Пешев Владимир Викторович
Пешев Владимир Викторович (р. 11.04.1948г., Амурская обл., г. Свободный) – доктор физико-математических наук, профессор.
Биография
В 1970г. окончил Томский политехнический институт (ТПУ) по специальности "Физика твердого тела". Работал профессором кафедры естественно-научного образования (ЕНО) Юргинского технологического института (филиал) Томского политехнического университета.
Научная деятельность
Направление научной деятельности: проблема взаимосвязи внешних и встроенных электрических полей с особенностями разделения, стабилизации, преобразования френкелевских дефектов и с особенностями экспериментального наблюдения дефектов в полупроводниках.
Впервые установлены закономерности образования и отжига радиационных дефектов в области пространственного заряда (ОПЗ) полупроводниковых соединений GaAs и InP, радикально отличающиеся от указанных процессов в нейтральном объеме (НО). Разработаны физические модели этих процессов и их математическое описание. Полученные закономерности и модели являются научным вкладом в раздел физики твердого тела "Дефекты кристаллической решетки", а именно: развиты новые представления о процессах образования и отжига радиационных дефектов в соединениях A3B5 с учетом влияния зарядовых состояний компонентов пар Френкеля и динамики перезарядки дефектов.
Новые знания, полученные в данной работе, используются в теоретических и экспериментальных исследованиях по физике твердого тела.
Публикации
Общее число публикаций: 101.
Основные публикации:
Characterization of W-defect in electron-irradiated InP. / V.N. Brudnyi, V.V. Peshev, S.V. Smorodinov. / Physica status solidi (a), 1991, V.128, P.311-317.
Радиационное дефектообразование в электрических полях: GaAs и InP/Брудный В.Н., Пешев В.В, Суржиков А.П. -Новосибирск: Наука, 2001. -136 с.
The broad midgap deep-level transient spectroscopy band in proton (63 MeV) and fast neutron-irradiated n-GaAs. / V.V. Peshev, V.N. Brudnyi, A.V. Gradoboev. / Phys. stat. sol.(b), 1999, V.212, P.229-239.
Influence of Electronic (Charge) State of E Traps on Their Introduction Rate in Irradiated n-GaAs. / V.N. Brudnyi, V.V. Peshev. / Semiconductors. – 2003. – V. 37. – N. 1. – P. 20-27.
The U-Peak in the DLTS Spectra of n-GaAs Irradiated with Fast Neutrons and 65-MeV Protons. / V.N. Brudnyi, V.V. Peshev. / Semiconductors. – 2003. – V. 37. – N. 2. – P. 140-144.
Annealing of radiation-induced defects in n-GaAs. / V.V. Peshev / Russian Physics Journal. 2004. –V. 47, –N 10. –P. 1087–1090.
A bistable defect in InP. / V.V. Peshev / Russian Physics Journal. 2005. –V. 48, –N 4. –P. 417 422.
E10 center (EC – 0.62 eV) in InP irradiated by gamma-quanta and electrons. / V.V. Peshev / Russian Physics Journal. 2005. –V. 48, –N 5. –P. 541 543.