133 804
правки
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
Строка 24: | Строка 24: | ||
==Биография== | ==Биография== | ||
В 1986 г. окончил физический факультет Томского государственного университета по специальности «физика». Дипломную работу «Циклотронное поглощение электромагнитных волн сильноточным электронным пучком» выполнил в Институте сильноточной электроники АН СССР. В 1989 году окончил очную аспирантуру ТГУ. Работает в Институте сильноточной электроники СО РАН с 1988 года в должностях инженера, младшего научного сотрудника, научного сотрудника, старшего научного сотрудника, ученого секретаря (с ноября 2003 г. по настоящее время). Профессор кафедры сильноточной электроники ТПУ. | В 1986 г. окончил физический факультет Томского государственного университета по специальности «физика». Дипломную работу «Циклотронное поглощение электромагнитных волн сильноточным электронным пучком» выполнил в Институте сильноточной электроники АН СССР. В 1989 году окончил очную аспирантуру ТГУ. Работает в [[ИСЭ СО РАН|Институте сильноточной электроники СО РАН]] с 1988 года в должностях инженера, младшего научного сотрудника, научного сотрудника, старшего научного сотрудника, ученого секретаря (с ноября 2003 г. по настоящее время). Профессор кафедры сильноточной электроники ТПУ. | ||
Диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.04 — физическая электроника на тему «Влияние объемного заряда на процессы формирования сильноточных электронных пучков и их взаимодействия с электромагнитными полями» защитил 3 октября 1995 г. в диссертационном совете Д003.031.01 при Институте сильноточной электроники СО РАН. | Диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.04 — физическая электроника на тему «Влияние объемного заряда на процессы формирования сильноточных электронных пучков и их взаимодействия с электромагнитными полями» защитил 3 октября 1995 г. в диссертационном совете Д003.031.01 при Институте сильноточной электроники СО РАН. |