Щанин Петр Максимович: различия между версиями
Pvp (обсуждение | вклад) (Новая страница: «'''Щанин Петр Максимович''' - доктор физико-математических наук, профессор, Заслуженный де…») |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
Строка 1: | Строка 1: | ||
{{Персона | |||
|Имя = Щанин Петр Максимович | |||
|Оригинал имени = | |||
|Фото = | |||
|Ширина = | |||
|Подпись = | |||
|Дата рождения = | |||
|Место рождения = | |||
|Дата смерти = | |||
|Место смерти = | |||
|Гражданство = | |||
|Научная сфера = физика плазмы | |||
|Место работы =ИСЭ СО РАН | |||
|Учёная степень = доктор физико-математических наук | |||
|Учёное звание = профессор | |||
|Альма-матер = ТПИ (ТПУ) | |||
|Научный руководитель = | |||
|Знаменитые ученики = | |||
|Награды и премии = | |||
}} | |||
'''Щанин Петр Максимович''' - доктор физико-математических наук, профессор, Заслуженный деятель науки РФ, главный научный сотрудник лаборатории плазменной эмиссионной электроники ИСЭ СО РАН. Крупный специалист в области физики пучков заряженных частиц и плазменной эмиссионной электроники. | '''Щанин Петр Максимович''' - доктор физико-математических наук, профессор, Заслуженный деятель науки РФ, главный научный сотрудник лаборатории плазменной эмиссионной электроники ИСЭ СО РАН. Крупный специалист в области физики пучков заряженных частиц и плазменной эмиссионной электроники. | ||
Версия от 08:35, 18 октября 2017
Щанин Петр Максимович | |
Научная сфера: |
физика плазмы |
---|---|
Место работы: |
ИСЭ СО РАН |
Учёная степень: |
доктор физико-математических наук |
Учёное звание: |
профессор |
Альма-матер: |
ТПИ (ТПУ) |
Щанин Петр Максимович - доктор физико-математических наук, профессор, Заслуженный деятель науки РФ, главный научный сотрудник лаборатории плазменной эмиссионной электроники ИСЭ СО РАН. Крупный специалист в области физики пучков заряженных частиц и плазменной эмиссионной электроники.
Биография
В 1956 г. окончил физико-технический факультет Томского политехнического института. Был распределен в НИИ ядерной физики при ТПИ и назначен заведующим вакуумной лабораторией.
Работал доцентом кафедры физической электроники ТПИ, после её расформирования преподавал и вел научно-исследовательскую работу на кафедре физики в ТИАСУРе (в настоящее время - ТУСУР).
С 1977 г. – сотрудник Институт сильноточной электроники СО РАН.
Научная деятельность
Научная деятельность связана с фундаментальными исследованиями плазмы, её эмиссионными свойствами и формированием пучков заряженных частиц. Под руководством П.М. Щанина создан ряд ускорителей электронов и ионных источников с пучками большого сечения, которые по совокупности параметров не имеют мировых аналогов.
В настоящее время одними из наиболее перспективных направлений в лаборатории плазменной эмиссионной электроники ИСЭ СО РАН, в которой работает Щанин, являются создание источников пучков электронов, азотирование в плазме и ионно-плазменное нанесение покрытий на металлы для увеличения их поверхностной прочности.
Плазмогенераторы в различных модификациях, созданные в лаборатории плазменной эмиссионной электроники, широко применяются на промышленных предприятиях Китая и Японии. Примером коммерчески успешного проекта, в реализации которого используются технологии, созданные в ИСЭ СО РАН, является японское производство бритвенных лезвий, успешно конкурирующих с ведущими мировыми аналогами.
В настоящее время П.М. Щанин ведет цикл исследований, связанных с применением азотирования для увеличения твёрдости и износостойкости поверхности титана.