|
|
| (не показано 19 промежуточных версий этого же участника) |
| Строка 4: |
Строка 4: |
| |Оригинал имени = | | |Оригинал имени = |
| |Фото = Bsi.jpg | | |Фото = Bsi.jpg |
| |Ширина = | | |Ширина = 190px |
| |Подпись = | | |Подпись = |
| |Дата рождения = 01.01.1951 | | |Дата рождения = 01.01.1951 г. |
| |Место рождения = г. Анжеро-Судженск, Кемеровская обл., РСФСР, СССР | | |Место рождения = г. Анжеро-Судженск, Кемеровская обл. |
| | Дата смерти = | | | Дата смерти = |
| | Место смерти = | | | Место смерти = |
| Строка 14: |
Строка 14: |
| |Место работы = ТГУ, ТПУ | | |Место работы = ТГУ, ТПУ |
| |Учёная степень = доктор физико-математических наук | | |Учёная степень = доктор физико-математических наук |
| |Учёное звание = профессор | | |Учёное звание = доцент |
| |Альма-матер = ТГУ | | |Альма-матер = ТГУ |
| |Научный руководитель = | | |Научный руководитель = |
| Строка 20: |
Строка 20: |
| |Награды и премии = | | |Награды и премии = |
| }} | | }} |
| '''Борисенко Сергей Иванович''' (01.01.1951 г., г. Анжеро-Судженск, Кемеровская обл., РСФСР, СССР) – доктор физико-математических наук, доцент кафедры теоретической и экспериментальной физики Томского политехнического университета. | | '''Борисенко Сергей Иванович''' (р. 01.01.1951 г., г. Анжеро-Судженск) – доктор физико-математических наук, доцент Отделения естественных наук Школы базовой инженерной подготовки [[ТПУ|Томского политехнического университета]]. |
|
| |
|
| ==Биография== | | ==Биография== |
|
| |
|
| Закончил школу в г. Горно-Алтайске в 1968 г, а затем физический факультет Томского госуниверситета по кафедре теоретической физики.
| | Окончил Томский государственный университет. |
| В 1973-2004 гг. являлся научным сотрудником отдела теоретической физики СФТИ. На кафедре полупроводниковой электроники работает с 1992 г.
| |
| Доцент кафедры ТиЭФ ТПУ (с 2004г.). [1][2][3]
| |
|
| |
|
| ==Научная деятельность==
| | В 1973 - 2004 гг.- научный сотрудник отдела теоретической физики [[СФТИ им. В.Д. Кузнецова|СФТИ]]. |
|
| |
|
| В настоящее время областью научных интересов являются оптические и кинетические свойства сложных полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур - квантовых ям и сверхрешеток.
| | На кафедре полупроводниковой электроники ТГУ работает с 1992 г. |
|
| |
|
| Научная и учебная работа в ТПУ:
| | С 2004 г. - доцент кафедры теоретической и экспериментальной физики ТПУ. |
|
| |
|
| выполнение инициативной темы «Исследование электрических и оптических свойств низкоразмерных полупроводниковых структур»;
| | С 2018 г. - доцент Отделения естественных наук. |
|
| |
|
| общая физика – лекции, практические занятия, лабораторные работы;
| | ==Научная деятельность== |
| теория и свойства кристаллов и неупорядоченных материалов – лекции, практические занятия.
| |
| | |
| ==Труды== | |
| | |
| Научные публикации:
| |
| 1. Караваев Г.Ф., Борисенко С.И. Зонный спектр и оптическое поглощение в n-CdSnAs2// Изв. Вузов. Физика.– 1978.– № 6.- С.28–34.
| |
| | |
| 2. Борисенко С.И., Караваев Г.Ф. Энергетический спектр и оптическое поглощение в р–CdGeAs2// Изв. Вузов. Физика.– 1982.– № 1.- С.68–72.
| |
| | |
| 3. Борисенко С.И., Караваев Г.Ф., Тютерев В.Г. Механизмы рассеяния носителей заряда в полупроводниках с решеткой халькопирита //ФТП.– 1982.– Т.16, №3.– С.432–439.
