Лопатин Владимир Васильевич: различия между версиями

Перейти к навигации Перейти к поиску
нет описания правки
Нет описания правки
Нет описания правки
Строка 128: Строка 128:
==Научная деятельность==
==Научная деятельность==


Руководитель научной школы "[[Электрический разряд в диэлектриках|Электрический разряд в диэлектриках]]".
Был руководителем научной школы "[[Электрический разряд в диэлектриках|Электрический разряд в диэлектриках]]".


Основным направлением научной деятельности Лопатина является физика диэлектриков, область материаловедения высокотемпературной керамики: изучение электронного строения, дефектов нитридных материалов, определение связи  диэлектрических  и оптических свойств с их структурой, исследования радиационных изменений свойств. Результаты этих исследований использованы при создании лазеров на парах меди, защиты первой стенки и диагностических элементов термоядерной установки (Токамак), изоляторов плазменных двигателей космических аппаратов, уникального измерительного комплекса для исследований и контроля диэлектрических свойств материалов при температурах до двух тысяч градусов.  
Основное направление научной деятельности - физика диэлектриков, область материаловедения высокотемпературной керамики: изучение электронного строения, дефектов нитридных материалов, определение связи  диэлектрических  и оптических свойств с их структурой, исследования радиационных изменений свойств. Результаты этих исследований использованы при создании лазеров на парах меди, защиты первой стенки и диагностических элементов термоядерной установки (Токамак), изоляторов плазменных двигателей космических аппаратов, уникального измерительного комплекса для исследований и контроля диэлектрических свойств материалов при температурах до двух тысяч градусов.  


Предложена новая экологически чистая технология ионно-термической модификации диэлектриков и завершается создание установки для мелкосерийного производства резисторов и ТЭНов на ее основе.
Предложена новая экологически чистая технология ионно-термической модификации диэлектриков и завершается создание установки для мелкосерийного производства резисторов и ТЭНов на ее основе.

Навигация