ИСЭ СО РАН: различия между версиями

Перейти к навигации Перейти к поиску
нет описания правки
Нет описания правки
Нет описания правки
 
(не показано 14 промежуточных версий этого же участника)
Строка 1: Строка 1:
[[Файл:Zdanie.jpg|400px|right|thumb|Корпус института. Томск, пр. Академический 2/3 (Академгородок)]]
[[Файл:Beydch.png|500px|right|thumb|Логотип]]
[[Файл:Zdanie.jpg|300px|right|thumb|Корпус института. Томск, пр. Академический 2/3 (Академгородок)]]


[[Файл:Beydch.png|500px|right|thumb|Логотип]]
'''Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН''' - один из институтов Томского научного центра Сибирского Отделения Академии Наук, расположен в [[Томский академгородок|Томске]]. Институт был основан в 1977 г. в томском Академгородке при непосредственном участии [[Месяц Геннадий Андреевич|Г.А. Месяца]], который и стал его первым директором. В ИСЭ СО РАН многие годы работают выпускники [[ТПУ|Томского политехнического института]]. Основными направлениями научной деятельности института являются разработка приборов сильноточной электроники, проблемы физической электроники, устройств и технологий, а также физика низкотемпературной плазмы и основы её применения в технологических процессах и другие современные проблемы физики плазмы. В настоящее время директор института - [[Ратахин Николай Александрович|Н.А. Ратахин]]


'''Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН''' - один из институтов Томского научного центра Сибирского Отделения Академии Наук, расположен в [[Томский академгородок|Томске]]. Институт был основан в 1977 г. в томском Академгородке при непосредственном участии [[Месяц Геннадий Андреевич|Г.А. Месяца]], который и стал его первым директором. В ИСЭ СО РАН многие годы работают выпускники [[ТПУ|Томского политехнического института]]. Основными направлениями научной деятельности института являются разработка приборов сильноточной электроники, проблемы физической электроники, устройств и технологий, а также физика низкотемпературной плазмы и основы её применения в технологических процессах и другие современные проблемы физики плазмы.
[[Файл:1581974696-200621-137598.jpg|300px|right|thumbлаборатории газовых лазеров ИСЭ СО РАН, установка THL-100. THL-100 - гибридная лазерная система, не имеющая мировых аналогов, на которой была достигнута рекордная для видимой области спектра пиковая мощность 40 триллионов ватт. Размещена в отделе импульсной техники]]


[[Файл:1581974696-200621-137598.jpg|400px|right|thumb|В лаборатории газовых лазеров ИСЭ СО РАН, установка THL-100. THL-100 - гибридная лазерная система, не имеющая мировых аналогов, на которой была достигнута рекордная для видимой области спектра пиковая мощность 40 триллионов ватт. Размещена в отделе импульсной техники]]
[[Файл:6d0804f9d1aa90ae531ea34921a8f946-800x.jpg|300px|right|thumb|]]


[[Файл:6d0804f9d1aa90ae531ea34921a8f946-800x.jpg|400px|right|thumb|]]
[[Файл:002 (1).jpg|300px|right|thumb|[[ГИТ-12|ГИТ-12]]]]
[[Файл:001.jpg|300px|right|thumb|[[ГИТ-12|ГИТ-12]] - один из крупнейших в мире мультитераваттных импульсных генераторов, размещен в лабораторном корпусе института, отдел импульсной техники]]


[[Файл:002 (1).jpg|400px|right|thumb|[[ГИТ-12|ГИТ-12]]]]
[[Файл:222 (1).jpg|300px|right|thumb|Интегрированная установка "RITM-SP» Чунцин, КНР, январь 2017 г. Установки "RITM-SP" предназначены для поверхностной обработки металлических материалов и изделий с целью улучшения их электрофизических, электрохимических и иных характеристик]]
[[Файл:001.jpg|400px|right|thumb|[[ГИТ-12|ГИТ-12]] - один из крупнейших в мире мультитераваттных импульсных генераторов, размещен в лабораторном корпусе института, отдел импульсной техники]]


[[Файл:222 (1).jpg|400px|right|thumb|Интегрированная установка "RITM-SP» Чунцин, КНР, январь 2017 г. Установки "RITM-SP" предназначены для поверхностной обработки металлических материалов и изделий с целью улучшения их электрофизических, электрохимических и иных характеристик]]
[[Файл:111.jpg|300px|right|thumb|"RITM-SP-М» - Милан, Италия, октябрь 2018 г.]]


[[Файл:111.jpg|400px|right|thumb|"RITM-SP-М» - Милан, Италия, октябрь 2018 г.]]
[[Файл:Oit (1).jpg|300px|right|thumb|Сотрудники ИСЭ СО РАН, 2002 г.]]


[[Файл:Oit (1).jpg|400px|right|thumb|Сотрудники ИСЭ СО РАН, 2002 г.]]
[[Файл:12078000.jpg|300px|right|thumb|[[Ратахин Николай Александрович|Н.А. Ратахин]] - директор ИСЭ СО РАН, в 2006 - 2017 гг. - заведующий кафедрой высоковольтной электрофизики и сильноточной электроники Института физики высоких технологий ТПУ, профессор отделения материаловедения ТПУ]]
==Создание института==
==Создание института==


Навигация