Иванов Юрий Федорович

Иванов Юрий Федорович
Научная сфера:	физика
Место работы:	ИСЭ СО РАН, ТПУ
Учёная степень:	доктор физико-математических наук
Учёное звание:	профессор

Иванов Юрий Федорович – доктор физико-математических наук, профессор кафедры наноматериалов и нанотехнологий Института физики высоких технологий Томского политехнического университета, главный научный сотрудник Института сильноточной электроники СО РАН.

Научная деятельность

Область научных интересов – физическое материаловедение, физика прочности и пластичности материалов в условиях внешних энергетических воздействий, модификация неорганических материалов пучками заряженных частиц и потоками плазмы. Автор и соавтор более 600 научных работ, 2 патентов РФ и 13 монографий.

На кафедре наноматериалов и нанотехнологий ТПУ является руководителем научного проекта «Высокоэнергетические методы модификации структуры поверхности металлов и сплавов, металлокерамических и керамических (в том числе и порошковых) материалов».

О проекте: перспективными методами, призванными существенно улучшить свойства поверхностного слоя материала, в настоящее время являются методы, основанные на использовании концентрированных потоков энергии (потоки плазмы, электронные и ионные пучки, лучи лазера и т.д.), позволяющие наноструктурировать материал. Физический смысл такого подхода состоит в снижении масштабного уровня локализации пластической деформации в наноструктурированном поверхностном слое, приводящем к более равномерному распределению упругих напряжений в более значительном объеме материала при внешнем механическом или температурном воздействии на поверхность. В результате в значительной степени повышается энергия зарождения в поверхностном слое концентраторов напряжения, снижается вероятность образования в поверхностном слое дефектов внутреннего строения. Последнее определяет демпфирующие свойства наноструктурированного слоя по отношению к основному материалу при ударных механических и температурных внешних воздействиях, предотвращая преждевременное зарождение и распространение с поверхности в основной объем материала хрупких микротрещин, приводящих к образованию магистральных трещин и разрушению основного материала.

Лаборатория плазменной эмиссионной электроники Института сильноточной электроники СО РАН, ведущим научным сотрудником которой является Ю.Ф. Иванов, вошла в отдел с аналогичным названием, который был организован под руководством профессора Ю. Е. Крейнделя при открытии Института сильноточной электроники в 1977 году.

Научные направления лаборатории:

Исследование структуры и эмиссионных свойств сильноточных газовых разрядов и создание на их основе эффективных источников заряженных частиц с плазменными эмиттерами;

Разработка физических основ оборудования и технологий вакуумной электронно-ионно-плазменной модификации поверхности материалов и изделий.

Ссылки

http://portal.tpu.ru/departments/kafedra/nmnt/science

http://www.sibsiu.ru/kf/data/novosti/oblogka.pdf

http://www.hcei.tsc.ru/ru/cat/phones/phones.html?id=28