Вайсбурд Давид Израйлевич: различия между версиями

Перейти к навигации Перейти к поиску
нет описания правки
Нет описания правки
Нет описания правки
 
(не показано 19 промежуточных версий этого же участника)
Строка 3: Строка 3:
  |Оригинал имени      =  
  |Оригинал имени      =  
  |Фото                = Wajsburd-1-.jpg
  |Фото                = Wajsburd-1-.jpg
  |Ширина              = 240px
  |Ширина              = 220px
  |Подпись              =  
  |Подпись              =  
  |Дата рождения        = 23.12.1937 г.
  |Дата рождения        = 23.12.1937 г.
Строка 17: Строка 17:
  |Научный руководитель =  
  |Научный руководитель =  
  |Знаменитые ученики  =  
  |Знаменитые ученики  =  
  |Награды и премии    = Медаль «За доблестный труд. В ознаменование 100-летия со дня рождения В.И. Ленина» (1970).
  |Награды и премии    =  
}}
}}
'''Вайсбурд Давид Израйлевич''' (23.12.1937 г., г. Киев – 11.04.2007 г., Израиль) – доктор физико-математических наук, профессор кафедры теоретической и экспериментальной физики и директор Центра новых технологий [[ТПУ|Томского политехнического университета]].
[[Файл:Вайсбурд Давид Израйлевич.JPG|180px|right|thumb|]]
[[Файл:ВХ №30-124 Диплом к Юбилейной медали Вайсбурду в связи со 100 летием ТПУ.jpg|200px|right|thumb|Диплом к Юбилейной медали Вайсбурду в связи со 100 летием ТПУ]]
[[Файл:ВХ №30-115 (2) Почетная грамота Вайсбурду в честь 75-летия ТПИ.jpg|200px|right|thumb|Почетная грамота Вайсбурду в честь 75-летия ТПИ]]
[[Файл:ВХ №30-120 (2) Грамота Вайсбурду на 50 лет от ИСЭ СО АН СССР.jpg|200px|right|thumb|Грамота Вайсбурду на 50 лет от [[ИСЭ СО РАН|ИСЭ СО]] АН СССР]]
'''Вайсбурд Давид Израйлевич''' (23.12.1937 г., г. Киев – 11.04.2007 г., Израиль) – доктор физико-математических наук, профессор кафедры теоретической и экспериментальной физики и директор Центра новых технологий [[ТПУ|Томского политехнического университета]]. Крупный ученый-физик. Осуществил изготовление и запуск первой в Томске установки ядерного магнитного резонанса. Выполнил первые в мировой науке эксперименты по кинетике накопления простых и сложных электронных центров в щелочно-галоидных кристаллах под действием протонов и альфа-частиц. Эксперименты проводились на циклотроне [[НИИ ядерной физики при ТПУ|НИИ ядерной физики]] при ТПИ. Впервые обнаружил сильное влияние трековых эффектов на превращение простых дефектов в сложные, построил теорию и определил параметры треков протонов и альфа-частиц в щелочно-галоидных кристаллах.


==Биография==
==Биография==
Строка 25: Строка 29:
В 1955 г. окончил Киевскую ср. школу № 96 с серебряной медалью. В школе увлекался физикой полупроводников и диэлектриков как научной основой твердотельной электроники.
В 1955 г. окончил Киевскую ср. школу № 96 с серебряной медалью. В школе увлекался физикой полупроводников и диэлектриков как научной основой твердотельной электроники.


Поступил в Киевский политехнический институт, затем перевелся в [[ТПУ|Томский политехнический институт]] на радиотехнический факультет со второго курса стал учиться по специальности «Диэлектрики и полупроводники». С третьего курса начал заниматься научно-исследовательской работой под руководством в проблемной лаборатории электроники диэлектриков и полупроводников (ЭДИП) под руководством профессора [[Воробьев Александр Акимович|А. А. Воробьева]] и [[Мелик-Гайказян Ирина Яковлевна|И. Я. Мелик-Гайказян]], впоследствии профессора кафедры физики, д.ф.-м.н.
Поступил в Киевский политехнический институт, затем перевелся в [[ТПУ|Томский политехнический институт]] на [[Радиотехнический факультет|Радиотехнический]] факультет со второго курса стал учиться по специальности «Диэлектрики и полупроводники». С третьего курса начал заниматься научно-исследовательской работой под руководством в проблемной лаборатории электроники диэлектриков и полупроводников (ЭДИП) под руководством профессора [[Воробьев Александр Акимович|А. А. Воробьева]] и [[Мелик-Гайказян Ирина Яковлевна|И. Я. Мелик-Гайказян]], впоследствии профессора кафедры физики, д.ф.-м.н.


