Градобоев Александр Васильевич: различия между версиями

Перейти к навигации Перейти к поиску

Градобоев Александр Васильевич (посмотреть исходный код)

Версия от 07:58, 14 февраля 2019

1765 байт убрано ,  14 февраля 2019
нет описания правки
Нет описания правки
Нет описания правки
Строка 4: Строка 4:
|Оригинал имени      =  
|Оригинал имени      =  
  |Фото                = Gradabaev.png
  |Фото                = Gradabaev.png
  |Ширина              =  
  |Ширина              = 150px
  |Подпись              =  
  |Подпись              =  
  |Дата рождения        =  20.03.1952 г.
  |Дата рождения        =  20.03.1952 г.
Строка 15: Строка 15:
|Учёная степень      = доктор технических наук
|Учёная степень      = доктор технических наук
|Учёное звание        = профессор
|Учёное звание        = профессор
  |Альма-матер          = ТПИ (ТПУ)
  |Альма-матер          = ТПИ  
|Научный руководитель =  
|Научный руководитель =  
  |Знаменитые ученики  =
  |Знаменитые ученики  =
|Награды и премии    =  
|Награды и премии    =  
}}
}}
'''Градобоев Александр Васильевич''' (р. 20.03.1952 г., п. Бурея Амурской обл., РСФСР, СССР) – доктор технических наук, профессор кафедры естественно-научного образования (ЕНО) ЮТИ ТПУ.
'''Градобоев Александр Васильевич''' (р. 20.03.1952 г., п. Бурея Амурской обл., РСФСР, СССР) – доктор технических наук, профессор Отделения контроля и диагностики [[Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности|Инженерной школы неразрушающего контроля и безопасности]]    [[ТПУ|Томского политехнического университета]].
==Биография==
 
В 1969 г. после окончания средней школы №2 в поселке Бурея Амурской области поступил на электрофизический факультет Томского политехнического института. Специализировался по кафедре «Физика твердого тела». По окончании института была присвоена квалификация «инженер-физик» по специальности «радиационная физика».


==Биография==
В 1974 − 1975 гг. работал в проблемной научно-исследовательской лаборатории «Электрики диэлектриков и полупроводников (ПНИЛ ЭД и П) при ТПИ в должности инженера.


В 1969 г. после окончания средней школы №2 в поселке Бурея Амурской области поступил на электрофизический факультет Томского политехнического института. Специализировался по кафедре «Физика твердого тела» (заведующая – профессор Е.К. Завадовская (1913-2004гг.), являлась одним из организаторов проблемной лаборатории электроники, диэлектриков и полупроводников (ЭДИП), отделов, специализаций и кафедр – физики твердого тела, теплофизики, светотехники, физики горных пород, радиационной физики ТПИ; принимала участие в организации и была директором НИИ радиационной физики при ТПИ; в 1967г. была избрана на должность заведующей кафедрой физики твердого тела ТПИ). По окончании института была присвоена квалификация «инженер-физик» по специальности «радиационная физика».
В 1975 - 1977 гг. − инженер, старший инженер в научно-исследовательском институте полупроводниковых приборов (Томск)


В 1974−1975 гг. работал в проблемной научно-исследовательской лаборатории «Электрики диэлектриков и полупроводников (ПНИЛ ЭД и П) при ТПИ в ТПИ в должности инженера.
После службы в армии возвратился в НИИ ПП в качестве ведущего инженера лаборатории физических исследований.


В 1975-1977 гг. − инженер, старший инженер в научно-исследовательском институте полупроводниковых приборов (в настоящее время ОАО НИИ ПП, г. Томск).
С 1988 г., будучи с.н.с., начальником лаборатории специспытаний, руководил службой радиационной безопасности этого института.
После службы в армии (1977−1979 гг.) возвратился в НИИ ПП в качестве ведущего инженера лаборатории физических исследований.


С 1988 г. будучи с.н.с., начальником лаборатории специспытаний, руководил службой радиационной безопасности этого института.
В 2004 2018 гг. – профессор кафедры естественно-научного образования Юргинского технологического института ТПУ.


С 2004г. – профессор кафедры естественно-научного образования Юргинского технологического института Томского политехнического университета. [1][2][3]
С 2018 г. - профессор Отделения контроля и диагностики.  


