Пешев Владимир Викторович: различия между версиями
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
| Строка 27: | Строка 27: | ||
==Биография== | ==Биография== | ||
В 1970 г. окончил [[ТПУ|Томский политехнический институт]] по специальности "Физика твердого тела". | В 1970 г. окончил [[ТПУ|Томский политехнический институт]] по специальности [[Физика твердого тела|"Физика твердого тела"]]. | ||
Работал профессором кафедры естественно-научного образования (ЕНО) Юргинского технологического института (филиал) Томского политехнического университета. | Работал профессором кафедры естественно-научного образования (ЕНО) Юргинского технологического института (филиал) Томского политехнического университета. | ||
Версия от 03:56, 20 апреля 2023
| Пешев Владимир Викторович | |
 | |
| Дата рождения: |
11.04.1948 г. |
|---|---|
| Место рождения: |
г. Свободный |
| Научная сфера: |
физика |
| Место работы: |
ТПУ |
| Учёная степень: |
доктор физико-математических наук |
| Учёное звание: |
профессор |
| Альма-матер: |
ТПИ (ТПУ) |
Пешев Владимир Викторович (р. 11.04.1948 г., Амурская обл., г. Свободный) – доктор физико-математических наук, профессор.
Биография
В 1970 г. окончил Томский политехнический институт по специальности "Физика твердого тела".
Работал профессором кафедры естественно-научного образования (ЕНО) Юргинского технологического института (филиал) Томского политехнического университета.
Научная деятельность
Направление научной деятельности - проблема взаимосвязи внешних и встроенных электрических полей с особенностями разделения, стабилизации, преобразования френкелевских дефектов и с особенностями экспериментального наблюдения дефектов в полупроводниках.
Впервые установлены закономерности образования и отжига радиационных дефектов в области пространственного заряда (ОПЗ) полупроводниковых соединений GaAs и InP, радикально отличающиеся от указанных процессов в нейтральном объеме (НО). Разработаны физические модели этих процессов и их математическое описание. Полученные закономерности и модели являются научным вкладом в раздел физики твердого тела "Дефекты кристаллической решетки", а именно: развиты новые представления о процессах образования и отжига радиационных дефектов в соединениях A3B5 с учетом влияния зарядовых состояний компонентов пар Френкеля и динамики перезарядки дефектов.
Новые знания, полученные в данной работе, используются в теоретических и экспериментальных исследованиях по физике твердого тела.