Радиационная физика оптических материалов: различия между версиями

Материал из Электронная энциклопедия ТПУ
Перейти к навигации Перейти к поиску
(Новая страница: «'''Радиационная физика оптических материалов''' – научное направление, развиваемое на ка…»)
 
Нет описания правки
Строка 1: Строка 1:
'''Радиационная физика оптических материалов''' – научное направление, развиваемое на кафедре [[кафедра ЛИСТ|лазерной и световой техники]] [[ТПУ|Томского политехнического университета]] под руководством доктора физико-математических наук, профессора [[Лисицын Виктор Михайлович|В.М. Лисицына]].
'''Радиационная физика оптических материалов''' – научное направление, развиваемое на кафедре лазерной и световой техники [[ТПУ|Томского политехнического университета]] под руководством доктора физико-математических наук, профессора [[Лисицын Виктор Михайлович|В.М. Лисицына]].


Поставленные впервые в СССР под руководством Лисицына методы импульсной оптической спектрометрии позволили развернуть в Томске, а затем и в других центрах страны исследования процессов в твердом теле в поле радиации прямыми методами.  
Поставленные впервые в СССР под руководством Лисицына методы импульсной оптической спектрометрии позволили развернуть в Томске, а затем и в других центрах страны исследования процессов в твердом теле в поле радиации прямыми методами.  

Версия от 04:01, 23 марта 2016

Радиационная физика оптических материалов – научное направление, развиваемое на кафедре лазерной и световой техники Томского политехнического университета под руководством доктора физико-математических наук, профессора В.М. Лисицына.

Поставленные впервые в СССР под руководством Лисицына методы импульсной оптической спектрометрии позволили развернуть в Томске, а затем и в других центрах страны исследования процессов в твердом теле в поле радиации прямыми методами.

Возбуждение кристаллов короткими, наносекундной деятельности, импульсами радиации и измерение спектров свечения и поглощения с наносекундным временным разрешением в поставленных методах позволяют обнаружить в кристаллах первичные дефекты, которые не успевают преобразовываться в более сложные, изучать процессы их последующей эволюции. Разработана модель эволюции первичной радиационной дефектности в диэлектриках, фундаментальная значимость которой заключается в развитии представлений о механизме создания радиационных дефектов, а прикладная – в использовании этих представлений для прогнозирования радиационной стойкости диэлектрических материалов.

Показана идентичность процессов в оптических материалах в поле радиации и под действием излучения газового разряда. Это привело к созданию нового направления в разработке источников света с повышенным сроком службы, созданию технологий изготовления стабильных источников света.

Литература

Гагарин А.В. Профессора Томского политехнического университета. Биографический справочник. Т.3, ч. 1. Томск: Изд-во ТПУ, 2005-326 стр.