| |
| | |
| 4. Борисенко С.И., Караваев Г.Ф., Скачков С.И., Тютерев В.Г. Рассеяние электронов на пьезооптическом потенциале оптических фононов в CdGeAs2 // ФТП.– 1983.– Т.17, №12.– С.2198–2201.
| |
| | |
| 5. Борисенко С.И., Караваев Г.Ф., Скачков С.И., Тютерев В.Г. Анализ температурной зависимости дрейфовой подвижности дырок в CdGeAs2 // ФТП.– 1986.– Т.20, №7.– С.1214–1217.
| |
| | |
| 6. Борисенко С.И., Караваев Г.Ф. Оценка эффективных масс электронов и дырок в полупроводниках А2В4С52 // Изв. Вузов. Физика.– 1988.– № 4.- С.101–104.
| |
| | |
| 7. Борисенко С.И., Караваев Г.Ф. Анизотропия акустического рассеяния дырок в кристаллах А2В4С52 с решеткой халькопирита.// Изв. Вузов. Физика.– 1988.– № 5.- С.117–119.
| |
|
| |
|
| 8. Brudnyi V.N., Borisenko S.I., Potapov A.I. Electrical and optical properties and Fermi level pinning in electron irradiated ZnSnAs2 // Phys. Stat. Sol. (a).–1990.– V.118.– P.505–511.
| | Область научных интересов - оптические и кинетические свойства сложных полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур - квантовых ям и сверхрешеток. |
|
| |
|
| 9. Борисенко С.И., Караваев Г.Ф. Численный анализ продольного электрического тока при резонансном протекании в сверхрешетке n-GaAs / AlxGa1-xAs c легированными квантовыми ямами // ФТП.– 1998.– Т.32, №5.– С.607–612.
| | Научная и учебная работа в ТПУ - выполнение инициативной темы «Исследование электрических и оптических свойств низкоразмерных полупроводниковых структур». |
| | |
| 10. Борисенко С.И., Караваев Г.Ф. Анализ механизмов рассеяния электронов в сверхрешетке n-GaAs/AlxGa1-xAs c легированными квантовыми ямами при продольном резонансном токопереносе в области сильных электрических полей и низких температур // ФТП.– 1999.– Т.33, №4.– С.438–444.
| |
| | |
| 11. Борисенко С.И. Время релаксации импульса и температурная зависимость подвижности электронов в полупроводниковых сверхрешетках из слабо взаимодействующих квантовых ям // ФТП.– 1999.– Т.33, №10.– С.1240–1245.
| |
| | |
| 12. Борисенко С.И. Особенности неравновесной функции распределения при рассеянии электронов на полярных оптических фононах в полупроводниках А3В5// ФТП.– 2001.– Т.35, №3.– С.313–317.
| |
| | |
| 13. Борисенко С.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Тютерев В.Г. Анализ температурной зависимости подвижности электронов в монокристаллах CdGeAs2// ФТП.– 2001.– Т.35, №6.– С.720–725.
| |
| | |
| 14. Борисенко С.И. Анализ температурной зависимости концентрации электронов в монокристаллах CdGeAs2 // ФТП.– 2001.– Т.35, №10.– С.1175–1177.
| |
| | |
| 15. Борисенко С.И. Расчет низкополевой подвижности квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs / Al0.36Ga0.64As в области температуры 77 К // ФТП.– 2002.– Т.36, №7.– С.861–868.
| |
| 16. Борисенко С.И. Зависимость акустического рассеяния квазидвумерных электронов от
| |
| параметров сверхрешетки типа GaAs/AlxGa1-xAs // ФТП.– 2002.– Т.36, №10.– С.1237–1240.
| |
| 17. Борисенко С.И. Анализ неупругого рассеяния квазидвумерных электронов сверхрешетки на
| |
| акустических фононах с учетом дисперсии минизоны // ФТП.– 2002.– Т.36, №12.– С.1445–1448.
