Щанин Петр Максимович: различия между версиями
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
| Строка 5: | Строка 5: | ||
|Ширина = | |Ширина = | ||
|Подпись = | |Подпись = | ||
|Дата рождения = | |Дата рождения = 20.04.1932 г. | ||
|Место рождения = | |Место рождения = | ||
| Строка 22: | Строка 22: | ||
|Награды и премии = | |Награды и премии = | ||
}} | }} | ||
'''Щанин Петр Максимович''' - доктор физико-математических наук, профессор, Заслуженный деятель науки РФ, главный научный сотрудник лаборатории плазменной эмиссионной электроники [[ИСЭ СО РАН|ИСЭ СО РАН]]. Крупный специалист в области физики пучков заряженных частиц и плазменной эмиссионной электроники. | '''Щанин Петр Максимович''' (р. 20.04.1932 г.) - доктор физико-математических наук, профессор, Заслуженный деятель науки РФ, главный научный сотрудник лаборатории плазменной эмиссионной электроники [[ИСЭ СО РАН|ИСЭ СО РАН]]. Крупный специалист в области физики пучков заряженных частиц и плазменной эмиссионной электроники. | ||
==Биография== | ==Биография== | ||
| Строка 47: | Строка 47: | ||
http://www.nsc.ru/win/elbib/hbc/hbc.phtml?17+634+1 | http://www.nsc.ru/win/elbib/hbc/hbc.phtml?17+634+1 | ||
[[Категория:Родившиеся 20 апреля]] | |||
[[Категория:Родившиеся в 1932 году]] | |||
[[Категория: выпускники]] | [[Категория: выпускники]] | ||
Версия от 09:21, 18 февраля 2021
| Щанин Петр Максимович | |
| Дата рождения: |
20.04.1932 г. |
|---|---|
| Научная сфера: |
физика плазмы |
| Место работы: |
ИСЭ СО РАН |
| Учёная степень: |
доктор физико-математических наук |
| Учёное звание: |
профессор |
| Альма-матер: |
ТПИ (ТПУ) |
Щанин Петр Максимович (р. 20.04.1932 г.) - доктор физико-математических наук, профессор, Заслуженный деятель науки РФ, главный научный сотрудник лаборатории плазменной эмиссионной электроники ИСЭ СО РАН. Крупный специалист в области физики пучков заряженных частиц и плазменной эмиссионной электроники.
Биография
В 1956 г. окончил физико-технический факультет Томского политехнического института.
Был распределен в НИИ ядерной физики при ТПИ и назначен заведующим вакуумной лабораторией.
Работал доцентом кафедры физической электроники ТПИ, после её расформирования преподавал и вел научно-исследовательскую работу на кафедре физики в ТИАСУРе (в настоящее время - ТУСУР).
С 1977 г. – сотрудник Института сильноточной электроники СО РАН.
Научная деятельность
Научная деятельность связана с фундаментальными исследованиями плазмы, её эмиссионными свойствами и формированием пучков заряженных частиц. Под руководством П.М. Щанина создан ряд ускорителей электронов и ионных источников с пучками большого сечения, которые по совокупности параметров не имеют мировых аналогов.
В настоящее время одними из наиболее перспективных направлений в лаборатории плазменной эмиссионной электроники ИСЭ СО РАН, в которой работает Щанин, являются создание источников пучков электронов, азотирование в плазме и ионно-плазменное нанесение покрытий на металлы для увеличения их поверхностной прочности.
Плазмогенераторы в различных модификациях, созданные в лаборатории плазменной эмиссионной электроники, широко применяются на промышленных предприятиях Китая и Японии. Примером коммерчески успешного проекта, в реализации которого используются технологии, созданные в ИСЭ СО РАН, является японское производство бритвенных лезвий, успешно конкурирующих с ведущими мировыми аналогами.
В настоящее время П.М. Щанин ведет цикл исследований, связанных с применением азотирования для увеличения твёрдости и износостойкости поверхности титана.
Ссылки
- Родившиеся 20 апреля
- Родившиеся в 1932 году
- Выпускники
- Физики
- Профессора
- Главные научные сотрудники
- Выпускники Физико-технического факультета
- Томские ученые
- Сотрудники НИИ ядерной физики
- Сотрудники СО РАН
- Сотрудники СО АН СССР
- Сотрудники Томского университета систем управления и радиоэлектроники
- Сотрудники Института сильноточной электроники СО РАН
- Доктора физико-математических наук
- Заслуженные деятели науки РФ