Торгаев Станислав Николаевич: различия между версиями

Материал из Электронная энциклопедия ТПУ
Перейти к навигации Перейти к поиску
Нет описания правки
Нет описания правки
 
(не показана 21 промежуточная версия 2 участников)
Строка 1: Строка 1:
   
{{Персона
'''Торгаев Станислав Николаевич''' (р. 17.04.1984 г.) – кандидат физико-математических наук, доцент кафедры промышленной и медицинской электроники [[Институт неразрушающего контроля | Института неразрушающего контроля]] [[ТПУ|Томского политехнического университета]], младший научный сотрудник лаборатории квантовой электроники Института оптики атмосферы СО РАН (г. Томск).
|Имя          =        Торгаев Станислав Николаевич
|Оригинал имени      =
|Фото                = 5030-1-.jpg
|Ширина              = 200 px
|Подпись              =
|Дата рождения        = 17.04.1984 г.
  |Место рождения      =
|Дата смерти          =
|Место смерти        =
|Гражданство          =
|Научная сфера        =  физика
 
|Место работы        = ТПУ, ИОА СО РАН
 
 
|Учёная степень      = кандидат физико-математических  наук
|Учёное звание        =
|Альма-матер          = ТПУ
|Научный руководитель =
|Знаменитые ученики  =
|Награды и премии    =
}}
'''Торгаев Станислав Николаевич''' (р. 17.04.1984 г.) – кандидат физико-математических наук, доцент Отделения электронной инженерии [[Инженерная школа неразрушающего контроля и безопасности|Инженерной школы неразрушающего контроля и безопасности]] [[ТПУ|Томского политехнического университета]].


==Биография==
==Биография==


В 2007  г. окончил Электрофизический факультет Томского политехнического университета по специальности «Промышленная электроника», специализация – «Сильноточная электроника».
В 2007  г. окончил [[Электрофизический факультет|Электрофизический факультет]] [[ТПУ|Томского политехнического университета]] по специальности «Промышленная электроника», специализация – «Сильноточная электроника».


В 2013 г. защитил кандидатскую диссертацию "Кинетика активной среды CuBr-лазера с добавками H2 и HBr», присуждена ученая степень кандидата физико-математических наук.
В 2013 г. защитил кандидатскую диссертацию "Кинетика активной среды CuBr-лазера с добавками H2 и HBr», присуждена ученая степень кандидата физико-математических наук.
Строка 11: Строка 33:


==Научная деятельность==
==Научная деятельность==
Область научных интересов:


Область исследований лаборатории квантовой механики ИОА СО РАН, м.н.с. которой является Торгаев С.Н.:
- разработка высоковольтных источников питания;


исследование физических процессов, протекающих в активной среде лазеров на парах металлов и их соединений, с целью разработки и создания лабораторных макетов лазеров на парах металлов и устройств на их основе для научных исследований и специальных применений.
- разработка устройств на основе современных микропроцессоров;


==Педагогическая деятельность==
- кинетическое моделирование в плазме;
 
- активные оптические системы.
 
Разработан высокочастотный источник накачки активной среды на парах бромида меди.


В ТПУ преподает дисциплины:
Разработана подробная кинетическая модель активной среды на парах меди. Модель позволяет определять пространственно-временные характеристики излучения (усиления) активной среды.


Основы микропроцессорной техники;
Выполнены теоретические исследования процессов получения нетипичных длительностей инверсии в активной среде на парах бромида меди


Аппаратные и программные средства обработки аналоговых сигналов.
==Педагогическая деятельность==


==Публикации==
В ТПУ преподает дисциплины:


1. Основы микропроцессорной техники: микроконтроллеры STM8S [Электронный ресурс] : учебное пособие / С. Н. Торгаев [и др.]; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Институт неразрушающего контроля (ИНК), Кафедра промышленной и медицинской электроники (ПМЭ). — 1 компьютерный файл (pdf; 3.3 MB). — Томск: Изд-во ТПУ, 2014. — Заглавие с титульного экрана. — Электронная версия печатной публикации. — Доступ из корпоративной сети ТПУ. — Системные требования: Adobe Reader.
- "Основы микропроцессорной техники";
Режим доступа: http://www.lib.tpu.ru/fulltext2/m/2015/m070.pdf


