Ратахин Николай Александрович: различия между версиями
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
Строка 4: | Строка 4: | ||
|Оригинал имени = | |Оригинал имени = | ||
|Фото = 12078000.jpg | |Фото = 12078000.jpg | ||
|Ширина = | |Ширина = 150px | ||
|Подпись = | |Подпись = | ||
|Дата рождения = 24.12.1950 г. | |Дата рождения = 24.12.1950 г. | ||
Строка 20: | Строка 20: | ||
|Награды и премии = орден Трудового Красного Знамени (1990). | |Награды и премии = орден Трудового Красного Знамени (1990). | ||
}} | }} | ||
'''Ратахин Николай Александрович''' (р. 24.12.1950 г., с. Новотроицк Тулунского р-на Иркутской обл.) – доктор физико-математических наук, профессор, заведующий (до 31.12.2017 г.) кафедрой высоковольтной электрофизики и сильноточной электроники | '''Ратахин Николай Александрович''' (р. 24.12.1950 г., с. Новотроицк Тулунского р-на Иркутской обл.) – доктор физико-математических наук, профессор, заведующий (до 31.12.2017 г.) кафедрой высоковольтной электрофизики и сильноточной электроники Института физики высоких технологий [[ТПУ|Томского политехнического университета]], директор ИСЭ СО РАН, член-корреспондент РАН (2006). | ||
==Биография== | ==Биография== |
Версия от 08:05, 15 ноября 2019
Ратахин Николай Александрович (р. 24.12.1950 г., с. Новотроицк Тулунского р-на Иркутской обл.) – доктор физико-математических наук, профессор, заведующий (до 31.12.2017 г.) кафедрой высоковольтной электрофизики и сильноточной электроники Института физики высоких технологий Томского политехнического университета, директор ИСЭ СО РАН, член-корреспондент РАН (2006).
Биография
Окончил физический факультет Новосибирского государственного университета (1973). В Сибирском отделении РАН с 1973 г.: стажер-исследователь, младший научный сотрудник Института оптики атмосферы (Томск), аспирант (1975-1978) Томского института автоматизированных систем управления и радиоэлектроники. Младший, старший научный сотрудник (с 1978), зав. отделом высоких плотностей энергии (с 1994), зам. директора по научной работе (2003-2006), и.о. директора, директор (с 2006) Института сильноточной электроники.
Преподаватель на кафедре физики плазмы Томского государственного университета, с 2005 г. Томского политехнического университета (ТПУ), с 2006 г. - зав. кафедрой сильноточной электроники ТПУ. В 2015 г. кафедру объединили в кафедру техники и электрофизики высоких напряжений и переименовали в кафедру высоковольтной электрофизики и сильноточной электроники, где Ратахин Н.А. стал заведующим.
Научная деятельность
Крупный специалист в области импульсной энергетики и физики экстремальных состояний вещества, автор более 120 научных работ. Основное направление научной деятельности в течение последних 25 лет - исследование методов компрессии электрической энергии и ее преобразования в мощные потоки заряженных частиц и рентгеновское излучение. Является заведующим отделом высоких плотностей энергии ИСЭ СО РАН. Под его руководством разработан ряд уникальных тераваттных многоцелевых импульсных генераторов. На их базе выполнен ряд пионерских исследований, в результате которых впервые продемонстрирована эффективная генерация мягкого рентгеновского излучения и мультимегагауссных магнитных полей в наносекундных Z-пинчах, получены импульсные давления в десятки мегабар при электродинамическом сжатии конденсированного вещества, получены рекордные результаты по сверхжесткому рентгеновскому и гамма-излучению при торможении тераваттных электронных пучков, нашедшие практическое применение. Работы Р. широко известны в России и за рубежом.
