Дан Шехтман

Дан Шехтман
דן שכטמן
Дата рождения:	24.01.1941
Место рождения:	Тель-Авив, Палестина
Научная сфера:	кристаллография, металловедение
Место работы:	Технион, Университет штата Айова
Альма-матер:	Технион
Награды и премии	Нобелевская премия по химии

Дан Ше́хтман (род. 24 января 1941, Тель-Авив, Палестина) — израильский физик и химик, лауреат Нобелевской премии по химии, председатель Международного научного совета ТПУ.

Биография

Дан Шехтман родился в Тель-Авиве в 1941 г. В 1966 г. в Технионе получил степень бакалавра, в 1968 г. — магистра, а в 1972 г. — Доктор философии (PhD). После получения степени PhD Шехтман три года изучал свойства алюминидов титана в лаборатории Air Force Research Laboratory при авиабазе Райта-Паттерсона в штате Огайо, США. В 1975 г. он устроился на факультет материаловедения в Технионе. В 1981 — 1983 гг. Шехтман находился в творческом отпуске Университете Джонса Хопкинса, где он совместно с институтом НИСТ занимался изучением быстроохлаждённых сплавов алюминия с переходными металлами. Результатом этих исследований стало открытие икосаэдрической фазы и последующее открытие квазипериодических кристаллов. В 1992 — 1994 гг. Шехтман находился в творческом отпуске в НИСТе, где занимался изучением влияния дефектных структур кристаллов, выращенных методом химического осаждения из газовой фазы, на их рост и свойства. В 2004 г. Шехтман устроился в Лабораторию Эймса Университета штата Айова, где ныне проводит от четырёх до пяти месяцев в году.

В 1996 г. Шехтман был избран членом Израильской академии наук, в 2000 г. — членом Национальной технической академии США, в 2004 г. — членом Европейской академии наук.

17 Января 2014 г. объявил о решении выставить свою кандидатуру на выборах президента Израиля 2014 г. По результатам выборов не был избран, набрав в первом круге выборов 1 голос из 120.

С 2014 г. возглавляет Международный научный совет Томского политехнического университета.

Награды

• 1986 — Премия фонда Фриденберга по физике
• 1988 — Американского физического общества
• 1988 — Премия Ротшильда
• 1998 — Государственная премия Израиля по физике
• 1999 — Премия Вольфа по физике
• 2000 — Премия Григория Аминова
• 2000 — Премия EMET
• 2008 — Премия Европейского общества материаловедения
• 2011 — Нобелевская премия по химии

Избранная библиография

• D. Shechtman: Twin Determined Growth of Diamond Wafers, Materials Science and Engineering A184 (1994) 113
• D. Shechtman, D. van Heerden, D. Josell: fcc Titanium in Ti-Al Multilayers, Materials Letters 20 (1994) 329
• D. van Heerden, E. Zolotoyabko, D. Shechtman: Microstructural and Structural Characterization of Electrodeposited Cu/Ni multilayers, Materials Letters (1994)
• I. Goldfarb, E. Zolotoyabko, A. Berner, D. Shechtman: Novel Specimen Preparation Technique for the Study of Multi Component Phase Diagrams, Materials Letters 21 (1994), 149—154
• D. Josell, D. Shechtman, D. van Heerden: fcc Titanium in Ti/Ni Multilayers, Materials Letters 22 (1995), 275—279