Иванов Юрий Федорович: различия между версиями

Материал из Электронная энциклопедия ТПУ
Перейти к навигации Перейти к поиску
Нет описания правки
Нет описания правки
 
(не показано 10 промежуточных версий этого же участника)
Строка 4: Строка 4:
|Оригинал имени      =  
|Оригинал имени      =  
  |Фото                = IvanovJurijFedorovich.jpg
  |Фото                = IvanovJurijFedorovich.jpg
  |Ширина              = 180px
  |Ширина              = 220px
  |Подпись              =
  |Подпись              =
  |Дата рождения      =  
  |Дата рождения      =  
Строка 23: Строка 23:
|Награды и премии =
|Награды и премии =
}}
}}
'''Иванов Юрий Федорович''' – доктор физико-математических наук, профессор кафедры наноматериалов и нанотехнологий Института физики высоких технологий [[ТПУ|Томского политехнического университета]], главный научный сотрудник Института сильноточной электроники СО РАН.
'''Иванов Юрий Федорович''' – доктор физико-математических наук, профессор кафедры наноматериалов и нанотехнологий Института физики высоких технологий [[ТПУ|Томского политехнического университета]], главный научный сотрудник [[ИСЭ СО РАН|Института сильноточной электроники СО РАН]].


==Научная деятельность==
==Научная деятельность==
Строка 33: Строка 33:
О проекте: перспективными методами, призванными существенно улучшить свойства поверхностного слоя материала, в настоящее время являются методы, основанные на использовании концентрированных потоков энергии (потоки плазмы, электронные и ионные пучки, лучи лазера и т.д.), позволяющие наноструктурировать материал. Физический смысл такого подхода состоит в снижении масштабного уровня локализации пластической деформации в наноструктурированном поверхностном слое, приводящем к более равномерному распределению упругих напряжений в более значительном объеме материала при внешнем механическом или температурном воздействии на поверхность. В результате в значительной степени повышается энергия зарождения в поверхностном слое концентраторов напряжения, снижается вероятность образования в поверхностном слое дефектов внутреннего строения. Последнее определяет демпфирующие свойства наноструктурированного слоя по отношению к основному материалу при ударных механических и температурных внешних воздействиях, предотвращая преждевременное зарождение и распространение с поверхности в основной объем материала хрупких микротрещин, приводящих к образованию магистральных трещин и разрушению основного материала.
О проекте: перспективными методами, призванными существенно улучшить свойства поверхностного слоя материала, в настоящее время являются методы, основанные на использовании концентрированных потоков энергии (потоки плазмы, электронные и ионные пучки, лучи лазера и т.д.), позволяющие наноструктурировать материал. Физический смысл такого подхода состоит в снижении масштабного уровня локализации пластической деформации в наноструктурированном поверхностном слое, приводящем к более равномерному распределению упругих напряжений в более значительном объеме материала при внешнем механическом или температурном воздействии на поверхность. В результате в значительной степени повышается энергия зарождения в поверхностном слое концентраторов напряжения, снижается вероятность образования в поверхностном слое дефектов внутреннего строения. Последнее определяет демпфирующие свойства наноструктурированного слоя по отношению к основному материалу при ударных механических и температурных внешних воздействиях, предотвращая преждевременное зарождение и распространение с поверхности в основной объем материала хрупких микротрещин, приводящих к образованию магистральных трещин и разрушению основного материала.


Лаборатория плазменной эмиссионной электроники Института сильноточной электроники СО РАН, ведущим научным сотрудником которой является Ю.Ф. Иванов, вошла в отдел с аналогичным названием, который был организован под руководством профессора Ю. Е. Крейнделя при открытии Института сильноточной электроники в 1977 году.  
Лаборатория плазменной эмиссионной электроники [[ИСЭ СО РАН|Института сильноточной электроники СО РАН]], ведущим научным сотрудником которой является Ю.Ф. Иванов, вошла в отдел с аналогичным названием, который был организован под руководством профессора                                   [[Крейндель Юлий Ефимович|Ю. Е. Крейнделя]] при открытии Института сильноточной электроники в 1977 году.  


