Пешев Владимир Викторович: различия между версиями
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
| (не показано 12 промежуточных версий этого же участника) | |||
| Строка 3: | Строка 3: | ||
|Оригинал имени = | |Оригинал имени = | ||
|Фото = Image1648.jpg | |Фото = Image1648.jpg | ||
|Ширина = | |Ширина = 200px | ||
|Подпись = | |Подпись = | ||
|Дата рождения = 11.04.1948 г. | |Дата рождения = 11.04.1948 г. | ||
| Строка 23: | Строка 23: | ||
|Награды и премии = | |Награды и премии = | ||
}} | }} | ||
'''Пешев Владимир Викторович''' (р. 11.04. | '''Пешев Владимир Викторович''' (р. 11.04.1948 г., Амурская обл., г. Свободный) – доктор физико-математических наук, профессор. | ||
==Биография== | ==Биография== | ||
В 1970 г. окончил Томский политехнический институт по специальности "Физика твердого тела". | В 1970 г. окончил [[ТПУ|Томский политехнический институт]] по специальности [[Физика твердого тела|"Физика твердого тела"]]. | ||
Работал профессором кафедры естественно-научного образования (ЕНО) Юргинского технологического института (филиал) Томского политехнического университета. | Работал профессором кафедры естественно-научного образования (ЕНО) Юргинского технологического института (филиал) Томского политехнического университета. | ||
| Строка 33: | Строка 33: | ||
==Научная деятельность== | ==Научная деятельность== | ||
Направление научной деятельности | Направление научной деятельности - проблема взаимосвязи внешних и встроенных электрических полей с особенностями разделения, стабилизации, преобразования френкелевских дефектов и с особенностями экспериментального наблюдения дефектов в полупроводниках. | ||
Впервые установлены закономерности образования и отжига радиационных дефектов в области пространственного заряда (ОПЗ) полупроводниковых соединений GaAs и InP, радикально отличающиеся от указанных процессов в нейтральном объеме (НО). Разработаны физические модели этих процессов и их математическое описание. Полученные закономерности и модели являются научным вкладом в раздел физики твердого тела "Дефекты кристаллической решетки", а именно: развиты новые представления о процессах образования и отжига радиационных дефектов в соединениях A3B5 с учетом влияния зарядовых состояний компонентов пар Френкеля и динамики перезарядки дефектов. | Впервые установлены закономерности образования и отжига радиационных дефектов в области пространственного заряда (ОПЗ) полупроводниковых соединений GaAs и InP, радикально отличающиеся от указанных процессов в нейтральном объеме (НО). Разработаны физические модели этих процессов и их математическое описание. Полученные закономерности и модели являются научным вкладом в раздел физики твердого тела "Дефекты кристаллической решетки", а именно: развиты новые представления о процессах образования и отжига радиационных дефектов в соединениях A3B5 с учетом влияния зарядовых состояний компонентов пар Френкеля и динамики перезарядки дефектов. | ||
| Строка 44: | Строка 44: | ||
http://elib.tomsk.ru/purl/1-5982/ | http://elib.tomsk.ru/purl/1-5982/ | ||
[[Категория:Родившиеся 11 апреля]] | |||
[[Категория:Родившиеся в 1948 году]] | |||
[[Категория:выпускники]] | [[Категория:выпускники]] | ||
[[Категория:Выпускники 1970 года]] | |||
[[Категория:Выпускники по специальности "Физика твердого тела"]] | |||
[[Категория:Физики]] | |||
[[Категория:Профессора]] | |||
[[Категория:Доктора физико-математических наук]] | [[Категория:Доктора физико-математических наук]] | ||
[[Категория:Томские ученые]] | |||
[[Категория:Сотрудники Юргинского технологического института Томского политехнического университета]] | |||
[[Категория:профессора кафедры естественно-научного образования]] | |||
Текущая версия от 04:25, 31 октября 2023
| Пешев Владимир Викторович | |
 | |
| Дата рождения: |
11.04.1948 г. |
|---|---|
| Место рождения: |
г. Свободный |
| Научная сфера: |
физика |
| Место работы: |
ТПУ |
| Учёная степень: |
доктор физико-математических наук |
| Учёное звание: |
профессор |
| Альма-матер: |
ТПИ (ТПУ) |
Пешев Владимир Викторович (р. 11.04.1948 г., Амурская обл., г. Свободный) – доктор физико-математических наук, профессор.
Биография
В 1970 г. окончил Томский политехнический институт по специальности "Физика твердого тела".
Работал профессором кафедры естественно-научного образования (ЕНО) Юргинского технологического института (филиал) Томского политехнического университета.
Научная деятельность
Направление научной деятельности - проблема взаимосвязи внешних и встроенных электрических полей с особенностями разделения, стабилизации, преобразования френкелевских дефектов и с особенностями экспериментального наблюдения дефектов в полупроводниках.
Впервые установлены закономерности образования и отжига радиационных дефектов в области пространственного заряда (ОПЗ) полупроводниковых соединений GaAs и InP, радикально отличающиеся от указанных процессов в нейтральном объеме (НО). Разработаны физические модели этих процессов и их математическое описание. Полученные закономерности и модели являются научным вкладом в раздел физики твердого тела "Дефекты кристаллической решетки", а именно: развиты новые представления о процессах образования и отжига радиационных дефектов в соединениях A3B5 с учетом влияния зарядовых состояний компонентов пар Френкеля и динамики перезарядки дефектов.
Новые знания, полученные в данной работе, используются в теоретических и экспериментальных исследованиях по физике твердого тела.
Ссылки
- Родившиеся 11 апреля
- Родившиеся в 1948 году
- Выпускники
- Выпускники 1970 года
- Выпускники по специальности "Физика твердого тела"
- Физики
- Профессора
- Доктора физико-математических наук
- Томские ученые
- Сотрудники Юргинского технологического института Томского политехнического университета
- Профессора кафедры естественно-научного образования