Конусов Федор Валерьевич: различия между версиями
Pvp (обсуждение | вклад) (Новая страница: «'''Конусов Федор Валерьевич''' (р. в 1958г., Томск) – кандидат физико-математических наук, ста…») |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
| Строка 1: | Строка 1: | ||
{{Персона | |||
|Имя = Конусов Федор Валерьевич | |||
|Оригинал имени = | |||
|Фото = | |||
|Ширина = | |||
|Подпись = | |||
|Дата рождения = 1958г. | |||
|Место рождения = г. Томск | |||
|Дата смерти = | |||
|Место смерти = | |||
|Гражданство = | |||
|Научная сфера = физика | |||
|Место работы = ТПУ | |||
|Учёная степень = кандидат физико-математических наук | |||
|Учёное звание = старший научный сотрудник | |||
|Альма-матер = ТГУ | |||
|Научный руководитель = | |||
|Знаменитые ученики = | |||
|Награды и премии = | |||
}} | |||
'''Конусов Федор Валерьевич''' (р. в 1958г., Томск) – кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник лаборатории № 1 Института физики высоких технологий Томского политехнического университета. | '''Конусов Федор Валерьевич''' (р. в 1958г., Томск) – кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник лаборатории № 1 Института физики высоких технологий Томского политехнического университета. | ||
Версия от 07:24, 13 октября 2014
| Конусов Федор Валерьевич | |
| Дата рождения: |
1958г. |
|---|---|
| Место рождения: |
г. Томск |
| Научная сфера: |
физика |
| Место работы: |
ТПУ |
| Учёная степень: |
кандидат физико-математических наук |
| Учёное звание: |
старший научный сотрудник |
| Альма-матер: |
ТГУ |
Конусов Федор Валерьевич (р. в 1958г., Томск) – кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник лаборатории № 1 Института физики высоких технологий Томского политехнического университета.
Биография
В 1981г. окончил Томский государственный университет по специальности «Физика». Кандидатская степень по специальности физика твердого тела присвоена в 1993г. Работает в ТПУ.
Научная деятельность
Научные интересы Ф.В. Конусова включают исследование оптических и электрических свойств диэлектрических и полупроводниковых материалов, сформированных различными методами, изучение оптическими и фотоэлектрическими методами природы дефектов различного состава и их влияния на электронное строение материалов.
Исследования в области изучения свойств новых материалов, синтезированных различными импульсными методами, являются одним из приоритетных направлений развития лаборатории №1. Для выполнения этих исследований в лаборатории создана специализированная приборно-аналитическая база.
Активно проводимые исследования свойств нанесенных на материалы покрытий привели к необходимости расширения используемых и поиску новых методов исследования новых синтезированных диэлектрических и полупроводниковых материалов.
Публикации
2014г.:
Kabyshev, Alexander Vasilievich. Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma [Electronic resource] / A. V. Kabyshev, F. V. Konusov, G. E. Remnev // Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques : Scientific Journal. — 2014. — Vol. 8, iss. 1. — [P. 158-163]. — Title screen. — Доступ по договору с организацией-держателем ресурса. Режим доступа: http://link.springer.com/article/10.1134%2FS1027451014010285
Кабышев, Александр Васильевич. Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы [Электронный ресурс] / А. В. Кабышев, Ф. В. Конусов, Г. Е. Ремнев // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. — 2014. — № 2. —[C. 65-68]. — Заглавие с экрана. — Доступ по договору с организацией-держателем ресурса. Режим доступа: http://elibrary.ru/item.asp?id=21124954