Материаловедение высокотемпературной керамики: различия между версиями
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
Строка 1: | Строка 1: | ||
[[Файл:Лопатин Владимир Васильевич.jpg|250px|right|rthumb|д.т.н., профессор [[Лопатин Владимир Васильевич|В.В. Лопатин]]]] | |||
'''Материаловедение высокотемпературной керамики''' – основное направление научной деятельности профессора [[ТПУ|Томского политехнического университета]] [[Лопатин Владимир Васильевич|В.В. Лопатина]]. | '''Материаловедение высокотемпературной керамики''' – основное направление научной деятельности профессора [[ТПУ|Томского политехнического университета]] [[Лопатин Владимир Васильевич|В.В. Лопатина]]. | ||
Версия от 10:13, 22 марта 2024
Материаловедение высокотемпературной керамики – основное направление научной деятельности профессора Томского политехнического университета В.В. Лопатина.
Основным направлением научной деятельности доктора физико-математических наук профессора ТПУ Лопатина является физика диэлектриков, область материаловедения высокотемпературной керамики: изучение электронного строения, дефектов нитридных материалов, определение связи диэлектрических и оптических свойств с их структурой, исследования радиационных изменений свойств. Результаты этих исследований использованы при создании лазеров на парах меди, защиты первой стенки и диагностических элементов термоядерной установки (Токамак), изоляторов плазменных двигателей космических аппаратов, уникального измерительного комплекса для исследований и контроля диэлектрических свойств материалов при температурах до двух тысяч градусов.
Предложена новая экологически чистая технология ионно-термической модификации диэлектриков и завершается создание установки для мелкосерийного производства резисторов и ТЭНов на ее основе.
В продолжение работ Томской высоковольтной школы пробоя диэлектриков вместе со своими сотрудниками исследовал развитие предпобивных явлений в диэлектриках на созданном высокоразрешающем лазерно-диагностическом комплексе. Разработана количественная фрактальная модель развития разряда, позволяющая проводить компьютерные исследования пробоя однородных и неоднородных конденсированных диэлектриков, определять траекторию разрядных каналов при электроимпульсной обработке и разрушении материалов, распределения точек ударов молниевого разряда.
Опубликовано свыше 185 научных работ, из них в зарубежных изданиях – 29.
Литература
Гагарин А.В., Ушаков В.Я. Профессора Томского политехнического университета. Томск, НТЛ, 1998.