Пешев Владимир Викторович: различия между версиями

Перейти к навигации Перейти к поиску

Пешев Владимир Викторович (посмотреть исходный код)

Версия от 09:28, 23 мая 2020

1360 байт убрано ,  23 мая 2020
нет описания правки
Нет описания правки
Нет описания правки
Строка 3: Строка 3:
|Оригинал имени      =  
|Оригинал имени      =  
  |Фото                = Image1648.jpg  
  |Фото                = Image1648.jpg  
  |Ширина              =  
  |Ширина              = 170px
  |Подпись              =
  |Подпись              =
  |Дата рождения      = 11.04.1948г.
  |Дата рождения      = 11.04.1948 г.
  |Место рождения = г. Свободный
  |Место рождения = г. Свободный


Строка 27: Строка 27:
==Биография==
==Биография==


В 1970г. окончил Томский политехнический институт (ТПУ) по специальности "Физика твердого тела". Работал профессором кафедры естественно-научного образования (ЕНО) Юргинского технологического института (филиал) Томского политехнического университета.
В 1970 г. окончил Томский политехнический институт по специальности "Физика твердого тела".  
 
Работал профессором кафедры естественно-научного образования (ЕНО) Юргинского технологического института (филиал) Томского политехнического университета.


==Научная деятельность==
==Научная деятельность==
Строка 36: Строка 38:


Новые знания, полученные в данной работе, используются в теоретических и экспериментальных исследованиях по физике твердого тела.
Новые знания, полученные в данной работе, используются в теоретических и экспериментальных исследованиях по физике твердого тела.
==Публикации==
Общее число публикаций: 101.
Основные публикации:
Characterization of W-defect in electron-irradiated InP. / V.N. Brudnyi, V.V. Peshev, S.V. Smorodinov. / Physica status solidi (a), 1991, V.128, P.311-317.
Радиационное дефектообразование в электрических полях: GaAs и InP/Брудный В.Н., Пешев В.В,
Суржиков А.П. -Новосибирск: Наука, 2001. -136 с.
The broad midgap deep-level transient spectroscopy band in proton (63 MeV) and fast neutron-irradiated n-GaAs. / V.V. Peshev, V.N. Brudnyi, A.V. Gradoboev. / Phys. stat. sol.(b), 1999, V.212, P.229-239.
Influence of Electronic (Charge) State of E Traps on Their Introduction Rate in Irradiated n-GaAs. / V.N. Brudnyi, V.V. Peshev. / Semiconductors. – 2003. – V. 37. – N. 1. – P. 20-27.
The U-Peak in the DLTS Spectra of n-GaAs Irradiated with Fast Neutrons and 65-MeV Protons. /
V.N. Brudnyi, V.V. Peshev. / Semiconductors. – 2003. – V. 37. – N. 2. – P. 140-144.
Annealing of radiation-induced defects in n-GaAs. / V.V. Peshev / Russian Physics Journal. 2004. –V. 47, –N 10. –P. 1087–1090.
A bistable defect in InP. / V.V. Peshev / Russian Physics Journal. 2005. –V. 48, –N 4. –P. 417 422.
E10 center (EC – 0.62 eV) in InP irradiated by gamma-quanta and electrons. / V.V. Peshev / Russian Physics Journal. 2005. –V. 48, –N 5. –P. 541 543.


==Ссылки==
==Ссылки==
Строка 66: Строка 44:


http://elib.tomsk.ru/purl/1-5982/
http://elib.tomsk.ru/purl/1-5982/
[[Категория:выпускники]]
[[Категория:Доктора физико-математических наук]]
Источник — https://wiki.tpu.ru/wiki/Служебная:Сравнение_версий/51198

Навигация