16 сентября

• 1910 - День рождения Стромберга Армина Генриховича (1910-2004).

Родился в г. Бреславле родился, химик, профессор Томского политехнического университета, заслуженный химик РФ, заслуженный Соросовский профессор. В 1930 году окончил Уральский политехнический институт (УПИ) по специальности "Химия". С 1930 года работал в химических лабораториях институтов г. Свердловска. В 1939 году защитил кандидатскую диссертацию. В марте 1942 года был отправлен в Трудармию НКВД (по существу концлагерь) в Нижнем Тагиле. В 1943 г освобожден и направлен в институт химии и металлургии Уральского филиала АН СССР (УФАН). Реабилитирован в 1992 году. В 1951 году состоялась защита докторской диссертации. С 1956 года жил в Томске, в течение 30 лет работал заведующим кафедрой физической и коллоидной химии в ТПУ. В 1962 году стал научным руководителем организованной им проблемной лаборатории по разработке нового аналитического метода - инверсионной вольтамперометрии (ИВ). Незадолго до кончины ученого вышла отредактированная им книга "Томской электрохимической школе и проблемной лаборатории микросмесей сорок лет (1962-2002). Развитие метода инверсионной вольтамперометрии". С 1985 года и до конца своих дней работал профессором-консультантом при той же кафедре в ТПУ. Награды: орден "Дружбы народов", орден Почета Первой Степени, медали "За доблестный труд в Великой Отечественной войне", Ветеран труда и др. Скончался в сентябре 2004 г.

• 2010 - Нано-Центр ТПУ совместно с немецким Университетом Касселя провели в Томске 16-17 сентября Немецко-Российский форум "Нанофотоника и наноматериалы".

В Форуме приняли участие представители германских университетов Касселя, Эссена, научных центров нанотехнологий, планирующих развивать сотрудничество с российскими научно-исследовательскими группами. С российской стороны приняли участие представители Госкорпорации «РОСНАНО», Института лазерной физики (г. Новосибирск), Института электрофизики УрО РАН (г. Екатеринбург), Института радиотехники и радиоэлектроники РАН (г. Москва), Института химии твердого тела и механохимии СО РАН (Новосибирск), ученые из Томской технико-внедренческой зоны, Томского политехнического, Института физики прочности и материаловедения, Института сильноточной электроники и других.