Научные направления лаборатории:
Научные направления лаборатории:
Строка 44: Строка 44:


http://portal.tpu.ru/departments/kafedra/nmnt/science
http://portal.tpu.ru/departments/kafedra/nmnt/science
http://library.sibsiu.ru/ScienceSchools/StrengthAndDuctilityOfMaterialsUnderEnergeticInfluences_PartnerScientists.asp


http://www.sibsiu.ru/kf/data/novosti/oblogka.pdf
http://www.sibsiu.ru/kf/data/novosti/oblogka.pdf
Строка 51: Строка 49:
http://www.hcei.tsc.ru/ru/cat/phones/phones.html?id=28
http://www.hcei.tsc.ru/ru/cat/phones/phones.html?id=28


http://www.hcei.tsc.ru/ru/cat/structure/labs/lpee.html
http://www.hcei.tsc.ru/ru/cat/structure/dis/dis.html
[[Категория:Физики]]
[[Категория:Физики]]
[[Категория:Профессора]]
[[Категория:Профессора]]
 
[[Категория:профессора кафедры наноматериалов и нанотехнологий]]
[[Категория:Доктора физико-математических наук]]
[[Категория:Доктора физико-математических наук]]
[[Категория:Главные научные сотрудники]]
[[Категория:Главные научные сотрудники]]


[[Категория:Сотрудники СО РАН]]
[[Категория:Сотрудники СО РАН]]
[[Категория:Сотрудники РАН]]


[[Категория:Сотрудники Института сильноточной электроники СО РАН]]
[[Категория:Сотрудники Института сильноточной электроники СО РАН]]
[[Категория:Томские ученые]]

Текущая версия от 04:36, 9 января 2023

Иванов Юрий Федорович
IvanovJurijFedorovich.jpg
Научная сфера:

физика

Место работы:

ИСЭ СО РАН, ТПУ

Учёная степень:

доктор физико-математических наук

Учёное звание:

профессор

Иванов Юрий Федорович – доктор физико-математических наук, профессор кафедры наноматериалов и нанотехнологий Института физики высоких технологий Томского политехнического университета, главный научный сотрудник Института сильноточной электроники СО РАН.

Научная деятельность

Область научных интересов – физическое материаловедение, физика прочности и пластичности материалов в условиях внешних энергетических воздействий, модификация неорганических материалов пучками заряженных частиц и потоками плазмы. Автор и соавтор более 600 научных работ, 2 патентов РФ и 13 монографий.

На кафедре наноматериалов и нанотехнологий ТПУ является руководителем научного проекта «Высокоэнергетические методы модификации структуры поверхности металлов и сплавов, металлокерамических и керамических (в том числе и порошковых) материалов».

О проекте: перспективными методами, призванными существенно улучшить свойства поверхностного слоя материала, в настоящее время являются методы, основанные на использовании концентрированных потоков энергии (потоки плазмы, электронные и ионные пучки, лучи лазера и т.д.), позволяющие наноструктурировать материал. Физический смысл такого подхода состоит в снижении масштабного уровня локализации пластической деформации в наноструктурированном поверхностном слое, приводящем к более равномерному распределению упругих напряжений в более значительном объеме материала при внешнем механическом или температурном воздействии на поверхность. В результате в значительной степени повышается энергия зарождения в поверхностном слое концентраторов напряжения, снижается вероятность образования в поверхностном слое дефектов внутреннего строения. Последнее определяет демпфирующие свойства наноструктурированного слоя по отношению к основному материалу при ударных механических и температурных внешних воздействиях, предотвращая преждевременное зарождение и распространение с поверхности в основной объем материала хрупких микротрещин, приводящих к образованию магистральных трещин и разрушению основного материала.

Лаборатория плазменной эмиссионной электроники Института сильноточной электроники СО РАН, ведущим научным сотрудником которой является Ю.Ф. Иванов, вошла в отдел с аналогичным названием, который был организован под руководством профессора Ю. Е. Крейнделя при открытии Института сильноточной электроники в 1977 году.

Научные направления лаборатории:

Исследование структуры и эмиссионных свойств сильноточных газовых разрядов и создание на их основе эффективных источников заряженных частиц с плазменными эмиттерами;

Разработка физических основ оборудования и технологий вакуумной электронно-ионно-плазменной модификации поверхности материалов и изделий.

Ссылки

http://portal.tpu.ru/departments/kafedra/nmnt/science

http://www.sibsiu.ru/kf/data/novosti/oblogka.pdf

http://www.hcei.tsc.ru/ru/cat/phones/phones.html?id=28