134 159
правок
Физика твердого тела: различия между версиями
Перейти к навигации
Перейти к поиску
нет описания правки
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
| (не показаны 4 промежуточные версии этого же участника) | |||
| Строка 17: | Строка 17: | ||
В 1961 г. в [[ТПУ|Томском политехническом институте]] состоялась первая межвузовская конференция по проблемам радиационной физики твердого тела. В ней участвовало много специалистов из всех регионов страны, многие из которых стали в будущем ведущими в этой области, а томская научная школа радиационной физики диэлектриков - одной из передовых. | В 1961 г. в [[ТПУ|Томском политехническом институте]] состоялась первая межвузовская конференция по проблемам радиационной физики твердого тела. В ней участвовало много специалистов из всех регионов страны, многие из которых стали в будущем ведущими в этой области, а томская научная школа радиационной физики диэлектриков - одной из передовых. | ||
Профессор [[Мелик-Гайказян Ирина Яковлевна|И.Я. Мелик-Гайказян]] с сотрудниками исследовала возникновение и накопление оптически активных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах - центров окраски - под действием разного вида излучений и обнаружила сильное влияние примесей на этот процесс. Известно, что изменение свойств твердых тел под действием излучений происходит именно благодаря возникновению и накоплению дефектов, И.Я. Мелик-Гайказян и доцент С.У. Гольденберг выполнили первые в нашей стране исследования возникновения центров окраски в нитевидных кристаллах, которые обладают высочайшим совершенством (иногда не содержат ни одной краевой дислокации) и механической прочностью. | Профессор [[Мелик-Гайказян Ирина Яковлевна|И.Я. Мелик-Гайказян]] с сотрудниками исследовала возникновение и накопление оптически активных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах - центров окраски - под действием разного вида излучений и обнаружила сильное влияние примесей на этот процесс. Известно, что изменение свойств твердых тел под действием излучений происходит именно благодаря возникновению и накоплению дефектов, [[Мелик-Гайказян Ирина Яковлевна|И.Я. Мелик-Гайказян]] и доцент С.У. Гольденберг выполнили первые в нашей стране исследования возникновения центров окраски в нитевидных кристаллах, которые обладают высочайшим совершенством (иногда не содержат ни одной краевой дислокации) и механической прочностью. | ||
Были разработаны методы выращивания нитевидных кристаллов из газовой фазы и водных растворов, тонкие физические методы и аппаратура для их исследования. | Были разработаны методы выращивания нитевидных кристаллов из газовой фазы и водных растворов, тонкие физические методы и аппаратура для их исследования. | ||
| Строка 49: | Строка 49: | ||
Были впервые созданы и описаны в научной литературе две экспериментальные установки. В первой синхронизированы с наносекундной точностью два сильноточных микроускорителя и регистрирующая быстродействующая аппаратура - оптическая, электрофизическая и акустическая. Во второй синхронизированы сильноточный миниускоритель, мощный пикосекундныйлазер и регистрирующая оптическая аппаратура. С помощью созданной аппаратуры был проведен ряд уникальных научных экспериментов. Таким образом, спустя полвека на более высоком методическом уровне был воспроизведен классический эксперимент, впервые выполненный [[Тартаковский Петр Саввич|П.С. Тартаковским]] и [[Воробьев Александр Акимович|А.А. Воробьевым]]: диэлектрик облучался ионизирующим излучением в сильном электрическом поле. | Были впервые созданы и описаны в научной литературе две экспериментальные установки. В первой синхронизированы с наносекундной точностью два сильноточных микроускорителя и регистрирующая быстродействующая аппаратура - оптическая, электрофизическая и акустическая. Во второй синхронизированы сильноточный миниускоритель, мощный пикосекундныйлазер и регистрирующая оптическая аппаратура. С помощью созданной аппаратуры был проведен ряд уникальных научных экспериментов. Таким образом, спустя полвека на более высоком методическом уровне был воспроизведен классический эксперимент, впервые выполненный [[Тартаковский Петр Саввич|П.С. Тартаковским]] и [[Воробьев Александр Акимович|А.А. Воробьевым]]: диэлектрик облучался ионизирующим излучением в сильном электрическом поле. | ||
==НИИ ядерной физики== | ==НИИ ядерной физики и НИИ интроскопии== | ||
Крупные фундаментальные и прикладные исследования по другим направлениям, в частности, физике ядра, разработке ускорителей заряженных частиц и их использованию в науке и практике проводились в лабораториях [[НИИ ядерной физики при ТПУ|Института ядерной физики]], а также [[НИИ интроскопии при ТПУ|Института интроскопии]], в котором были сосредоточены работы по созданию и исследованию индукционных ускорителей электронов - бетатронов. | |||
[[НИИ ядерной физики при ТПУ|Научно-исследовательский институт ядерной физики]] (до 1975 г. - Научно-исследовательский институт ядерной физики, электроники и автоматики) был открыт в 1958 г. с целью развития и проведения научно-исследовательских работ в области ядерной физики, а также подготовки научных кадров. | |||
В институте был создан уникальный комплекс ускорителей с широким диапазоном энергий ускоренных частиц: электронный синхротрон на 1500 МэВ, [[Циклотроны в ТПУ|циклотрон]] с диаметром полюсов 1,2 м, электростатический генератор на 2,5 МэВ, сильноточные электронные и ионные ускорители, криогенное оборудование (разработка бетатронов была передана в НИИ интроскопии). В НИИ ядерной физики при ТПИ был построен исследовательский [[Ядерный реактор ИРТ-1000|ядерный реактор]] на 6 МэВ. | |||
На этих установках проводятся исследования по физике элементарных частиц и ядерной физике, поиску и исследованию новых видов электромагнитного излучения, радиационному материаловедению, сверхпроводимости, разработке и использованию ядерно-физических и атомных методов анализа. | |||
Таким образом, сформировались следующие основные научные направления: | |||
- разработка и создание ускорителей заряженных частиц и других излучательных установок и их использование в науке и практике; | |||
- экспериментальные и теоретические исследования по ядерной физике и физике элементарных частиц. | |||
==Современность== | ==Современность== | ||
[[Суржиков Анатолий Петрович|Суржиков Анатолий Петрович]] – доктор физико-математических наук, профессор, руководитель Отделения контроля и диагностики Инженерной школы неразрушающего контроля и безопасности, главный научный сотрудник Проблемной научно-исследовательской лаборатории электроники, диэлектриков и полупроводников Томского политехнического университета, Заслуженный деятель науки РФ, является руководителем научной школы «Физика твердого тела: физические явления в диэлектриках и полупроводниках при различных видах энергетического возбуждения». | [[Суржиков Анатолий Петрович|Суржиков Анатолий Петрович]] – доктор физико-математических наук, профессор, руководитель Отделения контроля и диагностики Инженерной школы неразрушающего контроля и безопасности, главный научный сотрудник Проблемной научно-исследовательской лаборатории электроники, диэлектриков и полупроводников [[ТПУ|Томского политехнического университета]], Заслуженный деятель науки РФ, является руководителем научной школы «Физика твердого тела: физические явления в диэлектриках и полупроводниках при различных видах энергетического возбуждения». | ||
==Литература== | ==Литература== | ||
Становление и развитие научных школ [[ТПУ|Томского политехнического университета]]: Исторический очерк/под ред. [[Похолков Юрий Петрович|Ю.П. Похолкова]], [[Ушаков Василий Яковлевич|В.Я. Ушакова]]. - Томск: ТПУ, 1996. | |||