основы её применения в технологических процессах и другие современные проблемы физики плазмы. В настоящее время директор института - [[Ратахин Николай Александрович|Н.А. Ратахин]] | |||
[[Файл:1581974696-200621-137598.jpg|300px|right|thumb|В лаборатории газовых лазеров ИСЭ СО РАН, установка THL-100. THL-100 - гибридная лазерная система, не имеющая мировых аналогов, на которой была достигнута рекордная для видимой области спектра пиковая мощность 40 триллионов ватт. Размещена в отделе импульсной техники]] | |||
[[Файл:6d0804f9d1aa90ae531ea34921a8f946-800x.jpg|300px|right|thumb|]] | |||
[[Файл: | [[Файл:002 (1).jpg|300px|right|thumb|[[ГИТ-12|ГИТ-12]]]] | ||
[[Файл:001.jpg|300px|right|thumb|[[ГИТ-12|ГИТ-12]] - один из крупнейших в мире мультитераваттных импульсных генераторов, размещен в лабораторном корпусе института, отдел импульсной техники]] | |||
[[Файл:222 (1).jpg|300px|right|thumb|Интегрированная установка "RITM-SP» Чунцин, КНР, январь 2017 г. Установки "RITM-SP" предназначены для поверхностной обработки металлических материалов и изделий с целью улучшения их электрофизических, электрохимических и иных характеристик]] | |||
[[Файл:111.jpg|300px|right|thumb|"RITM-SP-М» - Милан, Италия, октябрь 2018 г.]] | |||
[[Файл: | [[Файл:Oit (1).jpg|300px|right|thumb|Сотрудники ИСЭ СО РАН, 2002 г.]] | ||
[[Файл:12078000.jpg|300px|right|thumb|[[Ратахин Николай Александрович|Н.А. Ратахин]] - директор ИСЭ СО РАН, в 2006 - 2017 гг. - заведующий кафедрой высоковольтной электрофизики и сильноточной электроники Института физики высоких технологий ТПУ, профессор отделения материаловедения ТПУ]] | |||
==Создание института== | ==Создание института== | ||
| Строка 205: | Строка 216: | ||
4. http://www.biznes-portal.com/New.aspx?newid=27294 | 4. http://www.biznes-portal.com/New.aspx?newid=27294 | ||
5. https://subscribe.ru/group/kosmos-galaktiki-nlo-i-inoplanetyane/16314583/ | |||
6. https://thepresentation.ru/uncategorized/130147-programma-prezidiuma-ran-otdelenie-nanotehnologiy-i-informatsionnyh-tehnologiyproekt-n-274fizicheskie-osnovy-elektronno-puchkovoy-nanostrukturizatsii-metallov-i-splavov-rukovoditel-proekta-dtn-koval-nikolay-nikolaevicho | |||
7. http://www.tsc.ru/ru/news/nw_0431.html | |||
8. https://hcei.tsc.ru/ru/nauka/ustanovki/git-12.html | |||
9. https://ru.wikipedia.org/wiki/%D0%98%D0%BD%D1%81%D1%82%D0%B8%D1%82%D1%83%D1%82_%D1%81%D0%B8%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D0%BE%D1%82%D0%BE%D1%87%D0%BD%D0%BE%D0%B9_%D1%8D%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%B8_%D0%A1%D0%9E_%D0%A0%D0%90%D0%9D | |||
[[Категория:Научно-исследовательские институты]] | |||