После окончания института в 1961 г. был зачислен ассистентом кафедры экспериментальной физики (ныне кафедра теоретической и экспериментальной физики), где прошел весь последующий период научной и педагогической деятельности.
После окончания института в 1961 г. был зачислен ассистентом кафедры экспериментальной физики (ныне кафедра теоретической и экспериментальной физики), где прошел весь последующий период научной и педагогической деятельности.


В 1961 - 1964 гг. обучался в очной аспирантуре под руководством И. Я. Мелик–Гайказян и А.А. Воробьева.  
В 1961 - 1964 гг. [[Научно-исследовательская работа в ТПИ в 1960-70-е гг.|обучался в очной аспирантуре]] под руководством [[Мелик-Гайказян Ирина Яковлевна|И. Я. Мелик–Гайказян]] и [[Воробьев Александр Акимович|А.А. Воробьева]].  


В 1965 г. защитил кандидатскую диссертацию на тему «Кинетика накопления электронных центров в щелочно-галоидных кристаллах под действием протонов». Защита состоялась в совете при президиуме Узбекской АН.  
В 1965 г. защитил кандидатскую диссертацию на тему «Кинетика накопления электронных центров в щелочно-галоидных кристаллах под действием протонов». Защита состоялась в совете при президиуме Узбекской АН.  
Строка 51: Строка 55:
Статья Д.И. Вайсбурда, И.Н. Балычева в журнале «Письма в ЖЭТФ» (1972, т.15,№ 9, с. 537-540) – первая публикация по этой проблеме в мировой научной литературе. За сравнительно короткое время был обнаружен и изучен ряд новых явлений в физике диэлектриков: хрупкое разрушение твердого диэлектрика одним импульсом электронного облучения; новый вид свечения – внутризонная радиолюминисценция диэлектриков; новый вид неравновесной проводимости; мощная критическая электронная эмиссия; лавинообразное размножение дислокаций и как следствие – необратимый пластический изгиб нитевидного кристалла после импульса облучения. Результаты нового этапа этих исследований изложены в монографии Д.И. Вайсбурда, б.Н. Семина, Э.Г. Таванова, С.Б. Матлис, [[Геринг Геннадий Иванович|Г.И. Геринга]], И.Н. Балычева «Высокоэнергетическая электроника твердого тела» (М.: Наука, 1982г.), которая является первой монографией в мировой литературе о поведении диэлектриков под воздействием импульсных электронных пучков высокой плотности.  
Статья Д.И. Вайсбурда, И.Н. Балычева в журнале «Письма в ЖЭТФ» (1972, т.15,№ 9, с. 537-540) – первая публикация по этой проблеме в мировой научной литературе. За сравнительно короткое время был обнаружен и изучен ряд новых явлений в физике диэлектриков: хрупкое разрушение твердого диэлектрика одним импульсом электронного облучения; новый вид свечения – внутризонная радиолюминисценция диэлектриков; новый вид неравновесной проводимости; мощная критическая электронная эмиссия; лавинообразное размножение дислокаций и как следствие – необратимый пластический изгиб нитевидного кристалла после импульса облучения. Результаты нового этапа этих исследований изложены в монографии Д.И. Вайсбурда, б.Н. Семина, Э.Г. Таванова, С.Б. Матлис, [[Геринг Геннадий Иванович|Г.И. Геринга]], И.Н. Балычева «Высокоэнергетическая электроника твердого тела» (М.: Наука, 1982г.), которая является первой монографией в мировой литературе о поведении диэлектриков под воздействием импульсных электронных пучков высокой плотности.  


