Преснов Виктор Алексеевич

Преснов Виктор Алексеевич
Дата рождения:	02.12.1917 г.
Место рождения:	г. Анжеро-Судженск
Дата смерти:	17.07.1987г.
Научная сфера:	физика
Место работы:	СФТИ, ТГУ, ОГУ
Учёная степень:	доктор технических наук
Учёное звание:	профессор
Альма-матер:	ТГУ

Преснов Виктор Алексеевич (р. 02.12.1917 г., г. Анжеро-Судженск – 17.07.1987 г.) – советский ученый – физик, доктор технических наук, профессор.

Биография

В 1941 г. окончил Томский государственный университет, получив специальность физика, оптика и спектроскопия.

Начиная с августа 1941 г., до декабря того же года он работал учителем физики в селе Ребриха Алтайского края.

В декабре 1941 г. принят на работу научным сотрудником Всесоюзного института экспериментальной медицины.

В мае 1942 г. его призвали в действующую армию, где он находился до сентября 1945 г. Возвратившись в Томский университет и закончив аспирантуру, до мая 1950 г. работал научным сотрудником Сибирского физико-технического института.

После защиты кандидатской диссертации в сентябре 1950 г. он перешел на преподавательскую работу в Томский университет, где сначала работает доцентом, а после защиты докторской диссертации, начиная с октября 1961 г., профессором, заведующим кафедрой физики полупроводников и диэлектриков.

С сентября 1964 г. - директор, научным руководитель отраслевого НИИ Министерства электронной промышленности СССР, который он основал и был его первым директором до июля 1968 г.

С сентября 1968 г. работал в Одесском госуниверситете. До мая 1969 г. работал профессором кафедры экспериментальной физики, а затем возглавил новую, только что организованную им кафедру физической электроники, которой он заведовал на протяжении 16 лет.

Научная деятельность

Являлся одним из последователей академика АН СССР В.Д. Кузнецова (работал в ТТИ (ТПУ) до 1928 г., затем перешел в ТГУ).

Работая в Томском университете и в СФТИ, Преснов В.А. организовал и возглавил сибирскую школу полупроводников, которая в числе первых начала широкий круг исследований сложных полупроводников. Успехи этой школы были одним из главных аргументов для принятия правительством страны решения о строительстве в Томске научно-производственного комплекса полупроводниковых приборов (НИИПП).

С полупроводниковыми материалами В.А. Преснов начал работать, будучи студентом кафедры оптики и спектроскопии, когда под руководством проф. В.М. Кудрявцевой изучал люминесценцию касситерита (SnO2). Производственную практику проходил в лаборатории акад. А.Ф. Иоффе в Физико-техническом институте (Ленинград), где его научным руководителем был Б.В. Курчатов. Посещение научных семинаров, личное обаяние А.Ф. Иоффе, дух творчества, царивший в лаборатории, оказали огромное влияние на практиканта, приехавшего из далекой Сибири, пробудили интерес к полупроводникам.

В 1954 г. в СФТИ по инициативе Преснова В.А. и при активной поддержке директора института М.А. Кривова была открыта лаборатория полупроводников, в состав которой перешли ведущие сотрудники лаборатории электрофизики. В лаборатории полупроводников были сформированы научные группы по технологии выращивания монокристаллов полупроводников, изучению физических свойств полупроводников, физике полупроводниковых приборов, методам исследования структуры, полупроводниковым пленкам. Со временем состав лаборатории пополнился выпускниками кафедры полупроводников, а лаборатория полупроводников СФТИ была преобразована в отдел физики полупроводников (1973).

Была разработана технология выращивания монокристаллов и эпитаксиальных слоев GaAs, изготовления диодов на его основе по заказам оборонных предприятий Москвы и Ленинграда. Разрабатывались технологии очистки веществ, химического анализа высокочистых веществ, способы модификации свойств полупроводников, оригинальные способы формирования контактов металлов с полупроводниками и способы стабилизации поверхности полупроводников.

Под его руководством были сформированы научные направления, которые развиваются и в настоящее время: технология выращивания монокристаллов полупроводников, эпитаксия полупроводниковых пленок, изучение структуры и физических свойств полупроводников, физика полупроводниковых приборов.

Научная школа, заложенная В.А. Пресновым в Томске, продолжает успешно работать и в настоящее время. НИИПП получил статус Государственного научно- производственного предприятия (ГНПП НИИПП) и, наряду с традиционными, разрабатывает новые области применения арсенида галлия и других полупроводников. Томск остается одним из крупнейших центров РФ, где в вузах ведется подготовка специалистов по полупроводникам.

В ОГУ под руководством профессора В.А. Преснова, наряду с традиционной тематикой по арсениду галлия (совместно с томичами), разрабатывались технологии выращивания полупроводниковых алмазов и методы медицинской электроники.

Труды

1. Основы техники и физики спая. Изд. ТГУ, 1961г., соавторы: Надворский Ю.Б., Якубеня М.П.

2. Металло-керамический спай в электронной и атомной промышленности. Атомиздат, 1962г., соавторы: Любимов Л.М., Бердов Г.И., Рубашев М.А.

3. Парамагнитный резонанс мелких акцепторов в GaAs. ФТТ, 9, 3332, 1967.

4. Парамагнитный резонанс в легированном Fe GaAs. ФТТ, 10, 268, 1967.

5. Получение и исследование p-n-переходов на основе синтетических полупроводниковых алмазов. ДАН СССР, Т.228, № 5, 1080 (1976).

6. Термостойкие диэлектрики и их спаи с металлом в новой технике. Атомиздат, М., 1980, соавтор Ротнер Ю.М.

Источники

http://rudocs.exdat.com/docs/index-63929.html

http://niipp.selec.ru/news.php

Гагарин А. В. «Профессора Томского политехнического университета». Т. 2. Томск: Изд-во научно-технической литературы, 2001.