| |
| 18. Борисенко С.И. Дисперсия времени релаксации квазидвумерных электронов при рассеянии на
| |
| ионах примеси в сверхрешетке с легированными квантовыми ямами // ФТП.– 2003.– Т.37, №5.– С.588–591.
| |
| | |
| 19. Borisenko S.I., Rud V.Yu., Rud Yu.V.,Tyuterev V.G. Analysis of the temperature dependence of electron mobility in CdGeAs2 single crystals // Semicond. Sci. Technol.– 2002.– V.17, N 10.–P.1128–1132.
| |
| | |
| 20. Борисенко С.И. Влияние дисперсии минизоны на неупругое рассеяние электронов сверхрешетки акустическими фононами // Изв. Вузов. Физика.– 2003.– № 3.- С.41–47.
| |
| | |
| 21. Борисенко С.И. Влияние ширины минизоны на время релаксации электронов сверхрешетки при рассеянии на ионах примеси // Изв. Вузов. Физика.– 2003.– № 5.- С.84–89.
| |
| | |
| 22. Борисенко С.И. Рассеяние электронов на ионах примеси при низких температурах в сверхрешетке с легированными квантовыми ямами // ФТП.– 2003.– Т.37, №9.– С.1117–1122.
| |
| | |
| 23. Борисенко С.И. Рассеяние квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/AlxGa1-xAs на фононах // ФТП.- 2004.- Т.38, № 2.-С.207-212.
| |
| | |
| 24. Борисенко С.И. Зависимость ширины основной минизоны сверхрешетки с прямоугольными квантовыми ямами от конструктивных параметров// Изв. Вузов. Физика.– 2003.–№10.–С. 67–69.
| |
| | |
| 25. Борисенко С.И. Рассеяние квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/AlxGa1-xAs на полярных оптических фононах в модели диэлектрического континуума// Изв. Вузов. Физика.–2003.–№ 12.–С. 40–47.
| |
| | |
| 26. Борисенко С.И. Влияние размерного квантования спектра акустических фононов на рассеяние электронов в сверхрешетке GaAs/AlxGa1-xAs// ФТП.–2004.–Т. 38, № 7.–С. 858–863.
| |
| | |
| ==Кафедра ТиЭФ ТПУ==
| |
| | |
| Кафедра обеспечивает преподавание курсов «Общая физика» и «Атомная физика», «Концепции Современного Естествознания», «Физика твердого тела» и осуществляет подготовку магистров по программам «Новые материалы и технологии в медицине, медицинской технике и стоматологии» и «Процессы обработки материалов высококонцентрированными источниками энергии».
| |
| Научная работа на кафедре ведется по следующим направлениям:
| |
| разработка электронных ускорителей на энергию до 30 МэВ;
| |
| нелинейная физика диэлектриков при сильных радиационных воздействиях;
| |
| исследования электромагнитных процессов при взаимодействии частиц высоких энергий с веществом;
| |
| новые материалы и технологии в медицине, медицинской технике и стоматологии. [4]
| |
|
| |
|
| ==Ссылки== | | ==Ссылки== |
|
| |
|
| 1.http://rff.tsu.ru/~dept3web/pages/members/bsi.htm
| | http://portal.tpu.ru:7777/SHARED/s/SIB/Tab1 |
| | | [[Категория:Родившиеся 1 января]] |
| 2.http://portal.tpu.ru/SHARED/s/SIB
| | [[Категория:Родившиеся в 1951 году]] |
|
| |
|
| 3.http://www.famous-scientists.ru/9988
| | [[Категория:преподаватели]] |
| | [[Категория:Доктора физико-математических наук]] |
| | [[Категория:Физики]] |
| | [[Категория:Доценты]] |
| | [[Категория:Сотрудники Отделения естественных наук]] |
| | [[Категория:Доценты Отделения естественных наук]] |
| | [[Категория:Томские ученые]] |
|
| |
|
| 4.http://portal.tpu.ru:7777/departments/kafedra/tief/about/Tab
| | [[Категория:Выпускники Томского государственного университета]] |
| | [[Категория:Сотрудники Томского государственного университета]] |
| | [[Категория:Сотрудники Сибирского физико-технического института]] |
