133 845
правок
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
Строка 18: | Строка 18: | ||
Наряду с ядерными методами в институте развивались атомно-физические методы анализа состава и структуры поверхности. В 1974 г. начались теоретические исследования по обоснованию применимости к анализу поверхности методов электронной Оже-спектроскопии рассеяния ионов низких энергий, а с 1975 г. – метода масс-спектрометрии вторичных ионов. | Наряду с ядерными методами в институте развивались атомно-физические методы анализа состава и структуры поверхности. В 1974 г. начались теоретические исследования по обоснованию применимости к анализу поверхности методов электронной Оже-спектроскопии рассеяния ионов низких энергий, а с 1975 г. – метода масс-спектрометрии вторичных ионов. | ||
Тесная связь выполняемых работ с потребностями производства установилась с 1979 г., когда метод вторично-ионной масс-спектроскопии начал широко применяться для анализа полупроводниковых материалов. Работа осуществлялась на основе сотрудничества с НИИ полупроводниковых приборов и | Тесная связь выполняемых работ с потребностями производства установилась с 1979 г., когда метод вторично-ионной масс-спектроскопии начал широко применяться для анализа полупроводниковых материалов. Работа осуществлялась на основе сотрудничества с НИИ полупроводниковых приборов и СФТИ. Были выполнены исследования межфазного взаимодействия на границе металл-арсенид галлия при температурной обработке, лазером и электронно-лучевом ожиге. | ||
==Литература== | ==Литература== | ||
Становление и развитие научных школ Томского политехнического университета: Исторический очерк/под ред. Ю.П. Похолкова, В.Я. Ушакова. – Томск: ТПУ, 1996. – 249 с. | Становление и развитие научных школ Томского политехнического университета: Исторический очерк/под ред. Ю.П. Похолкова, В.Я. Ушакова. – Томск: ТПУ, 1996. – 249 с. |