Кандидатская диссертация «Разработка методов контроля пригодности эпитаксильного арсенида галлия для изготовления диодов Ганна сантиметрового диапазона длин волн» защищена в 1988 г.
Кандидатская диссертация «Разработка методов контроля пригодности эпитаксильного арсенида галлия для изготовления диодов Ганна сантиметрового диапазона длин волн» защищена в 1988 г.


Докторская диссертацимя на тему «Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия» защишена в 2003г. в ученом совете ТПУ.
Докторская диссертацимя на тему «Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия» защишена в 2003 г. в ученом совете ТПУ.


==Научная деятельность==
==Научная деятельность==


Областью научных интересов является физика полупроводников, исследование и испытание полупроводниковых приборов и другой электронной техники оборонного и гражданского назначения; медицинская физика и практика физиотерапии, разработка электронной аппаратуры и методов лечения ряда заболеваний; теория твердого тела и конденсированных сред, пластичность и разрушение веществ; поиск неизвестных закономерностей, скрытых в периодической системе Д.И. Менделеева.
Специалист в области исследований и испытаний полупроводников и полупроводниковых приборов. Занимаюсь исследованиями в области медицинской физики. Опубликовано более 65 работ в открытой печати (включая 9 авторских свидетельств и патентов, одну монографию), 8 работ в закрытой печати (включая 3 патента), ответственный исполнитель и соисполнитель 20 НИОКР, главный конструктор 1 ОКР и научный руководитель 8 НИР (эти работы выполнены в НИИПП). Разработал несколько промышленных установок («Бриг», «Диагностика» и др.), которые используются в условиях серийного производства изделий электронной техники на предприятиях России. Неоднократно признавался лучшим изобретателем НИИПП.  
 
Одно из последних направлений исследований - закономерность строения вещества. [1][4]
 
==Труды==
 
Основные публикации:
 
Градобоев А.В., Суржиков А,П, Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия. – Томск: Изд. ТПУ, 2005. – 277 с.
 
Градобоев А.В. Радиационная стойкость арсенида галлия I. Быстрые нейтроны и протоны / Перспективные материалы. – 2005, №3. – С.22 – 30.
 
Градобоев А.В., Рубанов П.В. Комбинированное облучение быстрыми нейтронами и электронами светодиодов на основе AlGaAs / Всероссийская ежегодная научно-практ. конф. «Радиационная стойкость электронных систем (Стойкость-2006)» - Москва, 2006 г.
 
Градобоев А.В., Рубанов П.В. Комбинированное облучение гетероструктур AlGaAs / «GaAs-2006». – Томск, ТГУ, 2006. – С. 389-392.  


==Награды==
==Награды==
Строка 61: Строка 49:
Награжден многочисленными наградами, благодарственными письмами и почетными грамотами, в том числе: медалью «60 лет ВС СССР» (1977 г.) Краснознаменный Белорусский военный округ; званием «Кадровый работник − ветеран предприятия» (НИИ ПП, 1999 г.).
Награжден многочисленными наградами, благодарственными письмами и почетными грамотами, в том числе: медалью «60 лет ВС СССР» (1977 г.) Краснознаменный Белорусский военный округ; званием «Кадровый работник − ветеран предприятия» (НИИ ПП, 1999 г.).


==Источники==
==Ссылки==
 
http://portal.tpu.ru/SHARED/g/GAVA
1.http://uti.tpu.ru/edu/chairs/eno/teachereno3.php
 
2.http://www.yurga.org/news.html?&nwid=1553&nwpg=86
 
3. А.В. Гагарин «Профессора Томского политехнического университета»; т. 3, ч. 1 - Томск: Изд-во ТПУ, 2005-326 с.


4.http://www.yugs.ru/novosti_2012/novosti_yurgi_yurginskogo_rajona1/yuti_tpu_pozdravlyaet_professora_a_v_gradoboeva/
[[Категория:выпускники]]
[[Категория:преподаватели]]
[[Категория:профессора ТПУ]]
Источник — https://wiki.tpu.ru/wiki/Служебная:Сравнение_версий/36183

Навигация