Созданная новая область радиационной физики диэлектриков является по существу разделом нелинейной физики (часто ее называют «синергетика»). Эта область современного естествознания изучает эволюцию сложных динамических систем – физических, химических, биологических, общественных и Вселенной в целом. Характерная особенность их эволюции: интервалы главного непрерывного измерения сменяются резкими скачками типа неравновесных фазовых переходов. Названные выше катастрофические процессы в облучаемых диэлектриках являются конкретными видами типичных для нелинейной физики неравновесных фазовых переходов. Исследование таких процессов требуется во многих областях естествознания, техники, технологии и в общественных науках. Д.И. Вайсбурд предложил новый экспериментальный метод исследования, основанный на соединении в одной экспериментальной установке двух и более мощных импульсных источников радиации и сильных электрических полей: сильноточных ускорителей, лазеров, ГИНов и т.д., - синхронизированных с нано- или с пикосекундной точностью. Идея метода основана на том, что первый мощный импульс облучения создает в диэлектрике новую неравновесную фазу из  электронных возбуждений и дефектов. Второй, более короткий импульс облучения или сильного электрического поля, синхронизированный с первым, воздействует только на эту фазу за время ее жизни. Он создает возбуждения этой фазы и позволяет их «увидеть» и исследовать в натурном эксперименте. На втором этапе работы этой научной группы впервые были созданы и описаны в научной литературе две экспериментальные установки. В первой синхронизированы сильноточный микроускоритель, мощный пикосекундный лазер и регистрирующая оптическая аппаратура. С помощью созданной аппаратуры проведен ряд уникальных научных экспериментов.  
Созданная новая область [[Томская научная школа радиационной физики диэлектриков|радиационной физики диэлектриков]] является по существу разделом нелинейной физики (часто ее называют «синергетика»). Эта область современного естествознания изучает эволюцию сложных динамических систем – физических, химических, биологических, общественных и Вселенной в целом. Характерная особенность их эволюции: интервалы главного непрерывного измерения сменяются резкими скачками типа неравновесных фазовых переходов. Названные выше катастрофические процессы в облучаемых диэлектриках являются конкретными видами типичных для нелинейной физики неравновесных фазовых переходов. Исследование таких процессов требуется во многих областях естествознания, техники, технологии и в общественных науках. Д.И. Вайсбурд предложил новый экспериментальный метод исследования, основанный на соединении в одной экспериментальной установке двух и более мощных импульсных источников радиации и сильных электрических полей: сильноточных ускорителей, лазеров, ГИНов и т.д., - синхронизированных с нано- или с пикосекундной точностью. Идея метода основана на том, что первый мощный импульс облучения создает в диэлектрике новую неравновесную фазу из  электронных возбуждений и дефектов. Второй, более короткий импульс облучения или сильного электрического поля, синхронизированный с первым, воздействует только на эту фазу за время ее жизни. Он создает возбуждения этой фазы и позволяет их «увидеть» и исследовать в натурном эксперименте. На втором этапе работы этой научной группы впервые были созданы и описаны в научной литературе две экспериментальные установки. В первой синхронизированы сильноточный микроускоритель, мощный пикосекундный лазер и регистрирующая оптическая аппаратура. С помощью созданной аппаратуры проведен ряд уникальных научных экспериментов.  


В лаборатории «Центра новых технологий» ТПУ под руководством Вайсбурда была разработана и внедрена технология антикоррозионного покрытия труб для тепломагистралей в ОАО «Томскэнерго», был создан цех антикоррозионного покрытия труб для магистральных теплопроводов.
В лаборатории «Центра новых технологий» ТПУ под руководством Вайсбурда была разработана и внедрена технология антикоррозионного покрытия труб для тепломагистралей в ОАО «Томскэнерго», был создан цех антикоррозионного покрытия труб для магистральных теплопроводов.
Строка 75: Строка 79:
1. [[Гагарин Александр Вячеславович|Гагарин А.В.]]«Профессора [[ТПУ|Томского политехнического университета]]»: Т. 3, ч.1. - Томск: Изд-во ТПУ, 2005.
1. [[Гагарин Александр Вячеславович|Гагарин А.В.]]«Профессора [[ТПУ|Томского политехнического университета]]»: Т. 3, ч.1. - Томск: Изд-во ТПУ, 2005.


2. [[Гагарин Александр Вячеславович|Гагарин А.В.]], [[Ушаков Василий Яковлевич|Ушаков В.Я.]] «Профессора Томского политехнического университета 1991-1997 гг.». – Томск: Изд-во НТЛ, 1998.
2. [[Гагарин Александр Вячеславович|Гагарин А.В.]], [[Ушаков Василий Яковлевич|Ушаков В.Я.]] «[[Профессора Томского политехнического университета 1991 - 1997 гг.|Профессора]] Томского политехнического университета 1991-1997 гг.». – Томск: Изд-во НТЛ, 1998.


3. Журнал ТПУ «Томский политехник» № 10, 2004-199 стр.
3. Журнал ТПУ «Томский политехник» № 10, 2004-199 стр.


4.      Становление и развитие научных школ [[ТПУ|Томского политехнического университета]]: Исторический очерк/под ред. [[Похолков Юрий Петрович|Ю.П. Похолкова]], [[Ушаков Василий Яковлевич|В.Я. Ушакова]]. – Томск: ТПУ, 1996. – 249с.
4.      Становление и развитие научных школ [[ТПУ|Томского политехнического университета]]: Исторический очерк/под ред. [[Похолков Юрий Петрович|Ю.П. Похолкова]], [[Ушаков Василий Яковлевич|В.Я. Ушакова]]. – Томск: ТПУ, 1996. – 249с.
5. Материалы фондов Комплекса музеев Томского политехнического университета.
[[Категория:Родившиеся 23 декабря]]
[[Категория:Родившиеся 23 декабря]]
[[Категория:Родившиеся в 1937 году]]
[[Категория:Родившиеся в 1937 году]]

Навигация