134 128
правок
Иванов Юрий Федорович: различия между версиями
Перейти к навигации
Перейти к поиску
нет описания правки
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
Pvp (обсуждение | вклад) Нет описания правки |
||
| (не показаны 2 промежуточные версии этого же участника) | |||
| Строка 23: | Строка 23: | ||
|Награды и премии = | |Награды и премии = | ||
}} | }} | ||
'''Иванов Юрий Федорович''' – доктор физико-математических наук, профессор кафедры наноматериалов и нанотехнологий Института физики высоких технологий [[ТПУ|Томского политехнического университета]], главный научный сотрудник Института сильноточной электроники СО РАН. | '''Иванов Юрий Федорович''' – доктор физико-математических наук, профессор кафедры наноматериалов и нанотехнологий Института физики высоких технологий [[ТПУ|Томского политехнического университета]], главный научный сотрудник [[ИСЭ СО РАН|Института сильноточной электроники СО РАН]]. | ||
==Научная деятельность== | ==Научная деятельность== | ||
| Строка 33: | Строка 33: | ||
О проекте: перспективными методами, призванными существенно улучшить свойства поверхностного слоя материала, в настоящее время являются методы, основанные на использовании концентрированных потоков энергии (потоки плазмы, электронные и ионные пучки, лучи лазера и т.д.), позволяющие наноструктурировать материал. Физический смысл такого подхода состоит в снижении масштабного уровня локализации пластической деформации в наноструктурированном поверхностном слое, приводящем к более равномерному распределению упругих напряжений в более значительном объеме материала при внешнем механическом или температурном воздействии на поверхность. В результате в значительной степени повышается энергия зарождения в поверхностном слое концентраторов напряжения, снижается вероятность образования в поверхностном слое дефектов внутреннего строения. Последнее определяет демпфирующие свойства наноструктурированного слоя по отношению к основному материалу при ударных механических и температурных внешних воздействиях, предотвращая преждевременное зарождение и распространение с поверхности в основной объем материала хрупких микротрещин, приводящих к образованию магистральных трещин и разрушению основного материала. | О проекте: перспективными методами, призванными существенно улучшить свойства поверхностного слоя материала, в настоящее время являются методы, основанные на использовании концентрированных потоков энергии (потоки плазмы, электронные и ионные пучки, лучи лазера и т.д.), позволяющие наноструктурировать материал. Физический смысл такого подхода состоит в снижении масштабного уровня локализации пластической деформации в наноструктурированном поверхностном слое, приводящем к более равномерному распределению упругих напряжений в более значительном объеме материала при внешнем механическом или температурном воздействии на поверхность. В результате в значительной степени повышается энергия зарождения в поверхностном слое концентраторов напряжения, снижается вероятность образования в поверхностном слое дефектов внутреннего строения. Последнее определяет демпфирующие свойства наноструктурированного слоя по отношению к основному материалу при ударных механических и температурных внешних воздействиях, предотвращая преждевременное зарождение и распространение с поверхности в основной объем материала хрупких микротрещин, приводящих к образованию магистральных трещин и разрушению основного материала. | ||
Лаборатория плазменной эмиссионной электроники Института сильноточной электроники СО РАН, ведущим научным сотрудником которой является Ю.Ф. Иванов, вошла в отдел с аналогичным названием, который был организован под руководством профессора [[Крейндель Юлий Ефимович|Ю. Е. Крейнделя]]при открытии Института сильноточной электроники в 1977 году. | Лаборатория плазменной эмиссионной электроники [[ИСЭ СО РАН|Института сильноточной электроники СО РАН]], ведущим научным сотрудником которой является Ю.Ф. Иванов, вошла в отдел с аналогичным названием, который был организован под руководством профессора [[Крейндель Юлий Ефимович|Ю. Е. Крейнделя]] при открытии Института сильноточной электроники в 1977 году. | ||
Научные направления лаборатории: | Научные направления лаборатории: | ||