133 935
правок
Физика твердого тела: различия между версиями
Перейти к навигации
Перейти к поиску
нет описания правки
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
| Строка 21: | Строка 21: | ||
Были разработаны методы выращивания нитевидных кристаллов из газовой фазы и водных растворов, тонкие физические методы и аппаратура для их исследования. | Были разработаны методы выращивания нитевидных кристаллов из газовой фазы и водных растворов, тонкие физические методы и аппаратура для их исследования. | ||
Исследования процессов создания и накопления центров окраски в ионных кристаллах были продолжены профессором [[Лисицын Виктор Михайлович|В.М.]] | Исследования процессов создания и накопления центров окраски в ионных кристаллах были продолжены профессором [[Лисицын Виктор Михайлович|В.М.Лисицыным]]. Использование методов импульсной абсорбционной спектрометрии с наносекундным временным разрешением позволило ему получать прямую информацию о процессах создания радиационных дефектов и последующих процессах преобразования первичных дефектов в устойчивые. | ||
Впервые было показано, что распад электронных возбуждений приводит к созданию не только нейтральных пар Френкеля, но и заряженных; что эффективность процесса распада электронных возбуждений на пары структурных дефектов зависит от стартового состояния распадающегося электронного возбуждения; что во многих материалах - стеклах, кварце, сапфире - процесс создания дефектов в основном происходит в результате распада электронных возбуждений, но больная часть созданных дефектов аннигилирует за очень короткое время после их образования. | Впервые было показано, что распад электронных возбуждений приводит к созданию не только нейтральных пар Френкеля, но и заряженных; что эффективность процесса распада электронных возбуждений на пары структурных дефектов зависит от стартового состояния распадающегося электронного возбуждения; что во многих материалах - стеклах, кварце, сапфире - процесс создания дефектов в основном происходит в результате распада электронных возбуждений, но больная часть созданных дефектов аннигилирует за очень короткое время после их образования. | ||