Рябчиков Александр Ильич

Рябчиков Александр Ильич
Дата рождения:	15.06.1950 г.
Место рождения:	г. Рубцовск, Алтайский край
Дата смерти:	23.12.2024 г.
Научная сфера:	физическая электроника, ядерная физика
Место работы:	ТПУ
Учёная степень:	доктор физико-математических наук
Учёное звание:	профессор
Альма-матер:	ТПИ (ТПУ)

Рябчиков Александр Ильич (р. 15.06.1950 г., г. Рубцовск Алтайского кр. - 23.12.2024 г.) – доктор физико-математических наук, профессор, заведующий Научной лабораторией высокоинтенсивной имплантации ионов Исследовательской школы физики высокоэнергетических процессов Томского политехнического университета, директор Научно-исследовательского института ядерной физики ТПУ в 1997 - 2008 гг., занесен в Галерею почета ТПУ 2008 г.

Биография

В 1973 г. окончил Томский политехнический институт по специальности «Физическая электроника».

В 1975 - 1978 гг. обучался в аспирантуре ТПИ по специальности «Электрофизические установки и ускорители».

Трудовую деятельность начал на Алтайском тракторном заводе. В 1967-1968 гг. работал фрезеровщиком.

После окончания ТПИ - работа в НИИ ЯФ. С 1973 г. – инженер, старший инженер, младший научный сотрудник, старший научный сотрудник, заведующий лабораторией, заместитель директора по научной работе, в 1997 – 2008 гг. – директор НИИ ЯФ при ТПУ.

Кандидатская диссертация на тему «Исследование и разработка методов управления траекторией движения сильноточных релятивистских электронных пучков» защищена в 1978 г. в ТПИ. Докторская диссертация на тему «Импульсно-периодические многофунуциональные источники ионов на основе вакуумной дуги и нетрадиционные методы ионно-лучевой, ионно-плазменной обработки материалов» защищена в 1994 г. в ТПУ.

Учителем и наставником Рябчикова является член-корреспондент РАН А. Н. Диденко.

Научная деятельность

Основное научное направление – физика пучков заряженных частиц, ускорительная техника, ионная имплантация, новые методы плазменного осаждения покрытий. Создано новое научное направление, основанное на новых методах получения сильноточных импульсно-периодических пучков ускоренных ионов и плазменных потоков с использованием вакуумной дуги и нетрадиционных методов ионно-лучевой, ионно-плазменной обработки материалов.

По результатам его научных исследований, направленных на изучение физики пучков заряженных частиц и новым методам плазменного осаждения покрытий, опубликовано более 320 научных и учебно-методических работ.

На основе комплекса экспериментальных исследований и численного моделирования под руководством проф. А.И. Рябчикова найдено решение фундаментальной проблемы глубокого ионного легирования металлов, сплавов и полупроводников и разработаны научные основы метода синергии высокоинтенсивной имплантации ионов с высокой плотностью тока и одновременного энергетического воздействия субмиллисекундного пучка с плотностью мощности в десятки и сотни кВт/см2 на поверхность. При флюенсах ионного облучения превышающих 1020 ион/см2 достигается ионное легирование металлов и сплавов на глубины до 10 мкм, что более чем на два порядка превышает проективный пробег ионов в твердом теле. Применение метода синергии ионной имплантации и энергетического воздействия пучка на поверхность открывает принципиально новые возможности многократного улучшения различных эксплуатационных свойств металлов и сплавов.

Педагогическая деятельность

Педагогическая деятельность в ТПУ связана с руководстсвом практикой студентов, их дипломированием, подготовкой аспирантов, чтением отдельных лекций для студентов Физико-технического факультета. Периодически (1 раз в год) принимает участие в международных конференциях.

Награды

Юбилейная медаль Томского политехнического университета (2004).

Источники

1. Гагарин А.В., Ушаков В.Я.. Профессора Томского политехнического университета 1991 - 1997 гг.: – Томск: Изд-во НТЛ, 1998.

2. Приказ ректора ТПУ 1158 от 21.03.2001 о награждении юбилейной медалью Томского политехнического университета/ксерокопия.

3. http://www.past.tpu.ru/html/nii-yaf-04.htm

4. https://vk.com/wall-181303384_706?ysclid=m5q8s4dcxu388778908