Асеев Александр Леонидович: различия между версиями

Материал из Электронная энциклопедия ТПУ
Перейти к навигации Перейти к поиску
Нет описания правки
Нет описания правки
 
(не показано 17 промежуточных версий этого же участника)
Строка 3: Строка 3:
  |Оригинал имени      =  
  |Оригинал имени      =  
  |Фото                = Aseev.jpeg
  |Фото                = Aseev.jpeg
  |Ширина              = 150 px
  |Ширина              = 200 px
  |Подпись              =  
  |Подпись              =  
  |Дата рождения        = 24.09.1946 г.
  |Дата рождения        = 24.09.1946 г.
Строка 17: Строка 17:
  |Научный руководитель =  
  |Научный руководитель =  
  |Знаменитые ученики  =  
  |Знаменитые ученики  =  
  |Награды и премии    =  
  |Награды и премии    = Медаль ордена "За заслуги перед Отечеством"
}}
}}
'''Александр Леонидович Асеев''' (род. 24.09.1946 г. в г. Улан-Удэ) — российский ученый, доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН (2000), академик РАН (2006), председатель Сибирского отделения РАН (с 2008 г.), директор Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1998—2013). Вице-президент РАН, член секции нанотехнологий отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН.
'''Александр Леонидович Асеев''' (р. 24.09.1946 г. в г. Улан-Удэ) — российский ученый, доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН (2000), академик РАН (2006), председатель Сибирского отделения РАН (с 2008 г.), директор Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1998—2013). Вице-президент РАН, член секции нанотехнологий отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН.


== Биография ==
== Биография ==
Строка 39: Строка 39:
* Награждён медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени (2008)<ref>[http://graph.document.kremlin.ru/page.aspx?951978 Указ Президента Российской Федерации от 11 марта 2008 г. № 331 «О награждении государственными наградами Российской Федерации»]</ref>.
* Награждён медалью ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени (2008)<ref>[http://graph.document.kremlin.ru/page.aspx?951978 Указ Президента Российской Федерации от 11 марта 2008 г. № 331 «О награждении государственными наградами Российской Федерации»]</ref>.
* Почётный профессор Бурятского государственного университета (2010).
* Почётный профессор Бурятского государственного университета (2010).
== Примечания ==
{{примечания}}


== Интервью ==
== Интервью ==
Строка 52: Строка 49:
* [http://www.nsc.ru/ppls/asv/ Страница А. Л. Асеева] на сайте [[Сибирское отделение РАН|Сибирского отделения РАН]]
* [http://www.nsc.ru/ppls/asv/ Страница А. Л. Асеева] на сайте [[Сибирское отделение РАН|Сибирского отделения РАН]]
* [http://isaran.ru/?q=ru/person&guid=EF8ECD14-1504-3BB0-1915-1B76D080C378 Асеев Александр Леонидович] — Биографическая справка ИС АРАН
* [http://isaran.ru/?q=ru/person&guid=EF8ECD14-1504-3BB0-1915-1B76D080C378 Асеев Александр Леонидович] — Биографическая справка ИС АРАН
[[Категория:Родившиеся 24 сентября]]
[[Категория:Родившиеся в 1946 году]]
[[Категория:Доктора физико-математических наук]]
[[Категория:Действительные члены РАН]]
[[Категория:Вице-президенты РАН]]
[[Категория:Академики РАН]]
[[Категория:Физики]]
[[Категория:Профессора]]
[[Категория:Сотрудники СО РАН]]
[[Категория:Сотрудники РАН]]


[[Категория:Наблюдательный совет]]
[[Категория:Выпускники Новосибирского государственного университета]]
[[Категория:Награжденные медалью ордена "За заслуги перед Отечеством"]]
[[Категория:Награжденные медалями Российской Федерации]]
[[Категория:Награжденные наградами Российской Федерации]]

Текущая версия от 08:41, 5 октября 2022

Александр Леонидович Асеев
Aseev.jpeg
Дата рождения:

24.09.1946 г.

Место рождения:

г. Улан-Удэ

Научная сфера:

физика полупроводников

Место работы:

Сибирское отделение РАН

Учёная степень:

доктор физико-математических наук

Учёное звание:

академик РАН

Альма-матер:

НГУ

Награды и премии


Медаль ордена "За заслуги перед Отечеством"

Александр Леонидович Асеев (р. 24.09.1946 г. в г. Улан-Удэ) — российский ученый, доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН (2000), академик РАН (2006), председатель Сибирского отделения РАН (с 2008 г.), директор Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН (1998—2013). Вице-президент РАН, член секции нанотехнологий отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН.

Биография

Окончил физический факультет Новосибирского государственного университета (1968). В 1975 г. защитил кандидатскую диссертацию «Формирование дислокационной структуры монокристаллических слоёв кремния и германия на различных подложках»,<ref>Каталог РНБ</ref> в 1990 году — докторскую диссертацию «Структурные перестройки в кристаллах кремния и германия при большой скорости генерации точечных дефектов».<ref>Каталог РНБ</ref>

С 1998 г. по 25 апреля 2013 г. являлся директором Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН.

Учениками Асеева защищено 4 кандидатских и 2 докторских диссертации. Асеев – автор и соавтор 200 научных работ, в том числе 5 монографий и 9 патентов.

С июня 2014 г. - член Наблюдательного совета ТПУ. <ref>Наблюдательный совет ТПУ</ref>

Научные интересы

Основное научные интересы относятся к изучению атомной структуры и электронных свойств полупроводниковых систем пониженной размерности, развитием технологий полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники.

Общественная позиция

Активный противник реформы Российской академии наук по предлагаемому Правительством РФ проекту<ref>Как на самом деле академик Асеев оценивает проект «академической реформы»</ref>.

Награды и почётные звания

Интервью

Ссылки