133 804
правки
ИСЭ СО РАН: различия между версиями
Перейти к навигации
Перейти к поиску
нет описания правки
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
| (не показано 10 промежуточных версий этого же участника) | |||
| Строка 1: | Строка 1: | ||
[[Файл:Beydch.png|500px|right|thumb|Логотип]] | [[Файл:Beydch.png|500px|right|thumb|Логотип]] | ||
[[Файл:Zdanie.jpg|300px|right|thumb|Корпус института. Томск, пр. Академический 2/3 (Академгородок)]] | |||
'''Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН''' - один из институтов Томского научного центра Сибирского Отделения Академии Наук, расположен в [[Томский академгородок|Томске]]. Институт был основан в 1977 г. в томском Академгородке при непосредственном участии [[Месяц Геннадий Андреевич|Г.А. Месяца]], который и стал его первым директором. В ИСЭ СО РАН многие годы работают выпускники [[ТПУ|Томского политехнического института]]. Основными направлениями научной деятельности института являются разработка приборов сильноточной электроники, проблемы физической электроники, устройств и технологий, а также физика низкотемпературной плазмы и основы её применения в технологических процессах и другие современные проблемы физики плазмы. В настоящее время директор института - [[Ратахин Николай Александрович|Н.А. Ратахин]] | '''Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН''' - один из институтов Томского научного центра Сибирского Отделения Академии Наук, расположен в [[Томский академгородок|Томске]]. Институт был основан в 1977 г. в томском Академгородке при непосредственном участии [[Месяц Геннадий Андреевич|Г.А. Месяца]], который и стал его первым директором. В ИСЭ СО РАН многие годы работают выпускники [[ТПУ|Томского политехнического института]]. Основными направлениями научной деятельности института являются разработка приборов сильноточной электроники, проблемы физической электроники, устройств и технологий, а также физика низкотемпературной плазмы и основы её применения в технологических процессах и другие современные проблемы физики плазмы. В настоящее время директор института - [[Ратахин Николай Александрович|Н.А. Ратахин]] | ||
[[Файл:1581974696-200621-137598.jpg| | [[Файл:1581974696-200621-137598.jpg|300px|right|thumb|В лаборатории газовых лазеров ИСЭ СО РАН, установка THL-100. THL-100 - гибридная лазерная система, не имеющая мировых аналогов, на которой была достигнута рекордная для видимой области спектра пиковая мощность 40 триллионов ватт. Размещена в отделе импульсной техники]] | ||
[[Файл:6d0804f9d1aa90ae531ea34921a8f946-800x.jpg| | [[Файл:6d0804f9d1aa90ae531ea34921a8f946-800x.jpg|300px|right|thumb|]] | ||
[[Файл:002 (1).jpg| | [[Файл:002 (1).jpg|300px|right|thumb|[[ГИТ-12|ГИТ-12]]]] | ||
[[Файл:001.jpg| | [[Файл:001.jpg|300px|right|thumb|[[ГИТ-12|ГИТ-12]] - один из крупнейших в мире мультитераваттных импульсных генераторов, размещен в лабораторном корпусе института, отдел импульсной техники]] | ||
[[Файл:222 (1).jpg| | [[Файл:222 (1).jpg|300px|right|thumb|Интегрированная установка "RITM-SP» Чунцин, КНР, январь 2017 г. Установки "RITM-SP" предназначены для поверхностной обработки металлических материалов и изделий с целью улучшения их электрофизических, электрохимических и иных характеристик]] | ||
[[Файл:111.jpg| | [[Файл:111.jpg|300px|right|thumb|"RITM-SP-М» - Милан, Италия, октябрь 2018 г.]] | ||
[[Файл:Oit (1).jpg| | [[Файл:Oit (1).jpg|300px|right|thumb|Сотрудники ИСЭ СО РАН, 2002 г.]] | ||
[[Файл:12078000.jpg|300px|right|thumb|Н.А. Ратахин - директор ИСЭ СО РАН, в 2006 - 2017 гг. - заведующий кафедрой ]] | [[Файл:12078000.jpg|300px|right|thumb|[[Ратахин Николай Александрович|Н.А. Ратахин]] - директор ИСЭ СО РАН, в 2006 - 2017 гг. - заведующий кафедрой высоковольтной электрофизики и сильноточной электроники Института физики высоких технологий ТПУ, профессор отделения материаловедения ТПУ]] | ||
==Создание института== | ==Создание института== | ||