Борисенко Сергей Иванович: различия между версиями

Борисенко Сергей Иванович
	Борисенко Сергей Иванович
Дата рождения:	01.01.1951
Место рождения:	г. Анжеро-Судженск, Кемеровская обл., РСФСР, СССР
Научная сфера:	физика
Место работы:	ТГУ, ТПУ
Учёная степень:	доктор физико-математических наук
Учёное звание:	профессор
Альма-матер:	ТГУ

Версия от 07:53, 25 февраля 2013

Борисенко Сергей Иванович (01.01.1951 г., г. Анжеро-Судженск, Кемеровская обл., РСФСР, СССР) – доктор физико-математических наук, доцент кафедры теоретической и экспериментальной физики Томского политехнического университета.

Биография

Закончил школу в г. Горно-Алтайске в 1968 г, а затем физический факультет Томского госуниверситета по кафедре теоретической физики. В 1973-2004 гг. являлся научным сотрудником отдела теоретической физики СФТИ. На кафедре полупроводниковой электроники работает с 1992 г. Доцент кафедры ТиЭФ ТПУ (с 2004г.). [1][2][3]

Научная деятельность

В настоящее время областью научных интересов являются оптические и кинетические свойства сложных полупроводников и низкоразмерных полупроводниковых гетероструктур - квантовых ям и сверхрешеток.

Научная и учебная работа в ТПУ:

выполнение инициативной темы «Исследование электрических и оптических свойств низкоразмерных полупроводниковых структур»;

общая физика – лекции, практические занятия, лабораторные работы; теория и свойства кристаллов и неупорядоченных материалов – лекции, практические занятия.

Труды

Научные публикации: 1. Караваев Г.Ф., Борисенко С.И. Зонный спектр и оптическое поглощение в n-CdSnAs2// Изв. Вузов. Физика.– 1978.– № 6.- С.28–34.

2. Борисенко С.И., Караваев Г.Ф. Энергетический спектр и оптическое поглощение в р–CdGeAs2// Изв. Вузов. Физика.– 1982.– № 1.- С.68–72.

3. Борисенко С.И., Караваев Г.Ф., Тютерев В.Г. Механизмы рассеяния носителей заряда в полупроводниках с решеткой халькопирита //ФТП.– 1982.– Т.16, №3.– С.432–439.

4. Борисенко С.И., Караваев Г.Ф., Скачков С.И., Тютерев В.Г. Рассеяние электронов на пьезооптическом потенциале оптических фононов в CdGeAs2 // ФТП.– 1983.– Т.17, №12.– С.2198–2201.

5. Борисенко С.И., Караваев Г.Ф., Скачков С.И., Тютерев В.Г. Анализ температурной зависимости дрейфовой подвижности дырок в CdGeAs2 // ФТП.– 1986.– Т.20, №7.– С.1214–1217.

6. Борисенко С.И., Караваев Г.Ф. Оценка эффективных масс электронов и дырок в полупроводниках А2В4С52 // Изв. Вузов. Физика.– 1988.– № 4.- С.101–104.

7. Борисенко С.И., Караваев Г.Ф. Анизотропия акустического рассеяния дырок в кристаллах А2В4С52 с решеткой халькопирита.// Изв. Вузов. Физика.– 1988.– № 5.- С.117–119.

8. Brudnyi V.N., Borisenko S.I., Potapov A.I. Electrical and optical properties and Fermi level pinning in electron irradiated ZnSnAs2 // Phys. Stat. Sol. (a).–1990.– V.118.– P.505–511.

9. Борисенко С.И., Караваев Г.Ф. Численный анализ продольного электрического тока при резонансном протекании в сверхрешетке n-GaAs / AlxGa1-xAs c легированными квантовыми ямами // ФТП.– 1998.– Т.32, №5.– С.607–612.

10. Борисенко С.И., Караваев Г.Ф. Анализ механизмов рассеяния электронов в сверхрешетке n-GaAs/AlxGa1-xAs c легированными квантовыми ямами при продольном резонансном токопереносе в области сильных электрических полей и низких температур // ФТП.– 1999.– Т.33, №4.– С.438–444.

