133 804
правки
Пешев Владимир Викторович: различия между версиями
Перейти к навигации
Перейти к поиску
нет описания правки
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
| Строка 33: | Строка 33: | ||
==Научная деятельность== | ==Научная деятельность== | ||
Направление научной деятельности | Направление научной деятельности - проблема взаимосвязи внешних и встроенных электрических полей с особенностями разделения, стабилизации, преобразования френкелевских дефектов и с особенностями экспериментального наблюдения дефектов в полупроводниках. | ||
Впервые установлены закономерности образования и отжига радиационных дефектов в области пространственного заряда (ОПЗ) полупроводниковых соединений GaAs и InP, радикально отличающиеся от указанных процессов в нейтральном объеме (НО). Разработаны физические модели этих процессов и их математическое описание. Полученные закономерности и модели являются научным вкладом в раздел физики твердого тела "Дефекты кристаллической решетки", а именно: развиты новые представления о процессах образования и отжига радиационных дефектов в соединениях A3B5 с учетом влияния зарядовых состояний компонентов пар Френкеля и динамики перезарядки дефектов. | Впервые установлены закономерности образования и отжига радиационных дефектов в области пространственного заряда (ОПЗ) полупроводниковых соединений GaAs и InP, радикально отличающиеся от указанных процессов в нейтральном объеме (НО). Разработаны физические модели этих процессов и их математическое описание. Полученные закономерности и модели являются научным вкладом в раздел физики твердого тела "Дефекты кристаллической решетки", а именно: развиты новые представления о процессах образования и отжига радиационных дефектов в соединениях A3B5 с учетом влияния зарядовых состояний компонентов пар Френкеля и динамики перезарядки дефектов. | ||