Багинский Борис Антонович

Багинский Борис Антонович
Дата рождения:	21.01.1947 г.
Место рождения:	г. Талды-Курган Казахской ССР
Дата смерти:	03.08.2001 г.
Место смерти:	г. Томск
Научная сфера:	силовая электроника
Место работы:	ТПУ
Учёная степень:	доктор технических наук
Учёное звание:	профессор
Альма-матер:	ТПИ (ТПУ)

Багинский Борис Антонович (21.01.1947 г., г. Талды-Курган Казахской СССР – 03.08.2001 г., г. Томск) - российский ученый, специалист в области силовой электроники, доктор технических наук, профессор кафедры промышленной и медицинской электроники, чл.-корр. СО Академии наук высшей школы. В 1989 г. по 2001 г. руководил кафедрой промышленной и медицинской электроники Томского политехнического университета.

Биография

В 1969 г. окончил Томский политехнический институт по специальности «Промышленная электроника».

В 1971 - 1974 гг. обучался в аспирантуре ТПИ по специальности «Электрофизические установки и ускорители».

Вся последующая практическая деятельность связана с работой в ТПИ на кафедре промышленной и медицинской электроники в должностях ассистента,ь инженера, старшего преподавателя, доцента, ведущего научного сотрудника, заведующего кафедрой, по совместительству - младший научный сотрудник сектора малогабаритных бетатронов НИИ ЯФ, старший научный сотрудник НИИ ИН.

Кандидатскую диссертацию на тему «Разработка и исследование систем стабилизации питания импульсных бетатронов» защищена в 1974 г. в ТПИ, докторскую диссертацию на тему «Генераторы и преобразователи с индуктивно-ключевым формированием тока» - в 1995 г. в Институте сильноточной электроники СО РАН.

Непосредственными учителями на начальном этапе научной работы были профессора Л.М. Ананьев, доценты М.М. Штейн и Ю.П. Якушкин.

Почетный работник высшего образования РФ (1996).

88 печатных работ, 3 монографии.

Научная деятельность

Направления научных исследований – силовая электроника, системы питания электрофизической аппаратуры. Предложены и исследованы новые классы устройств силовой электроники, основой которых являются формирователи тока на базе индуктивно-ключевых структур. Они широко используются для создания магнитных полей, заряда емкостных накопителей, преобразования переменного напряжения в постоянное и наоборот, питания бетатронов, лазеров, электротехнологических установок.

Труды: Источники питания импульсно-периодических газовых лазеров// В кн.: Месяц Г.А., Осипов В.В., Тарасенко В.Ф. Импульсные газовые лазеры. – М.: Наука, 1991. – С. 216-245; Бестрансформаторные преобразователи переменного напряжения в постоянное. – Томск: Изд-во Томского ун-та, 1990. – 224с.; Импульсная техника на четырехслойных приборах. – Томск: ТПИ, 1974. –114с. (в соавторстве); получено 80 авторских свидетельств и патентов. Б. являлся научным руководителем «Сибрентгенцентра», организованного при кафедре с участием фирмы «Филипс».

Педагогическая деятельность

Основные учебные курсы: «Электронные цели непрерывного и импульсного действия»; «Энергетическая электроника»; «Модуляционные формирователи напряжения тока».

Награды

• Медаль ордена "За заслуги перед Отечеством" II ст. (2000).

• «Почетный изобретатель СССР».

Источники

1. А.В. Гагарин, В.Я. Ушаков. Профессора Томского политехнического университета 1991-1997 гг. – Томск: Изд-во НТЛ, 1998 – 292 стр.

2. http://za-kadry.tpu.ru/article/3081/1703.htm