11. Борисенко С.И. Время релаксации импульса и температурная зависимость подвижности электронов в полупроводниковых сверхрешетках из слабо взаимодействующих квантовых ям // ФТП.– 1999.– Т.33, №10.– С.1240–1245.

12. Борисенко С.И. Особенности неравновесной функции распределения при рассеянии электронов на полярных оптических фононах в полупроводниках А3В5// ФТП.– 2001.– Т.35, №3.– С.313–317.

13. Борисенко С.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Тютерев В.Г. Анализ температурной зависимости подвижности электронов в монокристаллах CdGeAs2// ФТП.– 2001.– Т.35, №6.– С.720–725.

14. Борисенко С.И. Анализ температурной зависимости концентрации электронов в монокристаллах CdGeAs2 // ФТП.– 2001.– Т.35, №10.– С.1175–1177.

15. Борисенко С.И. Расчет низкополевой подвижности квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs / Al0.36Ga0.64As в области температуры 77 К // ФТП.– 2002.– Т.36, №7.– С.861–868. 16. Борисенко С.И. Зависимость акустического рассеяния квазидвумерных электронов от параметров сверхрешетки типа GaAs/AlxGa1-xAs // ФТП.– 2002.– Т.36, №10.– С.1237–1240. 17. Борисенко С.И. Анализ неупругого рассеяния квазидвумерных электронов сверхрешетки на акустических фононах с учетом дисперсии минизоны // ФТП.– 2002.– Т.36, №12.– С.1445–1448. 18. Борисенко С.И. Дисперсия времени релаксации квазидвумерных электронов при рассеянии на ионах примеси в сверхрешетке с легированными квантовыми ямами // ФТП.– 2003.– Т.37, №5.– С.588–591.

19. Borisenko S.I., Rud V.Yu., Rud Yu.V.,Tyuterev V.G. Analysis of the temperature dependence of electron mobility in CdGeAs2 single crystals // Semicond. Sci. Technol.– 2002.– V.17, N 10.–P.1128–1132.

20. Борисенко С.И. Влияние дисперсии минизоны на неупругое рассеяние электронов сверхрешетки акустическими фононами // Изв. Вузов. Физика.– 2003.– № 3.- С.41–47.

21. Борисенко С.И. Влияние ширины минизоны на время релаксации электронов сверхрешетки при рассеянии на ионах примеси // Изв. Вузов. Физика.– 2003.– № 5.- С.84–89.

22. Борисенко С.И. Рассеяние электронов на ионах примеси при низких температурах в сверхрешетке с легированными квантовыми ямами // ФТП.– 2003.– Т.37, №9.– С.1117–1122.

23. Борисенко С.И. Рассеяние квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/AlxGa1-xAs на фононах // ФТП.- 2004.- Т.38, № 2.-С.207-212.

24. Борисенко С.И. Зависимость ширины основной минизоны сверхрешетки с прямоугольными квантовыми ямами от конструктивных параметров// Изв. Вузов. Физика.– 2003.–№10.–С. 67–69.

25. Борисенко С.И. Рассеяние квазидвумерных электронов сверхрешетки GaAs/AlxGa1-xAs на полярных оптических фононах в модели диэлектрического континуума// Изв. Вузов. Физика.–2003.–№ 12.–С. 40–47.

26. Борисенко С.И. Влияние размерного квантования спектра акустических фононов на рассеяние электронов в сверхрешетке GaAs/AlxGa1-xAs// ФТП.–2004.–Т. 38, № 7.–С. 858–863.

Кафедра ТиЭФ ТПУ

Кафедра обеспечивает преподавание курсов «Общая физика» и «Атомная физика», «Концепции Современного Естествознания», «Физика твердого тела» и осуществляет подготовку магистров по программам «Новые материалы и технологии в медицине, медицинской технике и стоматологии» и «Процессы обработки материалов высококонцентрированными источниками энергии». Научная работа на кафедре ведется по следующим направлениям: разработка электронных ускорителей на энергию до 30 МэВ; нелинейная физика диэлектриков при сильных радиационных воздействиях; исследования электромагнитных процессов при взаимодействии частиц высоких энергий с веществом; новые материалы и технологии в медицине, медицинской технике и стоматологии. [4]