133 879
правок
Щанин Петр Максимович: различия между версиями
Перейти к навигации
Перейти к поиску
нет описания правки
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
| (не показано 9 промежуточных версий этого же участника) | |||
| Строка 3: | Строка 3: | ||
|Оригинал имени = | |Оригинал имени = | ||
|Фото = Inet 14-1-.jpg | |Фото = Inet 14-1-.jpg | ||
|Ширина = | |Ширина = 180px | ||
|Подпись = | |Подпись = | ||
|Дата рождения = 20.04.1932 г. | |Дата рождения = 20.04.1932 г. | ||
| Строка 22: | Строка 22: | ||
|Награды и премии = | |Награды и премии = | ||
}} | }} | ||
'''Щанин Петр Максимович''' (р. 20.04.1932 г.) - доктор физико-математических наук, профессор, Заслуженный деятель науки РФ, главный научный сотрудник лаборатории плазменной эмиссионной электроники [[ИСЭ СО РАН|ИСЭ СО РАН]]. Крупный специалист в области физики пучков заряженных частиц и плазменной эмиссионной электроники. | '''Щанин Петр Максимович''' (р. 20.04.1932 г.) - доктор физико-математических наук, профессор, Заслуженный деятель науки РФ, главный научный сотрудник лаборатории плазменной эмиссионной электроники [[ИСЭ СО РАН|ИСЭ СО РАН]]. Крупный специалист в области [[Физика пучков заряженных частиц и ускорительная техника|физики пучков заряженных частиц]] и плазменной эмиссионной электроники. | ||
==Биография== | ==Биография== | ||
В 1956 г. окончил | В 1956 г. окончил [[Физико-технический факультет ТПУ|Физико-технический факультет]] [[ТПУ|Томского политехнического института]]. | ||
Был распределен в НИИ ядерной физики при ТПИ и назначен заведующим вакуумной лабораторией. | Был распределен в [[НИИ ядерной физики при ТПУ|НИИ ядерной физики]] при ТПИ и назначен заведующим вакуумной лабораторией. | ||
Работал доцентом кафедры физической электроники ТПИ, после её расформирования преподавал и вел научно-исследовательскую работу на кафедре физики в ТИАСУРе (в настоящее время - ТУСУР). | Работал доцентом кафедры физической электроники ТПИ, после её расформирования преподавал и вел научно-исследовательскую работу на кафедре физики в ТИАСУРе (в настоящее время - ТУСУР). | ||
С 1977 г. – сотрудник Института сильноточной электроники СО РАН. | С 1977 г. – сотрудник [[ИСЭ СО РАН|Института сильноточной электроники СО РАН]]. | ||
==Научная деятельность== | ==Научная деятельность== | ||
| Строка 38: | Строка 38: | ||
Научная деятельность связана с фундаментальными исследованиями плазмы, её эмиссионными свойствами и формированием пучков заряженных частиц. Под руководством П.М. Щанина создан ряд ускорителей электронов и ионных источников с пучками большого сечения, которые по совокупности параметров не имеют мировых аналогов. | Научная деятельность связана с фундаментальными исследованиями плазмы, её эмиссионными свойствами и формированием пучков заряженных частиц. Под руководством П.М. Щанина создан ряд ускорителей электронов и ионных источников с пучками большого сечения, которые по совокупности параметров не имеют мировых аналогов. | ||
В настоящее время одними из наиболее перспективных направлений в лаборатории плазменной эмиссионной электроники ИСЭ СО РАН, в которой работает Щанин, являются создание источников пучков электронов, азотирование в плазме и ионно-плазменное нанесение покрытий на металлы для увеличения их поверхностной прочности. | В настоящее время одними из наиболее перспективных направлений в лаборатории плазменной эмиссионной электроники [[ИСЭ СО РАН|ИСЭ СО РАН]], в которой работает Щанин, являются создание источников пучков электронов, азотирование в плазме и ионно-плазменное нанесение покрытий на металлы для увеличения их поверхностной прочности. | ||
Плазмогенераторы в различных модификациях, созданные в лаборатории плазменной эмиссионной электроники, широко применяются на промышленных предприятиях Китая и Японии. Примером коммерчески успешного проекта, в реализации которого используются технологии, созданные в ИСЭ СО РАН, является японское производство бритвенных лезвий, успешно конкурирующих с ведущими мировыми аналогами. | Плазмогенераторы в различных модификациях, созданные в лаборатории плазменной эмиссионной электроники, широко применяются на промышленных предприятиях Китая и Японии. Примером коммерчески успешного проекта, в реализации которого используются технологии, созданные в ИСЭ СО РАН, является японское производство бритвенных лезвий, успешно конкурирующих с ведущими мировыми аналогами. | ||
| Строка 60: | Строка 60: | ||
[[Категория:Сотрудники СО РАН]] | [[Категория:Сотрудники СО РАН]] | ||
[[Категория:Сотрудники СО АН СССР]] | [[Категория:Сотрудники СО АН СССР]] | ||
[[Категория:Сотрудники РАН]] | |||
[[Категория:Сотрудники Томского университета систем управления и радиоэлектроники]] | [[Категория:Сотрудники Томского университета систем управления и радиоэлектроники]] | ||
| Строка 66: | Строка 68: | ||
[[Категория:Доктора физико-математических наук]] | [[Категория:Доктора физико-математических наук]] | ||
[[Категория:Заслуженные деятели науки РФ]] | [[Категория:Заслуженные деятели науки РФ]] | ||
[[Категория:Обладатели почетного звания]] | |||