2.Основы микропроцессорной техники: микропроцессор Intel 8080 [Электронный ресурс] : учебное пособие / С. Н. Торгаев [и др.]; Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ), Институт неразрушающего контроля (ИНК), Кафедра промышленной и медицинской электроники (ПМЭ). — 1 компьютерный файл (pdf; 3.3 MB). — Томск: Изд-во ТПУ, 2014. — Заглавие с титульного экрана. — Электронная версия печатной публикации. — Доступ из корпоративной сети ТПУ. — Системные требования: Adobe Reader.
- "Аппаратные и программные средства обработки аналоговых сигналов".
Режим доступа: http://www.lib.tpu.ru/fulltext2/m/2015/m071.pdf


==Ссылки==
==Ссылки==


http://portal.tpu.ru:7777/SHARED/t/TORGAEV/Tab1
http://portal.tpu.ru/SHARED/t/TORGAEV/Biography
[[Категория:Родившиеся 17 апреля]]
[[Категория:Родившиеся в 1984 году]]
[[Категория:Выпускники]]
[[Категория:Выпускники 2007 года]]
[[Категория:Выпускники Электрофизического факультета]]
[[Категория:Выпускники по специальности "Промышленная электроника"]]
[[Категория:Преподаватели]]
[[Категория:Физики]]
[[Категория:Доценты]]


http://www.iao.ru/ru/structure/scidivs/3/59
[[Категория:Кандидаты физико-математических наук]]
[[Категория:Сотрудники СО РАН]]
[[Категория:Сотрудники РАН]]


http://intellect.tomsk.ru/school/id1179112052
[[Категория:Галерея почета - 2015]]
[[Категория:Сотрудники Отделения электронной инженерии]]
[[Категория:Доценты Отделения электронной инженерии]]

Текущая версия от 02:51, 2 ноября 2023

Торгаев Станислав Николаевич
5030-1-.jpg
Дата рождения:

17.04.1984 г.

Научная сфера:

физика

Место работы:

ТПУ, ИОА СО РАН

Учёная степень:

кандидат физико-математических наук

Альма-матер:

ТПУ

Торгаев Станислав Николаевич (р. 17.04.1984 г.) – кандидат физико-математических наук, доцент Отделения электронной инженерии Инженерной школы неразрушающего контроля и безопасности Томского политехнического университета.

Биография

В 2007 г. окончил Электрофизический факультет Томского политехнического университета по специальности «Промышленная электроника», специализация – «Сильноточная электроника».

В 2013 г. защитил кандидатскую диссертацию "Кинетика активной среды CuBr-лазера с добавками H2 и HBr», присуждена ученая степень кандидата физико-математических наук.

В настоящее время – доцент ТПУ, младший научный сотрудник ИОА СО РАН.

Научная деятельность

Область научных интересов:

- разработка высоковольтных источников питания;

- разработка устройств на основе современных микропроцессоров;

- кинетическое моделирование в плазме;

- активные оптические системы.

Разработан высокочастотный источник накачки активной среды на парах бромида меди.

Разработана подробная кинетическая модель активной среды на парах меди. Модель позволяет определять пространственно-временные характеристики излучения (усиления) активной среды.

Выполнены теоретические исследования процессов получения нетипичных длительностей инверсии в активной среде на парах бромида меди

Педагогическая деятельность

В ТПУ преподает дисциплины:

- "Основы микропроцессорной техники";

- "Аппаратные и программные средства обработки аналоговых сигналов".

Ссылки

http://portal.tpu.ru/SHARED/t/TORGAEV/Biography

Источник — https://wiki.tpu.ru/index.php?title=Торгаев_Станислав_Николаевич&oldid=130007