Болдырев Владимир Вячеславович: различия между версиями

Основным направлением научной деятельности Б. и созданной им научной школы является изучение реакционной способности твердых веществ с целью найти способы управления химическими реакциями, происходящими в твердом состоянии. В ходе исследований в этой области, которые принесли Б.  известность во всем мире, была показана связь между характером влияния разупорядочения в кристаллах на скорость химических реакций и особенностями механизма реакции, введено понятие локализации и автолокализации процесса, показана роль различных факторов в химических реакциях в твердом состоянии. Обнаруженное явление обратной связи позволило наметить эффективные методы управления химическими реакциями в твердой фазе, если известен механизм реакции, путем создания или, наоборот, уничтожения дефектов, варьированием способов получения твердого вещества и методов его предварительной обработки. Найденный подход позволил решить и обратную задачу: по тому, как влияют на реакционную способность твердого вещества отдельные виды дефектов в кристаллах, можно сделать выводы об особенностях механизма реакции. [3]

Б.  была предложена классификация реакций термического разложения (эта классификация, как потом оказалось, полезна и для других типов химических реакций в твердой фазе). Согласно этой классификации все процессы термического разложения могут быть разделены на две группы. К первой из них отнесены те реакции, в которых процесс разложения происходит за счет локального, ограниченного размерами элементарной кристаллической ячейки, разрыва химической связи. Вторую же группу представляют реакции, в которых процесс разложения сопровождается переносом массы или заряда на расстояния, намного превышающие размеры элементарной ячейки. Предполагалось, что реакции, относящиеся к первой группе, будут в большей степени чувствительны к дефектам кристалла (изменение габитуса, наличие ступенек роста на поверхности, дислокации), изменяющим в конечном итоге соотношение между поверхностью кристалла (внешней и внутренней) и его объемом. Реакции, относящиеся ко второй группе, в большей степени чувствительны к дефектам решетки: точечным ионным и электронным дефектам.