Осмотическое давление
Осмотическое давление (обозначается π) — избыточное гидростатическое давление на раствор, отделённый от чистого растворителя полупроницаемой мембраной, при котором прекращается диффузия растворителя через мембрану (осмос). Это давление стремится уравнять концентрации обоих растворов вследствие встречной диффузии молекул растворённого вещества и растворителя.
Мера градиента осмотического давления, то есть различия водного потенциала двух растворов, разделённых полупроницаемой мембраной, называется тоничностью. Раствор, имеющий более высокое осмотическое давление по сравнению с другим раствором, называется гипертоническим, имеющий более низкое — гипотоническим.
Осмотическое давление – одно из направлений физической химии. Этим направлением занимался профессор Томского технологического института Я.И.Михайленко, который по-новому рассмотрел вопрос о причинах осмотического давления.
Работы Я.И. Михайленко
Изучая вопросы взаимоотношения упругости пара с плотностью растворителя, Я.И.Михайленко пришел к важному теоретическому выводу о связи упругости пара раствора с парциальной плотностью растворителя в растворе. Это позволило по-новому рассмотреть вопрос о причинах осмотического давления, одного из направлений физической химии. Этим исследованиям Михайленко дал высокую оценку профессор Н.М. Кижнер:
«Михайленко, как видно из многочисленных работ по физической химии, совмещает в себе два очень ценных качества: теоретика и экспериментатора. В области физической химии он является вполне самостоятельным исследователем, притом исследователем оригинальным. Выводы имеют большую научную ценность, т.к. они позволяют с новой точки зрения рассматривать один из наиболее важных вопросов в физической химии, вопрос о причинах осмотического давления. Его исследования устанавливают зависимость между величинами осмотического давления и плотностью растворителя и приводят к новому методу определения молекулярного веса».
Литература
Гагарин А.В. «Профессора Томского политехнического университета». Биографический справочник. Т. 1. Томск: Изд-во научно-технической литературы, 2000-300стр.