Ремнев Геннадий Ефимович
Ремнев Геннадий Ефимович (р. 29 июля 1948г., с. Ламоново Колосевского р-на Омской обл.) – профессор кафедры водородной энергетики и плазменных технологий ТПУ.
| Ремнев Геннадий Ефимович | |
 | |
| Дата рождения: |
29.07.1948 г. |
|---|---|
| Место рождения: |
с. Ламоново Колосевского р-на Омской обл. |
| Место работы: |
ТПУ |
| Учёная степень: |
доктор технических наук |
| Учёное звание: |
профессор |
| Альма-матер: |
ТПИ |
Биография
В 1966г. окончил среднюю школу в г. Тара Омской обл., поступил на электрофизический факультет ТПИ (ТПУ). Окончил ТПИ в 1971г. по специальности «Физическая электроника». После окончания ТПИ в НИИ ЯФ - инженер, старший инженер, младший научный сотрудник, после защиты кандидатской диссертации – старший научный сотрудник. С 1980г. – заместитель заведующего лабораторией, заведующий лабораторией, с 1988г. – заместитель заведующего отделом, заведующий отделом.
Кандидатская диссертация по теме «Разработка и исследование коммутаторов для сильточных ускорителей» защищена в апреле 1979г. по спец. «Электрофизические установки и ускорители» в ТПИ. Докторскаядиссертация по теме «Получение мощных ионных пучков для технологических целей» защищена в 1994г. по двум спец. «Физика пучков заряженных частиц и ускорительная техника» и «Физика твердого тела» в ТПУ. [1; 174]
Ныне – профессор кафедры водородной энергетики и плазменных технологий ТПУ.
Научная деятельность
В 1990г. в структуре института был создан Инженерно-физический центр «Темп» (ИФЦ) на правах малого государственного предприятия, затем – филиала института. Целью создания центра было развитие прикладных исследований по практическому использованию мощных ионных пучков, создание и реализация конкретных технологических процессов. То есть привлечение дополнительных финансовых средств для развития и углубления исследований в области генерации мощных импульсных пучков заряженных частиц и их взаимодействия с веществом, а также на разработку импульсно-пучковых технологических процессов и оборудования. Этим направлением научной деятельности занимался Р. За счет привлеченных средств ИФЦ он разработал и создал ускорители технологического еаправления, эксплуатируемых в ИФЦ, была приобретена необходимая для работы оргтехника, компьютеры для проведения расчетных задач, управления и контроля ускорителем, создана фактически исследовательская лаборатория.
В мае 1996г. вместе с профессором А. Перри (США) былсопредседателем 1-го Международного рабочего совещания по технологиям обработки материалов ионными пучками. В определенной степени проведение Международного совещания на базе НИИ ЯФ ТПУ явилось признанием его вклада в развитие пучковых технологий. [1; 175]
Имеет 46 патентов и авторских свидетельств.
Направления научной деятельности Р.:
Исследование генерации мощных импульсных электронных и ионных пучков. Изучение взаимодействия импульсных мощных электронных и ионных пучков с конденсированными средами. Неравновесные плазмохимические процессы. Модифицирование изделий из металлических материалов. Сверхбыстрое осаждение тонких металлических и полупроводниковых пленок.
Основные результаты:
Разработаны источники импульсных мощных ионных пучков на основе диода с магнитной самоизоляцией и «взрывоэмисионным» источником плазмы. Определены условия модифицирования металлических материалов импульсными мощными ионными пучками. Разработан метод импульсного осаждения металлических и полупроводниковых пленок из абляционной плазмы. [2]
Педагогическая деятельность
Темы читаемых лекций: Высоковольтные ускорители электронов трансформаторного типа;
Исследование планарного диода с взрывоэмиссионным катодом;
Газоразрядные источники плазмы. Физика газового разряда;
Электрофизические и плазменные установки;
Вакуумный пробой. Взрывная эмиссия электронов. [3]
Руководство аспирантами
01.04.07 - Физика конденсированного состояния.
01.04.08 - Физика плазмы.
01.04.20 - Физика пучков заряженных частиц и ускорительная техника. [2]
Руководство докторантами
01.04.20 - Физика пучков заряженных частиц и ускорительная техника [2]
Научные публикации
Общее количество (92);
1. Новоселов Ю.Н., Пушкарев А.И., Ремнев Г.Е. Цепные процессы в низкотемпературной плазме. Изд-во «Наука», Новосибирск, 2006, 226с.
2. Ремнев Г.Е., Салтымаков М.В., Ли Цзень Фень и др. Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка // Известия ВУЗов, Физика, 2007, №1, C. 66-70.
3. Лопатин В. С., Ремнев Г.Е., Фурман Э.Г., Макеев В.А., Степанов А. В. Ионный диод с внешней магнитной изоляцией // Приборы и техника эксперимента, 2004, №4, C.70-75.
4. Korotaev A. D., Tymentsev A. N., Pinzhin Yu. P., Remnev G.E. Features of the morphology, defect substructure and phase composition of metal and alloy surfaces upon high-power ion beam irradiation // Surface and Coatings Technology 2004, vol. 185, pp.38-49. [2]
Награды
Бронзовая медаль ВДНХ СССР (1976 г.) [1; 175], почётное звание «Заслуженный работник высшей школы Российской Федерации» (2013 г.).
Семья
Отец – Ремнев Ефим Иванович – директор льносемстанции.
Мать – Ремнева Агафья Макаровна – библиотекарь.
Жена – Ремнева (Кобелева) Татьяна Андреевна (1948г. рожд.) – инженер – патентовед, выпускница ТПИ.
Сын – Ремнев Владимир Геннадьевич (1974 г. рожд.).
Сын – Ремнев Алексей Геннадьевич (1985г. рожд.). [1; 176]
Источники
1. Профессора Томского политехнического университета 1991-1997гг.: Биографический сборник/Составители и отв. Редакторы А.В. Гагарин, В.Я. Ушаков. – Томск: Изд-во НТЛ, 1998 – 292 стр.