Пешев Владимир Викторович: различия между версиями

Перейти к навигации Перейти к поиску

Пешев Владимир Викторович (посмотреть исходный код)

Версия от 04:25, 31 октября 2023

324 байта добавлено ,  31 октября 2023
нет описания правки
(Новая страница: « '''Пешев Владимир Викторович''' (р. 11.04.1948г., Амурская обл., г. Свободный) – доктор физико-ма…»)
 
Нет описания правки
 
(не показано 15 промежуточных версий этого же участника)
Строка 1: Строка 1:
   
{{Персона
'''Пешев Владимир Викторович''' (р. 11.04.1948г., Амурская обл., г. Свободный) – доктор физико-математических наук, профессор.
  |Имя                  = Пешев Владимир Викторович
|Оригинал имени      =
|Фото                = Image1648.jpg
|Ширина              = 200px
|Подпись              =
|Дата рождения      = 11.04.1948 г.
|Место рождения = г. Свободный


==Биография==


В 1970г. окончил Томский политехнический институт (ТПУ) по специальности "Физика твердого тела". Работал профессором кафедры естественно-научного образования (ЕНО) Юргинского технологического института (филиал) Томского политехнического университета.
| Дата смерти            = 
            | Место смерти      =
|Гражданство          =
|Научная сфера        = физика


==Научная деятельность==
|Место работы        = ТПУ


Направление научной деятельности: проблема взаимосвязи внешних и встроенных электрических полей с особенностями разделения, стабилизации, преобразования френкелевских дефектов и с особенностями экспериментального наблюдения дефектов в полупроводниках.
|Учёная степень      = доктор физико-математических наук
|Учёное звание        = профессор
|Альма-матер    = ТПИ (ТПУ)
|Научный руководитель =
|Знаменитые ученики 
|Награды и премии =
}}
'''Пешев Владимир Викторович''' (р. 11.04.1948 г., Амурская обл., г. Свободный) – доктор физико-математических наук, профессор.


Впервые установлены закономерности образования и отжига радиационных дефектов в области пространственного заряда (ОПЗ) полупроводниковых соединений GaAs и InP, радикально отличающиеся от указанных процессов в нейтральном объеме (НО). Разработаны физические модели этих процессов и их математическое описание. Полученные закономерности и модели являются научным вкладом в раздел физики твердого тела "Дефекты кристаллической решетки", а именно: развиты новые представления о процессах образования и отжига радиационных дефектов в соединениях A3B5 с учетом влияния зарядовых состояний компонентов пар Френкеля и динамики перезарядки дефектов.
==Биография==


Новые знания, полученные в данной работе, используются в теоретических и экспериментальных исследованиях по физике твердого тела.
В 1970 г. окончил [[ТПУ|Томский политехнический институт]] по специальности [[Физика твердого тела|"Физика твердого тела"]].  


==Публикации==
Работал профессором кафедры естественно-научного образования (ЕНО) Юргинского технологического института (филиал) Томского политехнического университета.


Общее число публикаций: 101.
==Научная деятельность==


Основные публикации:
Направление научной деятельности - проблема взаимосвязи внешних и встроенных электрических полей с особенностями разделения, стабилизации, преобразования френкелевских дефектов и с особенностями экспериментального наблюдения дефектов в полупроводниках.


Characterization of W-defect in electron-irradiated InP. / V.N. Brudnyi, V.V. Peshev, S.V. Smorodinov. / Physica status solidi (a), 1991, V.128, P.311-317.
Впервые установлены закономерности образования и отжига радиационных дефектов в области пространственного заряда (ОПЗ) полупроводниковых соединений GaAs и InP, радикально отличающиеся от указанных процессов в нейтральном объеме (НО). Разработаны физические модели этих процессов и их математическое описание. Полученные закономерности и модели являются научным вкладом в раздел физики твердого тела "Дефекты кристаллической решетки", а именно: развиты новые представления о процессах образования и отжига радиационных дефектов в соединениях A3B5 с учетом влияния зарядовых состояний компонентов пар Френкеля и динамики перезарядки дефектов.


Радиационное дефектообразование в электрических полях: GaAs и InP/Брудный В.Н., Пешев В.В,
Новые знания, полученные в данной работе, используются в теоретических и экспериментальных исследованиях по физике твердого тела.
Суржиков А.П. -Новосибирск: Наука, 2001. -136 с.
 
The broad midgap deep-level transient spectroscopy band in proton (63 MeV) and fast neutron-irradiated n-GaAs. / V.V. Peshev, V.N. Brudnyi, A.V. Gradoboev. / Phys. stat. sol.(b), 1999, V.212, P.229-239.
 
Influence of Electronic (Charge) State of E Traps on Their Introduction Rate in Irradiated n-GaAs. / V.N. Brudnyi, V.V. Peshev. / Semiconductors. – 2003. – V. 37. – N. 1. – P. 20-27.
 
The U-Peak in the DLTS Spectra of n-GaAs Irradiated with Fast Neutrons and 65-MeV Protons. /
V.N. Brudnyi, V.V. Peshev. / Semiconductors. – 2003. – V. 37. – N. 2. – P. 140-144.
 
Annealing of radiation-induced defects in n-GaAs. / V.V. Peshev / Russian Physics Journal. 2004. –V. 47, –N 10. –P. 1087–1090.
 
A bistable defect in InP. / V.V. Peshev / Russian Physics Journal. 2005. –V. 48, –N 4. –P. 417 422.
 
E10 center (EC – 0.62 eV) in InP irradiated by gamma-quanta and electrons. / V.V. Peshev / Russian Physics Journal. 2005. –V. 48, –N 5. –P. 541 543.


==Ссылки==
==Ссылки==
Строка 43: Строка 44:


http://elib.tomsk.ru/purl/1-5982/
http://elib.tomsk.ru/purl/1-5982/
[[Категория:Родившиеся 11 апреля]]
[[Категория:Родившиеся в 1948 году]]
[[Категория:выпускники]]
[[Категория:Выпускники 1970 года]]
[[Категория:Выпускники по специальности "Физика твердого тела"]]
[[Категория:Физики]]
[[Категория:Профессора]]
[[Категория:Доктора физико-математических наук]]
[[Категория:Томские ученые]]
[[Категория:Сотрудники Юргинского технологического института Томского политехнического университета]]
[[Категория:профессора кафедры естественно-научного образования]]
Источник — https://wiki.tpu.ru/wiki/Служебная:Сравнение_версий/14228...129399

Навигация