Осипов Владимир Васильевич: различия между версиями
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
| Строка 22: | Строка 22: | ||
'''Осипов Владимир Васильевич''' (р. 02.11.1943 г., с. Усть-Пристань Алтайского кр.) – ученый – физик, доктор физико-математических наук, профессор, заведующий отделом квантовой электроники [[ИЭФ УрО РАН|Института электрофизики УрО РАН]], заведующий кафедрой инженерной электрофизики Уральского государственного технического университета - УПИ (УГТУ-УПИ). Специалист в области физики газового разряда, квантовой электроники и физики взаимодействия излучения с веществом. Член-корреспондент РАН c 28.10.2016 г. | '''Осипов Владимир Васильевич''' (р. 02.11.1943 г., с. Усть-Пристань Алтайского кр.) – ученый – физик, доктор физико-математических наук, профессор, заведующий отделом квантовой электроники [[ИЭФ УрО РАН|Института электрофизики УрО РАН]], заведующий кафедрой инженерной электрофизики Уральского государственного технического университета - УПИ (УГТУ-УПИ). Специалист в области физики газового разряда, квантовой электроники и физики взаимодействия излучения с веществом. Член-корреспондент РАН c 28.10.2016 г. | ||
==Биография== | ==Биография== | ||
==Научно-производственная деятельность== | ==Научно-производственная деятельность== | ||
| Строка 43: | Строка 44: | ||
[[Категория:создатели лазерных технологий]] | [[Категория:создатели лазерных технологий]] | ||
[[Категория:Члены-корреспонденты РАН]] | |||
[[Категория:Заслуженные деятели науки РФ]] | |||
Версия от 02:55, 7 октября 2025
Осипов Владимир Васильевич (р. 02.11.1943 г., с. Усть-Пристань Алтайского кр.) – ученый – физик, доктор физико-математических наук, профессор, заведующий отделом квантовой электроники Института электрофизики УрО РАН, заведующий кафедрой инженерной электрофизики Уральского государственного технического университета - УПИ (УГТУ-УПИ). Специалист в области физики газового разряда, квантовой электроники и физики взаимодействия излучения с веществом. Член-корреспондент РАН c 28.10.2016 г.
Биография
Научно-производственная деятельность
Окончил Томский политехнический институт.
Предложил и экспериментально обосновал математическую модель СО2-лазера со сжатой активной средой, модели формирования объёмных разрядов, ряд методов повышения энергетики лазеров. Разработал серию мощных молекулярных лазеров, лазеры с катодолюминесцентной накачкой, не имеющие мировых аналогов. Под его руководством создано новое направление в изучении конденсированных сред, связанное с их катодолюминесценцией под действием мощных наносекундных пучков. Предложил и реализовал метод создания активных сред на основе паров металлов высокого давления, получаемых при импульсном испарении веществ потоком заряженных частиц, и впервые получил генерацию на атомных переходах железа.
