Борисенко Сергей Иванович: различия между версиями
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
| Строка 4: | Строка 4: | ||
|Оригинал имени = | |Оригинал имени = | ||
|Фото = Bsi.jpg | |Фото = Bsi.jpg | ||
|Ширина = | |Ширина = 190px | ||
|Подпись = | |Подпись = | ||
|Дата рождения = 01.01.1951 г. | |Дата рождения = 01.01.1951 г. | ||
| Строка 48: | Строка 48: | ||
[[Категория:Доценты]] | [[Категория:Доценты]] | ||
[[Категория:Сотрудники Отделения естественных наук]] | [[Категория:Сотрудники Отделения естественных наук]] | ||
[[Категория:Томские ученые]] | |||
[[Категория:Выпускники Томского государственного университета]] | [[Категория:Выпускники Томского государственного университета]] | ||
[[Категория:Сотрудники Томского государственного университета]] | [[Категория:Сотрудники Томского государственного университета]] | ||
Версия от 03:00, 16 декабря 2020
| Борисенко Сергей Иванович | |
 | |
| Дата рождения: |
01.01.1951 г. |
|---|---|
| Место рождения: |
г. Анжеро-Судженск, Кемеровская обл., РСФСР, СССР |
| Научная сфера: |
физика |
| Место работы: |
ТГУ, ТПУ |
| Учёная степень: |
доктор физико-математических наук |
| Учёное звание: |
доцент |
| Альма-матер: |
ТГУ |
Борисенко Сергей Иванович (р. 01.01.1951 г., г. Анжеро-Судженск) – доктор физико-математических наук, доцент Отделения естественных наук Школы базовой инженерной подготовки Томского политехнического университета.
Биография
Окончил Томский государственный университет.
В 1973 - 2004 гг.- научный сотрудник отдела теоретической физики СФТИ.
На кафедре полупроводниковой электроники ТГУ работает с 1992 г.
С 2004 г. - доцент кафедры теоретической и экспериментальной физики ТПУ.
С 2018 г. - доцент Отделения естественных наук.
Научная деятельность
Область научных интересов - оптические и кинетические свойства сложных полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур - квантовых ям и сверхрешеток.
Научная и учебная работа в ТПУ - выполнение инициативной темы «Исследование электрических и оптических свойств низкоразмерных полупроводниковых структур».