135 301
правка
Гончаренко Игорь Михайлович: различия между версиями
Перейти к навигации
Перейти к поиску
Гончаренко Игорь Михайлович (посмотреть исходный код)
Версия от 04:42, 9 января 2023
, 9 января 2023нет описания правки
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
| (не показано 12 промежуточных версий 2 участников) | |||
| Строка 13: | Строка 13: | ||
|Место работы = ТПУ | |Место работы = ТПУ | ||
|Учёная степень = кандидат технических наук | |Учёная степень = кандидат технических наук | ||
|Учёное звание = | |Учёное звание = | ||
|Альма-матер = | |Альма-матер = | ||
|Научный руководитель = | |Научный руководитель = | ||
|Знаменитые ученики = | |Знаменитые ученики = | ||
|Награды и премии = | |Награды и премии = | ||
'''Гончаренко Игорь Михайлович''' – кандидат технических наук, доцент кафедры физики высоких технологий в машиностроении Института физики высоких технологий Томского политехнического университета. | }} | ||
'''Гончаренко Игорь Михайлович''' – кандидат технических наук, доцент кафедры физики высоких технологий в машиностроении Института физики высоких технологий [[ТПУ|Томского политехнического университета]]. | |||
==Научная деятельность== | ==Научная деятельность== | ||
| Строка 28: | Строка 29: | ||
Вакуумная и плазменная электроника; материаловедение; вакуумно-дуговое осаждение износостойких покрытий; использование электронных, ионных пучков и плазмы для модификации поверхности твердых тел; методы исследования структуры и фазовых состояний поверхности конденсированных систем. | Вакуумная и плазменная электроника; материаловедение; вакуумно-дуговое осаждение износостойких покрытий; использование электронных, ионных пучков и плазмы для модификации поверхности твердых тел; методы исследования структуры и фазовых состояний поверхности конденсированных систем. | ||
Во время работы в Институте сильноточной электроники СО РАН занимался исследованием взаимосвязи между параметрами сигналов акустической эмиссии и характером трения и изнашивания твердых нанокристаллических покрытий системы Ti – Al – N, полученных при различных напряжениях отрицательного смещения на образце. Была установлена корреляция между параметрами сигналов акустической эмиссии, процессами разрушения покрытий и коэффициентом трения. | Во время работы в [[ИСЭ СО РАН|Институте сильноточной электроники СО РАН]] занимался исследованием взаимосвязи между параметрами сигналов акустической эмиссии и характером трения и изнашивания твердых нанокристаллических покрытий системы Ti – Al – N, полученных при различных напряжениях отрицательного смещения на образце. Была установлена корреляция между параметрами сигналов акустической эмиссии, процессами разрушения покрытий и коэффициентом трения. | ||
Является одним из авторов изобретения в области металловедения - способа формирования | Является одним из авторов изобретения в области металловедения - способа формирования износостойкого покрытия на поверхности изделий из конструкционной стали ([[ИСЭ СО РАН|ИСЭ СО РАН]], [[Щанин Петр Максимович|Щанин П.М.]], [[Коваль Николай Николаевич|Коваль Н.Н.]], Борисов Д.П., Гончаренко И.М., 1999 г.). | ||
==Педагогическая деятельность== | ==Педагогическая деятельность== | ||
Читаемые курсы в ТПУ: | Читаемые курсы в ТПУ: физические основы разработки и производства твердых сплавов для машиностроения (весенний семестр), автоматизация и управление вакуумным оборудованием (осенний семестр). | ||
==Публикации== | ==Публикации== | ||
| Строка 51: | Строка 50: | ||
http://portal.tpu.ru/SHARED/g/GONCHARENKO | http://portal.tpu.ru/SHARED/g/GONCHARENKO | ||
[[Категория:Физики]] | |||
[[Категория:Доценты]] | |||
[[Категория:Кандидаты технических наук]] | |||
[[Категория:Сотрудники СО РАН]] | |||
[[Категория:Томские ученые]] | |||
[[Категория:Ученые в области электроники]] | |||