Шишлов Александр Викторович: различия между версиями
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
| (не показаны 3 промежуточные версии этого же участника) | |||
| Строка 25: | Строка 25: | ||
==Биография== | ==Биография== | ||
В 1993 г. окончил [[Физико-технический факультет ТПУ|Физико-технический факультет]] Томского политехнического университета. | В 1993 г. окончил [[Физико-технический факультет ТПУ|Физико-технический факультет]] [[ТПУ|Томского политехнического университета]]. | ||
В 1990 - 1993 гг. работал в Отделе высоких плотностей энергий ИСЭ СО РАН в должности лаборанта. | В 1990 - 1993 гг. работал в Отделе высоких плотностей энергий [[ИСЭ СО РАН|ИСЭ СО РАН]] в должности лаборанта. | ||
С 1993 г. - младший научный сотрудник Отдела высоких плотностей энергий ИСЭ СО РАН. | С 1993 г. - младший научный сотрудник Отдела высоких плотностей энергий [[ИСЭ СО РАН|ИСЭ СО РАН]]. | ||
В 1996 - 1999 гг. – аспирант ИСЭ СО РАН по специальности «Электрофизика». | В 1996 - 1999 гг. – аспирант [[ИСЭ СО РАН|ИСЭ СО РАН]] по специальности «Электрофизика». | ||
В 2000 г. защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. | В 2000 г. защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук. | ||
Текущая версия от 05:21, 30 января 2023
| Шишлов Александр Викторович | |
 | |
| Научная сфера: |
физика, сильноточная электроника |
|---|---|
| Место работы: |
ТПУ, ИСЭ СО РАН |
| Учёная степень: |
кандидат физико-математических наук |
| Учёное звание: |
доцент |
| Альма-матер: |
ТПИ (ТПУ) |
Шишлов Александр Викторович – кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Института сильноточной электроники СО РАН (Томск).
Биография
В 1993 г. окончил Физико-технический факультет Томского политехнического университета.
В 1990 - 1993 гг. работал в Отделе высоких плотностей энергий ИСЭ СО РАН в должности лаборанта.
С 1993 г. - младший научный сотрудник Отдела высоких плотностей энергий ИСЭ СО РАН.
В 1996 - 1999 гг. – аспирант ИСЭ СО РАН по специальности «Электрофизика».
В 2000 г. защитил диссертацию на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.
В настоящее время – старший научный сотрудник Отдела высоких плотностей энергий ИСЭ СО РАН,
Работал доцентом кафедры сильноточной электроники Института физики высоких технологий ТПУ.
Научная деятельность
Научные интересы Шишлова А.В. связаны с исследованиями имплозии легких лайнеров. Эти работы представляют фундаментальный интерес с точки зрения понимания процессов, происходящих в плотной высокотемпературной плазме. Вместе с тем в данных исследованиях есть и прикладной аспект: возможность использования плазмы Z-пинча в качестве источника мощных потоков мягкого рентгеновского излучения.
Является основным исполнителем работ, относящихся к исследованию комбинированных лайнеров и исследованию вопросов, связанных их стабильностью и возможностью эффективной генерации излучения в К-линиях вещества лайнера при больших (> 100 нс) временах имплозии.
Является автором и соавтором 22 научных работ, опубликованных в российских и зарубежных реферируемых научных изданиях.