Пешев Владимир Викторович: различия между версиями
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
Строка 45: | Строка 45: | ||
http://elib.tomsk.ru/purl/1-5982/ | http://elib.tomsk.ru/purl/1-5982/ | ||
[[Категория:выпускники]] | [[Категория:выпускники]] | ||
[[Категория:Физики]] | |||
[[Категория:Доктора физико-математических наук]] | [[Категория:Доктора физико-математических наук]] |
Версия от 09:29, 23 мая 2020
Пешев Владимир Викторович (р. 11.04.1948г., Амурская обл., г. Свободный) – доктор физико-математических наук, профессор.
Биография
В 1970 г. окончил Томский политехнический институт по специальности "Физика твердого тела".
Работал профессором кафедры естественно-научного образования (ЕНО) Юргинского технологического института (филиал) Томского политехнического университета.
Научная деятельность
Направление научной деятельности: проблема взаимосвязи внешних и встроенных электрических полей с особенностями разделения, стабилизации, преобразования френкелевских дефектов и с особенностями экспериментального наблюдения дефектов в полупроводниках.
Впервые установлены закономерности образования и отжига радиационных дефектов в области пространственного заряда (ОПЗ) полупроводниковых соединений GaAs и InP, радикально отличающиеся от указанных процессов в нейтральном объеме (НО). Разработаны физические модели этих процессов и их математическое описание. Полученные закономерности и модели являются научным вкладом в раздел физики твердого тела "Дефекты кристаллической решетки", а именно: развиты новые представления о процессах образования и отжига радиационных дефектов в соединениях A3B5 с учетом влияния зарядовых состояний компонентов пар Френкеля и динамики перезарядки дефектов.
Новые знания, полученные в данной работе, используются в теоретических и экспериментальных исследованиях по физике твердого тела.