133 804
правки
ИСЭ СО РАН: различия между версиями
Перейти к навигации
Перейти к поиску
нет описания правки
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
| Строка 1: | Строка 1: | ||
[[Файл:Beydch.png|500px|right|thumb|Логотип]] | [[Файл:Beydch.png|500px|right|thumb|Логотип]] | ||
[[Файл:Zdanie.jpg| | [[Файл:Zdanie.jpg|300px|right|thumb|Корпус института. Томск, пр. Академический 2/3 (Академгородок)]] | ||
'''Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН''' - один из институтов Томского научного центра Сибирского Отделения Академии Наук, расположен в [[Томский академгородок|Томске]]. Институт был основан в 1977 г. в томском Академгородке при непосредственном участии [[Месяц Геннадий Андреевич|Г.А. Месяца]], который и стал его первым директором. В ИСЭ СО РАН многие годы работают выпускники [[ТПУ|Томского политехнического института]]. Основными направлениями научной деятельности института являются разработка приборов сильноточной электроники, проблемы физической электроники, устройств и технологий, а также физика низкотемпературной плазмы и основы её применения в технологических процессах и другие современные проблемы физики плазмы. В настоящее время директор института - [[Ратахин Николай Александрович|Н.А. Ратахин]] | '''Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН''' - один из институтов Томского научного центра Сибирского Отделения Академии Наук, расположен в [[Томский академгородок|Томске]]. Институт был основан в 1977 г. в томском Академгородке при непосредственном участии [[Месяц Геннадий Андреевич|Г.А. Месяца]], который и стал его первым директором. В ИСЭ СО РАН многие годы работают выпускники [[ТПУ|Томского политехнического института]]. Основными направлениями научной деятельности института являются разработка приборов сильноточной электроники, проблемы физической электроники, устройств и технологий, а также физика низкотемпературной плазмы и основы её применения в технологических процессах и другие современные проблемы физики плазмы. В настоящее время директор института - [[Ратахин Николай Александрович|Н.А. Ратахин]] | ||
| Строка 8: | Строка 8: | ||
[[Файл:6d0804f9d1aa90ae531ea34921a8f946-800x.jpg|400px|right|thumb|]] | [[Файл:6d0804f9d1aa90ae531ea34921a8f946-800x.jpg|400px|right|thumb|]] | ||
[[Файл:002 (1).jpg| | [[Файл:002 (1).jpg|300px|right|thumb|[[ГИТ-12|ГИТ-12]]]] | ||
[[Файл:001.jpg| | [[Файл:001.jpg|300px|right|thumb|[[ГИТ-12|ГИТ-12]] - один из крупнейших в мире мультитераваттных импульсных генераторов, размещен в лабораторном корпусе института, отдел импульсной техники]] | ||
[[Файл:222 (1).jpg|400px|right|thumb|Интегрированная установка "RITM-SP» Чунцин, КНР, январь 2017 г. Установки "RITM-SP" предназначены для поверхностной обработки металлических материалов и изделий с целью улучшения их электрофизических, электрохимических и иных характеристик]] | [[Файл:222 (1).jpg|400px|right|thumb|Интегрированная установка "RITM-SP» Чунцин, КНР, январь 2017 г. Установки "RITM-SP" предназначены для поверхностной обработки металлических материалов и изделий с целью улучшения их электрофизических, электрохимических и иных характеристик]] | ||