Чернявский Александр Викторович
Чернявский Александр Викторович (р. в 1966 г., г. Черемхово Иркутской обл.) - кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Проблемной научно-исследовательской лаборатории электроники, диэлектриков и полупроводников Института неразрушающего контроля Томского политехнического университета.
Биография
В 1988 г. окончил ТИАСУР (ТУСУР) по специальности "Физическая электроника".
В 1988 - 1996 гг. работал в лаборатории тонкопленочной электроники на кафедре "Физическая электроника" ТУСУР.
С 1998 г. работает в ТПУ, сначала в лаборатории радиационного материаловедения, затем в лаборатории электроники, диэлектриков и полупроводников после объединения этих двух лабораторий.
В 2004 г. защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.07 «Физика конденсированного состояния» на тему "Высокотемпературная диффузия катионов в ионных кристаллах в условиях радиационно-термического воздействия".
В настоящее время - старший научный сотрудник ПНИЛ ЭДиП ИНК ТПУ.
Научная деятельность
Область научных интересов - исследования радиационно-термических эффектов и процессов в неорганических диэлектрических материалах с ионным типом связи и разработка на их основе новых методов получения керамических материалов и модифицирования их свойств.
Публикации
1.Чернявский, Александр Викторович. Применение метода вторично-ионной масс-спектрометрии для измерения диффузионных профилей в ионных кристаллах [Электронный ресурс] / А. В. Чернявский // Фундаментальные проблемырадиоэлектронного приборостроения (INTERMATIC - 2014) : материалы Международной научно-технической конференции, 1 - 5 декабря 2014 г., Москва / Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики (МГТУ МИРЭА). — 2014. — Ч. 1. — [С. 199-122]. — Заглавие с титульного листа. — Свободный доступ из сети Интернет. Режим доступа: http://conf.mirea.ru/CD2014/pdf/p1/29.pdf
2. Чернявский, Александр Викторович. Влияние различных видов отжига на концентрационные профили ионов кремния, имплантированных в арсенид галлия [Электронный ресурс] / А. В. Чернявский // Известия вузов. Физика. — 2011. — Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах. — Заглавие с экрана. — Свободный доступ из сети Интернет. — Adobe Reader. Режим доступа: http://www.lib.tpu.ru/fulltext/v/Conferences/2011/K03/362.pdf
ПНИЛ ЭДиП ИНК ТПУ
Проблемная научно-исследовательская лаборатории электроники, диэлектриков и полупроводников (ПНИЛ ЭДиП) образована распоряжением Совета Министров СССР от 20 марта 1957 г. для решения актуальных проблем физики твердого тела.
С 1976 г. исследования в лаборатории проводятся по двум проблемам: радиационная физика и радиационная технология неметаллических структур и механоэлектрические преобразования и электромагнитная диагностика материалов и геодинамических событий.