Шишлов Александр Викторович: различия между версиями
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
(не показано 26 промежуточных версий 2 участников) | |||
Строка 3: | Строка 3: | ||
|Оригинал имени = | |Оригинал имени = | ||
|Фото = P7090260-1-.jpg | |Фото = P7090260-1-.jpg | ||
|Ширина = | |Ширина = 350px | ||
|Подпись = | |Подпись = | ||
|Дата рождения = | |Дата рождения = | ||
Строка 16: | Строка 16: | ||
|Учёная степень = кандидат физико-математических наук | |Учёная степень = кандидат физико-математических наук | ||
|Учёное звание = доцент | |Учёное звание = доцент | ||
|Альма-матер = ТПУ | |Альма-матер = ТПИ (ТПУ) | ||
|Научный руководитель = | |Научный руководитель = | ||
|Знаменитые ученики = | |Знаменитые ученики = | ||
|Награды и премии = | |Награды и премии = | ||
}} | }} | ||
'''Шишлов Александр Викторович''' – кандидат физико-математических наук | '''Шишлов Александр Викторович''' – кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник [[ИСЭ СО РАН|Института сильноточной электроники СО РАН]] (Томск). | ||
==Биография== | ==Биография== | ||
В | В 1993 г. окончил [[Физико-технический факультет ТПУ|Физико-технический факультет]] [[ТПУ|Томского политехнического университета]]. | ||
В 1990 - 1993 гг. работал в Отделе высоких плотностей энергий [[ИСЭ СО РАН|ИСЭ СО РАН]] в должности лаборанта. | |||
С 1993 г. - младший научный сотрудник Отдела высоких плотностей энергий [[ИСЭ СО РАН|ИСЭ СО РАН]]. | |||
В 1996 - 1999 гг. – аспирант [[ИСЭ СО РАН|ИСЭ СО РАН]] по специальности «Электрофизика». | |||
В 2000 г. защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. | |||
В настоящее время – старший научный сотрудник Отдела высоких плотностей энергий ИСЭ СО РАН, | |||
Работал доцентом кафедры сильноточной электроники Института физики высоких технологий ТПУ. | |||
==Научная деятельность== | ==Научная деятельность== | ||
Научные интересы Шишлова А.В. | Научные интересы Шишлова А.В. связаны с исследованиями имплозии легких лайнеров. Эти работы представляют фундаментальный интерес с точки зрения понимания процессов, происходящих в плотной высокотемпературной плазме. Вместе с тем в данных исследованиях есть и прикладной аспект: возможность использования плазмы Z-пинча в качестве источника мощных потоков мягкого рентгеновского излучения. | ||
Является основным исполнителем работ, относящихся к исследованию комбинированных лайнеров и исследованию вопросов, связанных их стабильностью и возможностью эффективной генерации излучения в К-линиях вещества лайнера при больших (> 100 нс) временах имплозии. | |||
Является автором и соавтором 22 научных работ, опубликованных в российских и зарубежных реферируемых научных изданиях. | |||
==Ссылки== | ==Ссылки== | ||
Строка 39: | Строка 53: | ||
http://hced.tsc.ru/persons/shishlov.html | http://hced.tsc.ru/persons/shishlov.html | ||
[[Категория:Выпускники]] | |||
[[Категория:преподаватели]] | |||
[[Категория:Физики]] | |||
[[Категория:Доценты]] | |||
[[Категория:Выпускники Физико-технического факультета]] | |||
[[Категория:Кандидаты физико-математических наук]] | |||
[[Категория:Сотрудники СО РАН]] | |||
[[Категория:Сотрудники СО АН СССР]] | |||
[[Категория:Сотрудники РАН]] | |||
[[Категория:Сотрудники Института сильноточной электроники СО РАН]] | |||
[[Категория:Томские ученые]] | |||
[[Категория:Ученые в области электроники]] |
Текущая версия от 05:21, 30 января 2023
Шишлов Александр Викторович – кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Института сильноточной электроники СО РАН (Томск).
Биография
В 1993 г. окончил Физико-технический факультет Томского политехнического университета.
В 1990 - 1993 гг. работал в Отделе высоких плотностей энергий ИСЭ СО РАН в должности лаборанта.
С 1993 г. - младший научный сотрудник Отдела высоких плотностей энергий ИСЭ СО РАН.
В 1996 - 1999 гг. – аспирант ИСЭ СО РАН по специальности «Электрофизика».
В 2000 г. защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.
В настоящее время – старший научный сотрудник Отдела высоких плотностей энергий ИСЭ СО РАН,
Работал доцентом кафедры сильноточной электроники Института физики высоких технологий ТПУ.
Научная деятельность
Научные интересы Шишлова А.В. связаны с исследованиями имплозии легких лайнеров. Эти работы представляют фундаментальный интерес с точки зрения понимания процессов, происходящих в плотной высокотемпературной плазме. Вместе с тем в данных исследованиях есть и прикладной аспект: возможность использования плазмы Z-пинча в качестве источника мощных потоков мягкого рентгеновского излучения.
Является основным исполнителем работ, относящихся к исследованию комбинированных лайнеров и исследованию вопросов, связанных их стабильностью и возможностью эффективной генерации излучения в К-линиях вещества лайнера при больших (> 100 нс) временах имплозии.
Является автором и соавтором 22 научных работ, опубликованных в российских и зарубежных реферируемых научных изданиях.