Месяц Геннадий Андреевич: различия между версиями

В сентябре 1977г. отдел сильноточной электроники ИОА СО АН СССР был преобразован в самостоятельный Институт сильноточной электроники – ИСЭ СО АН СССР. Директором его стал М.

   

Под его руководством в этом институте были продолжены фундаментальные исследования в области получения интенсивных пучков заряженных частиц и разработки приборов, в которых используются эти пучки. Получение электронных пучков разной длительности и формы – одна из основных задач сильноточной электроники. Прежние методы их получения, связанные с термоэлектронной, автоэлектронной эмиссиями, оказались неприемлемы. На помощь пришла взрывная электронная эмиссия. В 1982г. была доказана возможность получения мощных пучков не только наносекундной, но и микросекундной длительности и сечением более 1 м2. В Институте был создан самый мощный в стране микросекундный ускоритель электронов с трубчатым пучком. В отделе Ю.И. Бычкова были получены принципиально новые результаты по лазерной технике, разработаны методы создания устойчивых объемных разрядов при высоком давлении газа, которые лежат в основе накачки мощных газовых лазеров, решены также многие др. проблемы, связанные с энергетикой таких систем. Эти работы привели к появлению нового направления – инжекционной газовой электроники.

   

Исследования руководителя лаборатории профессора ТПИ Д.И. Вайсбурда в области физики твердого тела открыли целый ряд новых физических явлений: новый вид свечения диэлектриков, внутризонная люминисценция, новый вид  электрической проводимости диэлектриков и др. Все это положило начало еще одному новому направлению – высокоэнергетической электронике твердого тела.  

Открытие взрывной эмиссии электронов и развитие мощной импульсной техники способствовали возникновению релятивистской высокочастотной электроники. Совместно с учеными МГУ были проведены исследования по генерации  СВЧ-излучения в сверхразмерных волноводах, установлена возможность получения его с высокой энергетической эффективностью. Доказана перспективность использования сверхпроводящих  магнитов для улучшения работы СВЧ-устройств.

Коллективом Института был создан ряд уникальных приборов  и испытательных стендов, которые нашли широкое применение  в научных исследованиях  и промышленности. Это удалось сдедать благодаря связям института с заинтересованными организациями.  В Институте были созданы  3 отраслевые лаборатории, которые  сыграли важную роль во внедрении научных идей  в производсво. Так, на протяжении ряда лет шло успешное сотрудничество с Ленинград. НПО «Буревестник» по созданию  импульсных малогабаритных рентгеновских аппаратов. Разработки были доведены до серийного производства. В это же время на 35 предприятиях  страны были внедрены, созданные в институте или по его разработке, плазменные электронно-лучевые системы. В отделе сильноточной электроники СКБ НПО «Оптика» СО АН СССР  на основе концепции взрывной эмиссии созданы  малогабаритные рантгеновские дефектоскопы «Рита» и «Радан» для неразрушающего контроля сварных швов при строительстве  и ремонте магистральных газопроводов, компрессорных станций. Совместно с ТУСУРом под руководством профессора Ю.Е. Крейнделя разработаны  новые источники электронов с плазменными эмиттерами  и создан принципиально новый класс импульсных  сварочных устройств.  

В ИСЭ был создан оргинальный технологический стенд мощностью в 100 киловатт, позволяющий проводить сварку изделий, термообработку, спекание порошков различных типов. Стенд использовался специалистами на ряде предприятий г. Томска.

[[Файл:Pb1.jpg|250px|right|thumb]]

[[Файл:IEF.jpg|250px|right|thumb|Институт электрофизики УрО РАН]]

В 1987г. по инициативе М. было создано Уральское отделение АН СССР. В 1986г. был открыт Институт электрофизики УрО АН СССР, директором которого стал М.