Конусов Федор Валерьевич: различия между версиями
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
| Строка 26: | Строка 26: | ||
В 1981 г. окончил Томский государственный университет по специальности «Физика». | В 1981 г. окончил Томский государственный университет по специальности «Физика». | ||
Кандидатская степень по специальности физика твердого тела присвоена в 1993 г. | Кандидатская степень по специальности [[физика твердого тела|физика твердого тела]] присвоена в 1993 г. | ||
==Научная деятельность== | ==Научная деятельность== | ||
Версия от 03:50, 20 апреля 2023
| Конусов Федор Валерьевич | |
 | |
| Дата рождения: |
1958 г. |
|---|---|
| Место рождения: |
г. Томск |
| Научная сфера: |
физика |
| Место работы: |
ТПУ |
| Учёная степень: |
кандидат физико-математических наук |
| Учёное звание: |
старший научный сотрудник |
| Альма-матер: |
ТГУ |
Конусов Федор Валерьевич (р. в 1958 г., Томск) – кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Исследовательской школы высокоэнергетических процессов Томского политехнического университета.
Биография
В 1981 г. окончил Томский государственный университет по специальности «Физика».
Кандидатская степень по специальности физика твердого тела присвоена в 1993 г.
Научная деятельность
Научные интересы Ф.В. Конусова включают исследование оптических и электрических свойств диэлектрических и полупроводниковых материалов, сформированных различными методами, изучение оптическими и фотоэлектрическими методами природы дефектов различного состава и их влияния на электронное строение материалов.
Исследования в области изучения свойств новых материалов, синтезированных различными импульсными методами, являются одним из приоритетных направлений развития лаборатории №1. Для выполнения этих исследований в лаборатории создана специализированная приборно-аналитическая база.
Активно проводимые исследования свойств нанесенных на материалы покрытий привели к необходимости расширения используемых и поиску новых методов исследования новых синтезированных диэлектрических и полупроводниковых материалов.