Иванова Анна Ивановна
| Иванова Анна Ивановна | |
 | |
| Дата рождения: |
1987 г. |
|---|---|
| Место рождения: |
г. Томск |
| Научная сфера: |
физика |
| Место работы: |
ТПУ |
| Учёная степень: |
кандидат физико-математических наук |
| Альма-матер: |
ТПУ |
Иванова Анна Ивановна (р. в 1987 г. в г. Томске) – кандидат физико-математических наук, младший научный сотрудник научной лаборатории высокоинтенсивной имплантации ионов Исследовательской школы физики высокоэнергетических процессов Томского политехнического университета.
Биография
В 2011 г. окончила обучение по магистерской программе «Пучковые и плазменные технологии» с присвоением степени магистра физики.
В этом же году поступила в аспирантуру ТПУ на специальность 01.04.20 (Физика пучков заряженных частиц и ускорительная техника).
В 2015 г. защитила диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук на тему «Подавление макрочастиц вакуумной дуги при импульсно-периодическом потенциале смещения» по специальности 01.04.20 – физика пучков заряженных частиц и ускорительная техника.
В настоящее время работает младшим научным сотрудником в научной лаборатории высокоинтенсивной имплантации ионов Исследовательской школы физики высокоэнергетических процессов ТПУ.
Научная деятельность
Научная работа связана с исследованием закономерностей поведения макрочастиц вакуумной дуги при плазменно-иммерсионной ионной имплантации и осаждении покрытий.
Исследования Ивановой А.И. в последнее время посвящены физическим закономерностям влияния параметров высокочастотного короткоимпульсного потенциала смещения, плотности плазмы, материала катода, температуры мишени на уменьшение поверхностной плотности макрочастиц при ионно-плазменной обработке. Рассматривается комплекс исследований физических процессов, протекающих вблизи потенциальной мишени, погруженной в плазму вакуумно-дугового разряда.
Кроме того, исследования по удалению макрочастиц из плазменного потока и с поверхности мишени в применении для плазменно-иммерсионной имплантации ионов металлов с использованием высоковольтных высокочастотных короткоимпульсных потенциалов смещения являются перспективными.