Впервые, при участии сотрудников Физико-технического института им. А.Ф.Иоффе, выполнил прямые измерения характеристик (ne, Te) плазмы (методом лазерного рассеяния) в сильноточных диодах со взрывной эмиссией электронов. Под его руководством разработан ряд оригинальных наносекундных мегаамперных установок (СНОП-3, СГМ, МИГ) тераваттного диапазона мощности, по ряду параметров не имеющих аналогов, создана уникальная установка МИГ, в которой удачно совмещены практически все известные способы формирования мощных импульсов (электровзрывные и плазменные прерыватели тока, использование линейного импульсного трансформатора, техники водяных формирующих линий и т.п.), что позволило реализовать широкий набор электрических импульсов с высоким коэффициентом. Внес значительный вклад в создание, проведение испытаний и освоение серийного производства специальной техники. В 2001 г. в составе авторского коллектива ему была присуждена Первая премия Объединенного института ядерных исследований ( г. Дубна) за работу «Исследование реакций между легкими ядрами в области ультранизких энергий с использованием лайнерной плазмы».
Награды
За заслуги в создании, проведении испытаний и освоении серийного производства специальной техники в 1990 г. он был награжден Орденом Трудового Красного Знамени.
Кафедра СЭ ТПУ
Кафедра сильноточной электроники основана в 2004 году и осуществляет подготовку магистров по направлению 210100 – «Электроника и наноэлектроника», программа «Физическая электроника».
Студенты кафедры работают по следующим направлениям исследований:
Импульсная энергетика и формирование плотных электронных и ионных пучков,
Генерирование мощных потоков рентгеновского излучения, оптического излучения, СВЧ-излучения,
Исследование плазмы сильноточных вакуумных и газовых разрядов,
Взаимодействие электронов, ионов и электромагнитного излучения с веществом.
Отдел высоких плотностей энергии ИСЭ СО РАН
С 1994г. Н.А. Ратахин также является руководителем отдела высоких плотностей энергии ИСЭ СО РАН, где ведется подготовка магистров кафедры СЭ ТПУ. В настоящее время в отделе работают 2 доктора наук, 7 кандидатов наук, 8 научных сотрудников.
Научные направления:
Исследование наносекундных мегаамперных Z-пинчей, сильноточных релятивистских электронных диодов, плотной высокотемпературной плазмы.
Разработка тераваттных, наносекундных низкоимпедансных генераторов, методов получения мегагаусных магнитных полей, интенсивных потоков мягкого, сверхжесткого рентгеновского и g-излучения.
Основные научные достижения:
Создана серия оригинальных наносекундных мегаамперных генераторов (СНОП-2, СНОП-3, СГМ, МИГ) с выходной мощностью от долей тераватта до нескольких тераватт.
Исследованы основные процессы (динамика сжатия, неустойчивости и возможности их "подавления", излучательные характеристики, механизмы энергопоглощения и т.п.) в наносекундных Z-пинчах.
Определены основные закономерности и продемонстрирована возможность получения с помощью Z-пинча мегагаусных магнитных полей и мягкого рентгеновского излучения (МРИ).
Разработаны и совершенствуются адекватные эксперименту расчетные (МРГД) модели описывающие поведение токонесущей плотной излучающей высокотемпературной плазмы.
Выявлены основные закономерности формирования эффективной генерации и реализованы практически в высоковольтных вакуумных диодах мощные электронные потоки в широком диапазоне параметров (t = 5-150 нс, U = (0,7-5) МВ, I = 0.1-1,5 МA) на различных площадях.
Получены рекордные по ряду параметров (мощность, длительность) импульсы сверхжесткого рентгеновского ( hn = 20-100 кэв) и g-излучения для исследований по радиационной стойкости материалов.
За время существования ОВПЭ защищено 3 докторских диссертации, 9 кандидатских, получена 1 Государственная премия (в составе коллектива), опубликовано в соавторстве 1 монография, более 250 печатных работ.
Ссылки
1. http://www.prometeus.nsc.ru/elibrary/2007pers/480-481.ssi
2. http://www.hcei.tsc.ru/ru/cat/personals/ratakhin/ratakhin.html